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Dioden (166326)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZT52-B16,115 | 1.0000 |  | 2291 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZT52 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | 1N5232B | 0,0300 | | 37 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | 500 MW | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 11.539 | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 11 Ohm | ||||||||||||||||||||
 | MBRB41H100CT-1G | 1.0800 | | 1 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 279 | |||||||||||||||||||||||||
 | DF01S1 | 0,1900 | | 10 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Standard | 4-sdip | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.700 | 1,1 V @ 1 a | 3 µa @ 100 V. | 1 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||
 | PMEG3005EJ, 115 | 0,0500 | | 430 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMEG3005 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C2V4135 | - - - | | 1614 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| PDZ36BGW115 | - - - | | 1414 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| BZT52-C68,115 | - - - | | 6421 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZT52 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | 1N5247BTR | 0,0200 | | 4891 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 na @ 13 v | 17 v | 19 Ohm | |||||||||||||||
| 1n5251b | 0,0300 | | 163 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | - - - | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 11.539 | 900 MV @ 200 Ma | 100 na @ 17 v | 22 v | 29 Ohm | |||||||||||||||
 | GBPC1202W | 3.3700 | | 3 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, gbpc-w | Standard | Gbpc-w | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 90 | 1,1 V @ 6 a | 5 µa @ 200 V. | 12 a | Einphase | 200 v | |||||||||||||||
 | BZX85C16RL | 1.0000 | | 1528 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | GBPC2504W | - - - | | 1994 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, gbpc-w | Standard | Gbpc-w | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 12.5 a | 5 µa @ 400 V | 25 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||||||
| 1N5359BRL REEL | - - - | | 1547 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 5 w | Axial | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 18.2 V. | 24 v | 3,5 Ohm | |||||||||||||||
| BZV85-C12,133 | - - - | | 2768 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZV85 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||
| BZV55-C12 | 1.0000 | | 4800 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B7V5133 | - - - | | 8113 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C27,133 | 0,0200 | | 147 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||
 | 1N4740A, 113 | 0,0400 | | 306 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 1N47 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||
| NZX27X, 133 | 0,0200 | | 119 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||
 | BZV90-C5V1135 | - - - | | 7568 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| NZX5V6A, 133 | 0,0200 | | 1369 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX5 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||
| NZX6V8C, 133 | 0,0200 | | 48 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B43,215 | 0,0200 | | 29 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 30.1 V. | 43 v | 150 Ohm | |||||||||||||||
 | FFD04H60S | 0,5900 | | 2 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Standard | To-252, (d-pak) | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2.1 V @ 4 a | 60 ns | 100 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 4a | - - - | |||||||||||||
 | BZX84-B4V3,215 | - - - | | 7220 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C12/DG/B4215 | - - - | | 4189 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | RS3503M | 2.4800 | | 3822 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, RS-35M | Standard | RS-35M | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RS3503M | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V @ 17.5 a | 500 NA @ 200 V. | 35 a | Einphase | 200 v | ||||||||||||
| MSB207S | 0,3600 | | 4191 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, flaches blei | Standard | MSBS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-msb207str | Ear99 | 8541.10.0080 | 24.000 | 1,1 V @ 2 a | 1 µA @ 1000 V | 2 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||
 | Rs2006mls | 1.2000 | | 7868 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, RS-20ml | Standard | Rs-20ml | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RS2006ml | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1 V @ 10 a | 5 µa @ 800 V | 20 a | Einphase | 800 V |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
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