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Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VB30100SG-M3/4W | 0,7775 |  | 2830 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | VB30100 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 30 a | 350 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - - - | ||||||||||||
 | MBR20H100CTGHE3/45 | - - - | | 6493 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | MBR20 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 850 mV @ 10 a | 3,5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||
 | 1N4624ur | 3.3000 | | 2684 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4624 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3 V | 4,7 v | 1550 Ohm | |||||||||||||
 | Irkc91/08a | - - - | | 9540 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Add-a-Pak (3) | Irkc91 | Standard | Add-a-Pak® | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 800 V | 100a | 10 mA @ 800 V | ||||||||||||||
 | STPS3H100UFN | 0,4100 | | 8408 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | ECOPACK®2 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-221aa, SMB Flat Leads | STPS3 | Schottky | Smbflat | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 760 mv @ 3 a | 1,5 mA @ 100 v | -40 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||
 | MMBZ5246C-HE3-18 | - - - | | 3743 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5246 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 12 V. | 16 v | 17 Ohm | ||||||||||||||
| DZ2704300L | - - - | | 6775 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | DZ27043 | 120 MW | SSSMINI2-F4-B | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 mA | 10 µa @ 1 V | 4.31 V | 130 Ohm | ||||||||||||||
| JantX1N749DUR-1 | 15.0750 | | 8123 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N749 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 1 V | 4.3 v | 22 Ohm | |||||||||||||
 | AM01AV1 | - - - | | 6777 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | Axial | AM01 | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 980 mv @ 1 a | 10 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||
 | SRA252GP-TP | - - - | | 2655 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sra | SRA252 | Standard | Sra | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 25 a | 25 µa @ 100 V | - - - | 25a | 300PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
| AK 04WK | - - - | | 5955 | 0.00000000 | Sanken Electric USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Axial | AK 04 | Schottky | Axial | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 5 ma @ 40 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||
 | 1N2986B | 6.0000 | | 100 | 0.00000000 | Naina Semiconductor Ltd. | - - - | Kasten | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N2986 | 10 w | Do-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 3489-1n2986b | Ear99 | 8541.10.0050 | 25 | 10 µA @ 18,2 V. | 24 v | 5 Ohm | |||||||||||||
 | SR310 B0G | - - - | | 4532 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Do-201ad, axial | SR310 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 mv @ 3 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||
 | Mur315SHR7G | - - - | | 4737 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Mur315 | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 875 mv @ 3 a | 25 ns | 5 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||
 | SS25HM4G | - - - | | 8983 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SS25 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 400 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||
 | 1N3310B | 8.0000 | | 100 | 0.00000000 | Naina Semiconductor Ltd. | - - - | Kasten | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3310 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 3489-1n3310b | Ear99 | 8541.10.0050 | 25 | 10 µa @ 8,4 V | 11 v | 0,8 Ohm | |||||||||||||
 | RS1DLHMHG | - - - | | 1558 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | RS1D | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
| 1N3340B | 8.0000 | | 100 | 0.00000000 | Naina Semiconductor Ltd. | - - - | Kasten | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 3489-1n3340b | Ear99 | 8541.10.0050 | 25 | 10 µa @ 76 V | 100 v | 20 Ohm | ||||||||||||||
| NDD162N160 | - - - | | 2365 | 0.00000000 | Naina Semiconductor Ltd. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Modul | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 3489-NDD162N160 | Ear99 | 8541.10.0080 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1600 v | 195a | 1,5 V @ 195 a | 8 ma @ 1,6 kv | -40 ° C ~ 135 ° C. | ||||||||||||||
| Scas15ff | - - - | | 3514 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 -rektangle | SCAS15 | Standard | - - - | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 970 mv @ 30 a | 120 µa @ 150 V | 18 a | Einphase | 150 v | ||||||||||||||
 | CZRT5227B-HF | 0,0620 | | 6057 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | CZRT5227 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CZRT5227B-HFTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 15 µa @ 1 V | 3.6 V | 24 Ohm | |||||||||||||
| SMBG5352BE3/TR13 | 1.1400 | | 9442 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5352 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 1 µA @ 10,8 V. | 15 v | 2,5 Ohm | |||||||||||||
| MD120C16D1N | 20.4720 | | 1 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Modul | Standard | D1n | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-MD120C16D1N | Ear99 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1600 v | 120a | 1,35 V @ 300 a | 6 mA @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
| V20100R-E3/4W | - - - | | 3635 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | V20100 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 900 mv @ 10 a | 150 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
| KBU6005-G | - - - | | 4078 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBU | Standard | KBU | - - - | 641-KBU6005-G | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 3 a | 10 µa @ 50 V | 6 a | Einphase | 50 v | ||||||||||||||||
 | UFZVTE-176.8B | 0,3000 | | 1121 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | UFZVTE | 500 MW | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µa @ 3,5 V | 6,8 v | 8 Ohm | ||||||||||||||
 | MMSZ5240B-E3-08 | 0,2700 | | 20 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5240 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µa @ 8 V | 10 v | 17 Ohm | ||||||||||||||
 | DDZ9717-7 | 0,0630 | | 6111 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ9717 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 32.6 V. | 43 v | ||||||||||||||
 | BAS70W-QX | 0,0588 | | 7792 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-Bas70W-QXTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 1 V @ 15 mA | 10 µa @ 70 V | 150 ° C. | 70 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||
 | BZD27B43P-E3-08 | 0,1155 | | 8319 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27B | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27B43 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 33 V | 43 v | 45 Ohm |
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