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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR10U45L-TP | 0,8600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | MBR10 | Schottky | To-277-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 470 mv @ 10 a | 500 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||
![]() | EGP10B-TP | - - - | ![]() | 4824 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | EGP10B | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||
![]() | SMBJ5955A/TR13 | - - - | ![]() | 7205 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5955 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 136,8 V. | 180 v | 900 Ohm | |||||||||||||
![]() | JantX1N944B-1/Tr | - - - | ![]() | 6045 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/157 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-JantX1N944B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 V | 11.7 v | 30 Ohm | |||||||||||||||
![]() | STTA6006TV2 | - - - | ![]() | 4155 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | TurboSwitch ™ | Rohr | Veraltet | Chassis -berg | Isotop | STTA600 | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 600 V | 30a | 1,75 V @ 30 a | 65 ns | 150 µa @ 480 V | 150 ° C (max) | |||||||||||
![]() | SS6P4CHM3_A/H. | 0,2242 | ![]() | 1121 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | SS6P4 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 3a | 650 mv @ 3 a | 200 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | S1J_R1_00001 | 0,2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S1J | Standard | SMB (Do-214AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-s1j_r1_00001dkr | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 1 a | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | 1 PMT5931/TR7 | 2.2200 | ![]() | 4515 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5931 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 13,7 V | 18 v | 12 Ohm | |||||||||||||
![]() | Maz8120gml | - - - | ![]() | 2494 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Maz812 | 150 MW | Smini2-F3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 mA | 50 na @ 9 v | 12 v | 30 Ohm | |||||||||||||||
Me01ea06-te12l | 0,4200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Kyocera avx | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Me01 | Schottky | SOD-128 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 580 mv @ 1 a | 100 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||
![]() | R6201640xxoo | - - - | ![]() | 1681 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Klemmen | DO-200AA, A-Puk | R6201640 | Standard | DO-200AA, R62 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,5 V @ 800 a | 9 µs | 50 mA @ 1600 V | 400a | - - - | |||||||||||||
1SMA5933 | 0,0935 | ![]() | 7151 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA5933 | 1,5 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 500 NA @ 16.7 V. | 22 v | 17,5 Ohm | |||||||||||||||
![]() | STPSC4H065DI | 2.7600 | ![]() | 4949 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 isoliert, to-220ac | STPSC4 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac Ins | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 1,75 V @ 4 a | 40 µa @ 650 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - - - | ||||||||||||
![]() | SMBJ5931B/TR13 | 1.5600 | ![]() | 1340 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5931 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 13,7 V | 18 v | 12 Ohm | |||||||||||||
![]() | CDBM220-G | - - - | ![]() | 1687 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOD-123T | Schottky | Mini SMA/SOD-123 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | 160pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | SCNA05 | - - - | ![]() | 2092 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Modul | SCNA05 | - - - | - - - | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | - - - | 50 v | 7.5a | 1,1 V @ 3 a | 150 ns | 1 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | BAV21W-TP | 0,1400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BAV21 | Standard | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 200 v | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | GBPC1504 | - - - | ![]() | 3853 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | GBPC1504 | Standard | GBPC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBPC1504DI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 a | 10 µa @ 400 V | 15 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||
![]() | Rd4.7e-t2-Az | 0,0500 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TSP10H45s | 1.2100 | ![]() | 89 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | TSP10 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 570 mv @ 10 a | 150 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||
![]() | SDT20A120CTFP | 0,6414 | ![]() | 3750 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SDT20 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 120 v | 10a | 790 mv @ 10 a | 100 µA @ 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | VS-10ETF02STRR-M3 | 0,9834 | ![]() | 4134 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 10tf02 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,2 V @ 10 a | 200 ns | 100 µA @ 200 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||
![]() | 1SMB5941 | 0,1467 | ![]() | 2165 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1SMB5941 | 3 w | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 35,8 V. | 47 v | 67 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 1 PMT5947E3/TR13 | 0,7350 | ![]() | 5654 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5947 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 62,2 V. | 82 v | 160 Ohm | |||||||||||||
SK36AHR3G | - - - | ![]() | 3970 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SK36 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 720 mv @ 3 a | 200 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||
CDLL4479 | 11.3550 | ![]() | 2092 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL4479 | 1,5 w | Do-213ab | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 31.2 V. | 39 v | 30 Ohm | ||||||||||||||
MUR420-M3/73 | - - - | ![]() | 5592 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Mur420 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 890 mv @ 4 a | 35 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - - - | ||||||||||||
![]() | R3480 | 66.3300 | ![]() | 1161 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | R34 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | R3480 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,15 V @ 90 a | 10 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 45a | - - - | |||||||||||||
![]() | Gr1k | 0,0300 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-Gr1Ktr | Ear99 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||
SF65-AP | - - - | ![]() | 5952 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | SF65 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,3 V @ 6 a | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 6a | 60pf @ 4v, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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