SIC
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Dioden (166326)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
BZG05C51-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C51-M3-18 0,1089
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division BZG05C-M Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,88% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA BZG05C51 1,25 w Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 6.000 1,2 V @ 200 Ma 500 NA @ 39 V 51 v 115 Ohm
CMPZ5261B BK PBFREE Central Semiconductor Corp CMPZ5261B BK PBFREE 0,0709
RFQ
 ECAD 7493 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 CMPZ5261 350 MW SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.500 900 mv @ 10 mA 100 na @ 36 v 47 v 105 Ohm
SK24A SMC Diode Solutions SK24a 0,4000
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Smc -Diodenlösungen - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SK24 Schottky SMA (Do-214AC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 500 mV @ 2 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C. - - - 250pf @ 4V, 1 MHz
PZM4.7NB2A,115 NXP USA Inc. PZM4.7NB2A, 115 - - -
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PZM4.7 220 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 3 µa @ 1 V 4,7 v 80 Ohm
SMPZ3924B-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smpz3924b-e3/84a - - -
RFQ
 ECAD 6641 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division ESMP® Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-220aa SMPZ39 500 MW DO-220AA (SMP) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,5 V @ 200 Ma 10 µa @ 7 V. 9.1 v 4 Ohm
BZX84C16W_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C16W_R1_00001 0,1600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Bzx84 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3757-BZX84C16W_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0050 3.000 100 NA @ 11.2 V. 16 v 40 Ohm
MSRT150120D GeneSiC Semiconductor MSRT150120D 98.8155
RFQ
 ECAD 5031 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Drei -Turf MSRT150 Standard Drei -Turf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1242-MSRT150120d Ear99 8541.10.0080 40 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 1200 V 150a 1,1 V @ 150 a 10 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
JANTXV1N758C-1/TR Microchip Technology Jantxv1N758C-1/Tr 11.6508
RFQ
 ECAD 2596 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/127 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1N758C-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 1 µa @ 8 V. 10 v 17 Ohm
CLL4730A BK Central Semiconductor Corp Cll4730a Bk - - -
RFQ
 ECAD 4167 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Schüttgut Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf 1 w Melf Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0050 800 1,2 V @ 200 Ma 50 µa @ 1 V 3,9 v 9 Ohm
SZBZX84C36LT3 onsemi SZBZX84C36LT3 0,0600
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SZBZX84 250 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 25.2 V. 36 v 90 Ohm
BAT854AW-QX Nexperia USA Inc. BAT854AW-QX 0,4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Bat854 Schottky SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 40 v 200 Ma (DC) 550 mV @ 100 mA 500 NA @ 25 V. 150 ° C.
MUR1615FCT-BP Micro Commercial Co MUR1615FCT-BP 0,4950
RFQ
 ECAD 3031 0.00000000 Micro Commercial co - - - Schüttgut Lets Kaufen K. Loch To-220-3 isolierte RegisterKarte Mur1615 Standard ITO-220AB Herunterladen 353-MUR1615FCT-BP Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 16a 950 mv @ 8 a 35 ns 5 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
JANTX1N4470US Semtech Corporation Jantx1n4470us - - -
RFQ
 ECAD 7973 0.00000000 Semtech Corporation MIL-PRF-19500/406 Schüttgut Abgebrochen bei Sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung SQ-Melf - - - Herunterladen 600-Jantx1n4470us Ear99 8541.10.0050 1 50 NA @ 12,8 V. 16 v 10 Ohm
S4D04120A SMC Diode Solutions S4D04120A 2.9500
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 ECAD 764 0.00000000 Smc -Diodenlösungen - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 S4D0412 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac (to-220-2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 1655-S4D04120A Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 4 a 0 ns 20 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 4a 302pf @ 0v, 1 MHz
RS404L-F Diodes Incorporated RS404L-F - - -
RFQ
 ECAD 9822 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, RS-4L RS404 Standard RS-4L Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen RS404L-FDI Ear99 8541.10.0080 500 1 V @ 3 a 10 µa @ 400 V 4 a Einphase 400 V
