- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N3313RB | 49.3800 |  | 1164 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3313 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 11,4 V | 14 v | 1,2 Ohm | |||||||||||
 | CDS5532B-1 | - - - | | 1495 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5532B-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||
| RB886YGT2R | - - - | | 5903 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75-4, SOT-543 | Schottky | EMD4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RB886YGT2RTR | Veraltet | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 15 v | 10 Ma (DC) | 350 mv @ 1 mA | 120 µa @ 5 V | 125 ° C (max) | |||||||||||
 | 2EZ22D10/TR12 | - - - | | 3299 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 2EZ22 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 16.7 V. | 22 v | 12 Ohm | |||||||||||
 | JANS1N4991CUS | 277.2150 | | 8996 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 182 V | 240 V | 650 Ohm | |||||||||||||
 | Jantxv1n4978cus | 40.8900 | | 1084 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4978cus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 51,7 V | 68 v | 50 Ohm | |||||||||||||
 | 1N5529B-1/Tr | 1.9950 | | 5626 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5529b-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 477 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 NA @ 8.2 V. | 9.1 v | 45 Ohm | |||||||||||||
 | CDLL4732/Tr | 2.3408 | | 8324 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4732/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 1 V | 4,7 v | 8 Ohm | |||||||||||||
 | TZM5242C-GS08 | - - - | | 5691 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5242 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 30 Ohm | |||||||||||
 | GR3MB | 0,3300 | | 2 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 3 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||
| CPD96V-CMLSH05-4-CT | - - - | | 7261 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | Schottky | Sterben | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1514-CPD96V-CMLSH05-4-CT | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 470 mv @ 500 mA | 100 µa @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | 50pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||
| SMBG5375BE3/TR13 | 1.1400 | | 3489 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5375 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 59 V | 82 v | 65 Ohm | |||||||||||
 | 2M180ZHB0G | - - - | | 1655 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 2m180 | 2 w | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 NA @ 136,8 V. | 180 v | 725 Ohm | ||||||||||||
 | 1N5248BUR-1E3/Tr | 2.8728 | | 7254 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5248bur-1e3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 Ohm | ||||||||||||
 | Jantxv1n4483dus | 56.4150 | | 4098 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4483dus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 44.8 V. | 56 v | 70 Ohm | |||||||||||||
| 1N5948AP/TR12 | - - - | | 9021 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5948 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 69.2 V. | 91 V | 200 Ohm | |||||||||||
| JantXV1N4103D-1 | 28.9500 | | 9826 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4103 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 7 V. | 9.1 v | 200 Ohm | |||||||||||
 | S3ga_r1_00001 | 0,0783 | | 7496 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S3ga | Standard | SMB (Do-214AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 60.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 3 a | 1 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 35PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | ES3DHM3_A/H | 0,2673 | | 4821 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Es3d | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-ES3DHM3_A/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 900 mv @ 3 a | 30 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||
| Jantxv1n989c-1 | - - - | | 5143 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,3 V @ 200 Ma | 500 na @ 114 v | 150 v | 1500 Ohm | |||||||||||||
 | 1PGSMC5353 V7G | - - - | | 8162 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 w | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-1pgsmc5353v7gtr | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 12,2 V. | 16 v | 3 Ohm | |||||||||||
| SFS1005G | 0,6044 | | 8074 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SFS1005 | Standard | To-263ab (D2pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SFS1005GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 300 V | 10a | 1,3 V @ 5 a | 35 ns | 1 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
| XBS013R1DR-G | - - - | | 8963 | 0.00000000 | Torex Semiconductor Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 0201 (0603 Metrik) | Schottky | 2-usp-B01 (0,6 x 0,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 460 mv @ 10 mA | 300 na @ 10 v | 150 ° C. | 100 ma | - - - | |||||||||||
| 1N827E3 | 10.4850 | | 7022 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n827e3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 15 Ohm | ||||||||||||||
 | AZ23C9V1Q | 0,0460 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-AZ23C9V1QTR | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
| Tpmr6jh | 0,2979 | | 7321 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Tpmr6 | Standard | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TPMR6JHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1 V @ 6 a | 60 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 60pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | 1N1344B | 1.9500 | | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n1344b | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 30 a | 10 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - - - | ||||||||||
 | SB245-TP | 0,0678 | | 4302 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | SB245 | Schottky | Do-15 | Herunterladen | 353-SB245-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 170pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
 | BZT55C33 | 0,0350 | | 6426 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | 500 MW | Qmmelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT55C33TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 24 V. | 33 v | 80 Ohm | ||||||||||||
 | 1n5259b | 0,1200 | | 2 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | ± 0,5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | - - - | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-1n5259b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100 na @ 30 v | 39 v | 80 Ohm |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)