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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SR802HB0G | - - - | ![]() | 6849 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SR802 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 550 mV @ 8 a | 500 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||
![]() | PDZ36B-AU_R1_000A1 | 0,0297 | ![]() | 4500 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Pdz36b | 400 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.330.000 | 50 na @ 27 v | 36 v | 60 Ohm | ||||||||||||||
![]() | CMSZ5254B TR PBFREE | 0,5100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | CMSZ5254 | 275 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 21 V | 27 v | 41 Ohm | |||||||||||||
BZX84C12Q-7-F | 0,0357 | ![]() | 7399 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,42% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZX84C12Q-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 12 v | 25 Ohm | |||||||||||||
![]() | AZ23B3V0 | 0,0270 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-AZ23B3V0TR | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FR101 | - - - | ![]() | 6024 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Fr10 | Standard | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
Jan1N5539C-1/Tr | 9.9351 | ![]() | 4086 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N5539C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 17.1 V. | 19 v | 100 Ohm | |||||||||||||||
![]() | 1N5956BPE3/TR8 | - - - | ![]() | 9859 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5956 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 152 V | 200 v | 1200 Ohm | ||||||||||||||
JantXV1N6338C | 37.5300 | ![]() | 1068 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n6338c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 30 v | 39 v | 55 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | S1flk-GS18 | 0,0932 | ![]() | 8293 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S1f | Standard | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 10 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 700 Ma | 4PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
NZ8F11VMX2WT5G | 0,0685 | ![]() | 3650 | 0.00000000 | Onsemi | NZ8F | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 2-xdfn | 250 MW | 2-X2DFNW (1x0.6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 11 v | 30 Ohm | |||||||||||||||
JantX1N972D-1 | 7.0800 | ![]() | 7461 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N972 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 23 v | 30 v | 49 Ohm | ||||||||||||||
![]() | CDLL5537B/Tr | 5.9052 | ![]() | 2025 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 500 MW | Do-213ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5537b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 15.3 V. | 17 v | 100 Ohm | ||||||||||||||
![]() | Hzm3.9nb1jtl-e | - - - | ![]() | 4212 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR30H100CTG | 2.2400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | MBR30H100 | Schottky | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 15a | 800 mv @ 15 a | 4,5 µa @ 100 V. | 175 ° C (max) | ||||||||||||
![]() | BZT55C27-GS18 | 0,0283 | ![]() | 8705 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | BZT55C27 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 Na @ 20 V | 27 v | 80 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N4129 (DO35) | - - - | ![]() | 8093 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4129 | 400 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 47.1 V. | 62 v | 500 Ohm | |||||||||||||
![]() | SR003 R1G | - - - | ![]() | 8770 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | SR003 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 MV @ 500 mA | 500 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 500 mA | 110PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
JantX1N4627D-1 | - - - | ![]() | 6446 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µa @ 5 V | 6.2 v | 1200 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | BZT52H-B2V4-QX | 0,0434 | ![]() | 1403 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,08% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BZT52H-B2V4-QXTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 µa @ 1 V | 2,4 v | 85 Ohm | |||||||||||||
![]() | JANS1N4580AUR-1 | 85.9650 | ![]() | 6631 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | JantX1N3032DUR-1 | 46.6950 | ![]() | 9037 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N3032 | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 25,1 V | 33 v | 45 Ohm | |||||||||||||
![]() | Hs2dal | 0,4600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | HS2d | Standard | Dünner SMA | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 2 a | 50 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 32pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | M1MA151WKT1 | - - - | ![]() | 8212 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | M1MA151 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ16-7-79 | - - - | ![]() | 2176 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | DDZ16 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DDZ16-7-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n5525dur-1/tr | 41.1768 | ![]() | 6302 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1n5525dur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 5 V | 6.2 v | 30 Ohm | ||||||||||||||
![]() | GBU6JL-6131E3/51 | - - - | ![]() | 4057 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU6 | Standard | GBU | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 a | 5 µa @ 600 V | 3.8 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||||
![]() | STTH15RQ06GY-TR | 1.7800 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Stth15 | Standard | D²pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-17598-1 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2.95 V @ 15 a | 50 ns | 20 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | ||||||||||
![]() | CMHZ4626 BK | - - - | ![]() | 7954 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1514-cmHz4626bk | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 100 mA | 10 µa @ 4 V. | 5.6 v | 1400 Ohm | |||||||||||||||
BZX84-C68-QR | 0,0319 | ![]() | 4572 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BZX84-C68-QRTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 47.6 V. | 68 v | 240 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus