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Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMBTRC118SS-AQ | 0,0358 |  | 4989 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Standard | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2796 MMBTRC118SS-AQTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 50 v | |||||||||||||||||||||||
 | SMBG5360BE3/TR13 | 1.1400 | | 1493 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5360 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 18 V. | 25 v | 4 Ohm | ||||||||||||||
 | CBR1-D040S TR13 PBFREE | 1.1400 | | 177 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | CBR1-D040 | Standard | 4-smdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 400 V | 1 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||||
 | VLZ20D-GS08 | - - - | | 1975 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | VLZ20 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 40 µa @ 17.1 V | 20.22 V. | 28 Ohm | ||||||||||||||
 | Smzj3790ahe3/52 | - - - | | 1352 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Smzj37 | 1,5 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 10 µa @ 8,4 V | 11 v | 6 Ohm | |||||||||||||||
 | 1N4448W | 0,0236 | | 2 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | 1N4448 | Standard | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 8541.10.0000 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 na @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||
 | CZRB5371B-HF | 0,2401 | | 9385 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | CZRB5371 | 5 w | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 42.5 V. | 60 v | 40 Ohm | ||||||||||||||
 | MMSZ5244ET1 | - - - | | 1629 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ524 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 10 v | 14 v | 15 Ohm | ||||||||||||||
 | BZG03B130-M3-18 | 0,2228 | | 1850 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG03B-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG03B130 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µa @ 100 V. | 130 v | 300 Ohm | ||||||||||||||
 | NZX14C, 133 | 0,0200 | | 100 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | ALF2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-NZX14C, 133-954 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 50 NA @ 9.8 V. | 14 v | 35 Ohm | |||||||||||||||||
| MMSZ5247A_R1_00001 | 0,1900 | | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | MMSZ5229A | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5247 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-mmsz5247a_r1_00001dkr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 13 v | 17 v | 19 Ohm | ||||||||||||||
 | BZX84B36_R1_00001 | 0,1900 | | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 410 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-BZX84B36_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 NA @ 25.2 V. | 36 v | 90 Ohm | ||||||||||||||
 | CDLL935A/Tr | 4.2600 | | 7851 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll935a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||
 | 1N4710/tr | 3.6575 | | 3723 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4710/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19 V | 25 v | ||||||||||||||||
 | 409dmq150 | 77.3200 | | 9686 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | PRM4 | 409dmq | Schottky | PRM4 (Isolier) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 1655-1335 | Ear99 | 8541.10.0080 | 9 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 150 v | - - - | 1,03 V @ 200 a | 6 mA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
 | Bas16wt | 0,1500 | | 3548 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas16 | Standard | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 100 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 2,5 µa @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
 | 1N5949APE3/TR12 | - - - | | 1235 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5949 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 76 V | 100 v | 250 Ohm | |||||||||||||||
 | SF4007-tr | 0,7900 | | 56 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | SOD-57, axial | SF4007 | Lawine | SOD-57 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||
| SR3200-BP | 0,2291 | | 5255 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SR3200 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | 353-SR3200-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 900 mv @ 3 a | 200 µA @ 200 V. | -50 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||
| RB480YNPT2R | - - - | | 7584 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75-4, SOT-543 | Schottky | EMD4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RB480YNPT2RTR | Veraltet | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 30 v | 100 ma | 530 mv @ 100 mA | 1 µa @ 10 V | 125 ° C (max) | ||||||||||||||
 | SCS310AHGC9 | 6.5500 | | 407 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SCS310 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ACP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 10 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | 175 ° C (max) | 10a | 500PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||
 | BZW03C220-TR | - - - | | 7650 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZW03 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | SOD-64, axial | BZW03 | 1,85 w | SOD-64 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,2 V @ 1 a | 2 µa @ 160 V | 220 V | 700 Ohm | ||||||||||||||
| SS25She3_B/i | 0,3700 | | 4936 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SS25 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 750 mV @ 2 a | 200 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - - - | |||||||||||||
 | VS-HFA16TA60CSTRLP | - - - | | 4654 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Hexfred® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | HFA16 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 600 V | 8a | 1,7 V @ 8 a | 55 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
 | BZX84C6V2TW_R1_00001 | 0,0513 | | 9144 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bzx84 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.250.000 | 3 Unabhängig | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | ||||||||||||||
 | BZX384-C5V6,115 | 0,2100 | | 125 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX384 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 1 µa @ 2 V. | 5.6 v | 40 Ohm | ||||||||||||||
| Pzu3.3b2a-Qx | 0,3000 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 5 µa @ 1 V | 3.38 v | 95 Ohm | |||||||||||||||
| RS3KH | 0,1791 | | 2750 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 3 a | 500 ns | 10 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||
| NSR0620SP2T5G | 0,5100 | | 7 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | NSR0620 | Schottky | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 520 MV @ 500 mA | 9 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 500 mA | - - - | |||||||||||||
| BZT03D51-tr | - - - | | 7531 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT03 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5,88% | 175 ° C (TJ) | K. Loch | SOD-57, axial | BZT03 | 1,3 w | SOD-57 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µa @ 39 V | 51 v | 60 Ohm |
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