SIC
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Dioden (166326)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
VSKY10401406-G4-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKY10401406-G4-08 0,4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 0502 (1406 Metrik) Vsky10401406 Schottky CLP1406-2L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 490 mv @ 1 a 100 µa @ 40 V 150 ° C (max) 1a 225PF @ 0V, 1MHz
DB107-G Comchip Technology DB107-G 0,6200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Comchip -technologie - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-EDIP (0,321 ", 8,15 mm) DB107 Standard Db Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1 a 10 µa @ 1000 V 1 a Einphase 1 kv
JANTX1N6627U/TR Microchip Technology JantX1N6627U/Tr 18.2700
RFQ
 ECAD 4043 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/590 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SQ-Melf, e Standard D-5b - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-JantX1N6627U/Tr Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,35 V @ 2 a 30 ns 2 µa @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1.75a - - -
BZT52C27W YAGEO BZT52C27W 0,3500
RFQ
 ECAD 2902 0.00000000 Yageo BZT52CXXW Band & Rollen (TR) Aktiv ± 7,04% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123F 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 Na @ 18,9 V. 27 v 80 Ohm
BZD27C4V3P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C4V3P-E3-08 0,4100
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division BZD27C Band & Rollen (TR) Aktiv - - - -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-219AB BZD27C4V3 800 MW Do-219AB (SMF) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 25 µa @ 1 V 4.3 v 7 Ohm
BZX84C33-7-F Diodes Incorporated BZX84C33-7-F 0,1900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 23.1 V. 33 v 80 Ohm
MBRS1590CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1590CT MNG - - -
RFQ
 ECAD 3155 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MBRS1590 Schottky To-263ab (d²pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 90 v 15a 920 MV @ 7,5 a 100 µa @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N4962 Semtech Corporation 1N4962 - - -
RFQ
 ECAD 3349 0.00000000 Semtech Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Axial 1N4962 5 w Axial Herunterladen Nicht Anwendbar 1N4962s Ear99 8541.10.0050 1 5 µa @ 11,4 V 15 v 3,5 Ohm
CDS5525BUR-1/TR Microchip Technology CDS5525BUR-1/Tr - - -
RFQ
 ECAD 8085 0.00000000 Mikrochip -technologie * Band & Rollen (TR) Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-CDS5525BUR-1/Tr Ear99 8541.10.0050 50
JAN1N6638U/TR Microchip Technology Jan1N6638U/Tr 5.9584
RFQ
 ECAD 8922 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/578 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SQ-Melf, e Standard D-5b - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jan1N6638U/Tr Ear99 8541.10.0070 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 150 v 1,1 V @ 200 Ma 20 ns 500 NA @ 150 V -65 ° C ~ 175 ° C. 300 ma 2.5PF @ 0V, 1 MHz
1N3620 Microchip Technology 1N3620 44.1600
RFQ
 ECAD 9228 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv Bolzenhalterung DO-203AA, DO-4, Stud Standard DO-203AA (DO-4) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n3620 Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,1 V @ 30 a 10 µa @ 400 V -65 ° C ~ 200 ° C. 25a - - -
SS16HL-TP Micro Commercial Co SS16HL-TP 0,3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micro Commercial co Ss Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F SS16 Schottky SOD-323HL Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 700 mv @ 1 a 200 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 40pf @ 4v, 1 MHz
IDT10S60C Infineon Technologies IDT10S60C 3.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien Thinq! ™ Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-2 SIC (Silicon Carbide) Schottky PG-to220-2-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 600 V 1,7 V @ 10 a 0 ns 140 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a (DC) 480pf @ 1V, 1 MHz
S3D Diodes Incorporated S3d - - -
RFQ
 ECAD 1396 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC Standard SMC Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-s3d Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,15 V @ 3 a 2 µs 10 µA @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 3a 40pf @ 4v, 1 MHz
MMSZ5239B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5239B-E3-18 0,0360
RFQ
 ECAD 1136 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ5239 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 3 µa @ 7 V. 9.1 v 10 Ohm