1PMT4111CE3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4111CE3/TR7 0,4950
RFQ
 ECAD 2765 0.00000000 Mikrochip -technologie PowerMite® Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-216aa 13.pmt4111 1 w Do-216 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 200 Ma 50 NA @ 12.92 V. 17 v 100 Ohm
1N6025UR/TR Microchip Technology 1N6025ur/tr 3.7350
RFQ
 ECAD 8001 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 500 MW Do-213aa - - - 150-1n6025ur/tr Ear99 8541.10.0050 264 1,1 V @ 200 Ma 110 v
HER104-TP Micro Commercial Co HER104-TP - - -
RFQ
 ECAD 7133 0.00000000 Micro Commercial co - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial HER104 Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 300 V 1,1 V @ 1 a 50 ns 5 ma @ 300 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a 20pf @ 4v, 1 MHz
1N2056R Solid State Inc. 1n2056r 21.0000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Solid State Inc. - - - Kasten Aktiv Bolzenhalterung Do-205AB, Do-9, Stud Standard, Umgekehrte Polarität Do-9 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 2383-1n2056r Ear99 8541.10.0080 10 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 150 v 1,3 V @ 300 a 75 µa @ 150 V -65 ° C ~ 190 ° C. 275a - - -
VS-STPS1045BPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-STPS1045BPBF - - -
RFQ
 ECAD 8837 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Veraltet Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 STPS1045 Schottky D-Pak (to-252aa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 75 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 570 mv @ 10 a 200 µA @ 45 V -40 ° C ~ 175 ° C. 10a - - -
B360B-13-G Diodes Incorporated B360B-13-G - - -
RFQ
 ECAD 4489 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB B360 Schottky SMB - - - 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 700 mv @ 3 a 500 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 200pf @ 4v, 1 MHz
KBU6D-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBU6D-E4/51 2.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Aktiv -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, KBU KBU6 Standard KBU Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 6 a 5 µa @ 200 V. 6 a Einphase 200 v
MBRB1045CTS Yangjie Technology MBRB1045CTS 0,2710
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Schottky To-263 - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-MBRB1045CTSSTR Ear99 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 650 mv @ 5 a 200 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a - - -
1N4730UR-1/TR Microchip Technology 1N4730ur-1/tr 3.6200
RFQ
 ECAD 4375 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1 w Do-213AB (Melf, LL41) - - - Ear99 8541.10.0050 272 1,2 V @ 200 Ma 50 µa @ 1 V 3,9 v 9 Ohm
JANTXV1N6942UTK3CS Microchip Technology JantXV1N6942UTK3CS - - -
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Thinkey ™ 3 SIC (Silicon Carbide) Schottky Thinkey ™ 3 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 460 mv @ 50 a 5 ma @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C. 150a 7000pf @ 5v, 1 MHz
1N5276B-1 Microchip Technology 1N5276B-1 2.7664
RFQ
 ECAD 7306 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n5276b-1 Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 200 Ma 100 na @ 114 v 150 v 1500 Ohm
R7201806XXOO Powerex Inc. R7201806XXOO - - -
RFQ
 ECAD 6448 0.00000000 Powerex Inc. - - - Schüttgut Aktiv Klemmen Do-200ab, B-Puk R7201806 Standard Do-200ab, B-Puk Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1800 v 2,15 V @ 1500 a 7 µs 50 mA @ 1800 V 600a - - -
1N5241C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5241C-TAP 0,0288
RFQ
 ECAD 5545 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Box (TB) Aktiv ± 2% 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5241 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 30.000 1,1 V @ 200 Ma 2 µa @ 8,4 V 11 v 22 Ohm
1N4936GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4936GHB0G - - -
RFQ
 ECAD 4248 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4936 Standard DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,2 V @ 1 a 200 ns 5 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4v, 1 MHz
SMZG3788B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZG3788B-E3/52 0,2511
RFQ
 ECAD 5192 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung DO-215AA, SMB Möwenflügel SMZG3788 1,5 w SMBG (Do-215AA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 750 50 µa @ 7 V 9.1 v 4 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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