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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1SMA5922-AU_R1_000A1 | 0,4800 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA5922 | 1,5 w | SMA (Do-214AC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µa @ 6 V | 7,5 v | 3 Ohm | |||||||||||
![]() | 1N946 | 62.6250 | ![]() | 8855 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N946 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 V | 11.7 v | 30 Ohm | ||||||||||||
![]() | BZT52C2V4-13-G | - - - | ![]() | 6258 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BZT52 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZT52C2V4-13-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | BZG05C47-HM3-08 | 0,4200 | ![]() | 940 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG05C-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,38% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05C47 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 na @ 36 v | 47 v | 90 Ohm | ||||||||||
![]() | 1N6016B_T50A | - - - | ![]() | 8912 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6016 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 na @ 36 v | 47 v | 170 Ohm | |||||||||||
![]() | BZB984-C2V4,115 | 0,3200 | ![]() | 8533 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | SOT-663 | BZB984-C2V4 | 265 MW | SOT-663 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 900 mv @ 10 mA | 50 µa @ 1 V | 2,4 v | 70 Ohm | |||||||||
![]() | BZV55C4V3-TP | - - - | ![]() | 8396 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 7% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZV55C4V3 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µa @ 1 V | 4.3 v | 75 Ohm | ||||||||||
![]() | BZX79C11-T50A | 0,1700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX79C11 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 100 mA | 100 na @ 8 v | 11 v | 20 Ohm | ||||||||||
1SMA4760 R3G | - - - | ![]() | 2448 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA4760 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1 µA @ 51,7 V | 68 v | 150 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N711 | 1.9200 | ![]() | 6462 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | - - - | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N711 | 250 MW | Do-35 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 7,5 v | 5.3 Ohm | ||||||||||||
1N5227BE3 | 2.7150 | ![]() | 2184 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 15 µa @ 1 V | 3.6 V | 24 Ohm | |||||||||||||
![]() | 3EZ24D10E3/TR8 | - - - | ![]() | 2505 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 3EZ24 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 18.2 V. | 24 v | 9 Ohm | ||||||||||
Jankca1n823 | - - - | ![]() | 8504 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/159 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1n823 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 15 Ohm | |||||||||||||
![]() | BZV55B10 L0G | 0,0357 | ![]() | 4786 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZv55b | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 100 mA | 100 Na @ 7,5 V. | 10 v | 15 Ohm | ||||||||||
![]() | 1N4731a, 113 | 0,3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4731 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 1 V | 4.3 v | 9 Ohm | ||||||||||
CDll747a | 2.7450 | ![]() | 4831 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL747 | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1 V | 3.6 V | 24 Ohm | |||||||||||
![]() | DL4738A-TP | - - - | ![]() | 5751 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | DL4738 | 1 w | Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DL4738A-TPMSTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 6 V | 8.2 v | 4,5 Ohm | |||||||||
![]() | PDZ12B, 115 | 0,2100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Pdz12 | 400 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 100 na @ 9 V | 12 v | 10 Ohm | ||||||||||
![]() | 1N5247B TR PBFREE | 0,0353 | ![]() | 9142 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 13 v | 17 v | 19 Ohm | |||||||||||
1N5940B TR PBFREE | - - - | ![]() | 3055 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 32,7 V. | 43 v | 53 Ohm | ||||||||||||||
Jan1N5527C-1/Tr | 12.6749 | ![]() | 2147 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N5527C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 6.8 V. | 7,5 v | 35 Ohm | ||||||||||||
MMBZ4707-G3-08 | - - - | ![]() | 1779 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ4707 | 350 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 10 Na @ 15,2 V. | 20 v | |||||||||||||
![]() | ZM4731A-GS18 | 0,1089 | ![]() | 9538 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | ZM4731 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZM4731AGS18 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 10 µa @ 1 V | 4.3 v | 9 Ohm | ||||||||||
![]() | 1N5278B BK | - - - | ![]() | 9296 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Kasten | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 129 V | 170 v | 1900 Ohm | |||||||||||||
![]() | TZQ5245B-GS08 | 0,2300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | TZQ5245 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 11 v | 15 v | 16 Ohm | ||||||||||
![]() | Tuau4jh | 0,2565 | ![]() | 6438 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Tuau4 | Standard | SMPC4.6U | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-tuau4jhtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 4 a | 50 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 62pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
![]() | JantX1N4959d | 29.4600 | ![]() | 2423 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 1N4959 | 5 w | E, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 10 µa @ 8,4 V | 11 v | 2,5 Ohm | ||||||||||
MMBZ5226C-G3-08 | - - - | ![]() | 4525 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5226 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 25 µa @ 1 V | 3.3 v | 28 Ohm | ||||||||||||
![]() | DDZ16-7-79 | - - - | ![]() | 2176 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | DDZ16 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DDZ16-7-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5244B_D87Z | - - - | ![]() | 2254 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 10 v | 14 v | 15 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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