TSOD1F2HM RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSOD1F2HM RVG - - -
RFQ
 ECAD 4738 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123F TSOD1 Standard SOD-123FL Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 4PF @ 4V, 1 MHz
1N5372B Microsemi Corporation 1N5372B - - -
RFQ
 ECAD 8715 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch T-18, axial 1N5372 5 w T-18 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 1 a 500 NA @ 44.6 V. 62 v 42 Ohm
CN5179 BK Central Semiconductor Corp CN5179 bk - - -
RFQ
 ECAD 3904 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-204AH, Do-35, axial Standard Do-35 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 2.500 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 20 v 3,7 V @ 100 mA 10 µa @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C. - - - - - -
ES1LD R3G Taiwan Semiconductor Corporation Es1ld R3g - - -
RFQ
 ECAD 4544 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Es1l Standard Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 950 mv @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 16PF @ 4V, 1 MHz
US2KB-HF Comchip Technology US2KB-HF 0,1035
RFQ
 ECAD 8812 0.00000000 Comchip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB US2K Standard SMB/DO-214AA - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 641-us2kb-hftr Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,65 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 20pf @ 4v, 1 MHz
2EZ7.5D5 Microchip Technology 2ez7.5d5 1.3463
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 2EZ7.5 2 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 4.000 1,2 V @ 200 Ma 5 µa @ 5 V 7,5 v 2 Ohm
SBR20A150CT Diodes Incorporated SBR20A150CT 1.0700
RFQ
 ECAD 1102 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 SBR20 Superbarriere To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen SBR20A150CTDI Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 10a 820 mv @ 10 a 100 µA @ 150 V -65 ° C ~ 175 ° C.
KYZ25K6 Diotec Semiconductor KYZ25K6 1.9075
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 DITEC -halbleiter - - - Kasten Aktiv K. Loch Do-208aa Standard Do-208 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar 2796-kyz25k6 8541.10.0000 500 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,1 V @ 25 a 1,5 µs 100 µA @ 600 V -50 ° C ~ 175 ° C. 25a - - -
VS-8ETX06-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETX06-1-M3 0,5277
RFQ
 ECAD 3930 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Fred Pt® Rohr Aktiv K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa 8ETX06 Standard To-262aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 3 V @ 8 a 24 ns 50 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 8a - - -
MURS1560A-BP Micro Commercial Co MURS1560A-BP 1.1300
RFQ
 ECAD 7118 0.00000000 Micro Commercial co - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 Murs1560 Standard To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,6 V @ 15 a 95 ns 5 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 15a 100pf @ 4v, 1 MHz
1N4004GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4004GHA0G - - -
RFQ
 ECAD 5701 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Band & Box (TB) Aktiv K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4004 Standard DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1 V @ 1 a 5 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4v, 1 MHz
BZD17C11P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P RQG - - -
RFQ
 ECAD 8889 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-219AB BZD17 800 MW Sub SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 Ma 4 µa @ 8,2 V 11 v 7 Ohm
GSBAS21C Good-Ark Semiconductor GSBAS21C 0,2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Guten Halbler - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Standard SOT-223 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 200 ma 1,25 V @ 200 Ma 50 ns 100 Na @ 200 V. 150 ° C.
SS15LHRHG Taiwan Semiconductor Corporation SS15LHRHG - - -
RFQ
 ECAD 5034 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-219AB SS15 Schottky Sub SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 700 mv @ 1 a 400 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a - - -
NZX6V2E,133 Nexperia USA Inc. NZX6V2E, 133 0,0263
RFQ
 ECAD 1040 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX Band & Box (TB) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial NZX6V2 500 MW ALF2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934062036133 Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 200 Ma 3 µa @ 4 V. 6.45 V. 15 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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