SIC
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Dioden (166326)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
BZV55-B22,115 NXP USA Inc. BZV55-B22,115 - - -
RFQ
 ECAD 1708 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW Llds; Minimelf Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 mA 50 na @ 15.4 v 22 v 55 Ohm
MM3Z39VB Fairchild Semiconductor MM3Z39VB 1.0000
RFQ
 ECAD 6928 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323F Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 mA 45 NA @ 27,3 V. 39 v 122 Ohm
NZX24X,133 NXP USA Inc. NZX24X, 133 0,0200
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv NZX2 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000
ACFRA103-HF Comchip Technology ACFRA103-HF 0,0958
RFQ
 ECAD 4615 0.00000000 Comchip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA ACFRA103 Standard Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 641-ACFRA103-HFTR Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 12pf @ 4v, 1 MHz
MMBZ5253A-HF Comchip Technology MMBZ5253A-HF 0,0556
RFQ
 ECAD 1134 0.00000000 Comchip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ5253 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 641-mmbz5253a-hftr Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 100 mA 100 na @ 19 V 25 v 35 Ohm
MMBZ5250A-HF Comchip Technology MMBZ5250A-HF 0,0556
RFQ
 ECAD 8183 0.00000000 Comchip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ5250 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 641-mmbz5250a-hftr Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 100 mA 100 na @ 15 V 20 v 25 Ohm
MMBZ5260A-HF Comchip Technology MMBZ5260A-HF 0,0556
RFQ
 ECAD 1704 0.00000000 Comchip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ5260 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 641-mmbz5260a-hftr Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 100 mA 100 na @ 33 v 43 v 93 Ohm
MMBZ5234A-HF Comchip Technology MMBZ5234A-HF 0,0556
RFQ
 ECAD 7815 0.00000000 Comchip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1,94% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ5234 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 641-mmbz5234a-hftr Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 100 mA 5 µa @ 4 V 6.2 v 7 Ohm
BAV99-7-F-31 Diodes Incorporated BAV99-7-F-31 - - -
RFQ
 ECAD 2962 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BAV99 Standard SOT-23-3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-BAV99-7-F-31TR Veraltet 3.000 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 75 V 300 mA (DC) 1,25 V @ 150 mA 4 ns 2,5 µa @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C.
BAV70-7-F-31 Diodes Incorporated BAV70-7-F-31 - - -
RFQ
 ECAD 9906 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BAV70 Standard SOT-23-3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-BAV70-7-F-31TR Veraltet 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Gemeinsamer Kathode 75 V 150 Ma 1,25 V @ 150 mA 4 ns 2,5 µa @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C.
BZX84C6V8-7-F-31 Diodes Incorporated BZX84C6V8-7-F-31 - - -
RFQ
 ECAD 3564 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5,88% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-BZX84C6V8-7-F-31TR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 2 µa @ 4 V. 6,8 v 15 Ohm
BZX884S-B3V0YL Nexperia USA Inc. BZX884S-B3V0YL - - -
RFQ
 ECAD 6497 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-882 BZX884S-B3V0 365 MW DFN1006BD-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 10 µa @ 1 V 3 v 95 Ohm
BZX884S-B2V7YL Nexperia USA Inc. BZX884S-B2V7YL - - -
RFQ
 ECAD 6813 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet ± 1,85% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-882 BZX884S-B2V7 365 MW DFN1006BD-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 20 µa @ 1 V 2,7 v 100 Ohm
CDST-16-HF Comchip Technology CDST-16-HF - - -
RFQ
 ECAD 7015 0.00000000 Comchip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Standard SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 641-cdst-16-Hftr Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 75 V 1,25 V @ 150 mA 6 ns 1 µa @ 75 V -40 ° C ~ 150 ° C. 150 Ma 2PF @ 0V, 1MHz
UJ3D1725K2 Qorvo UJ3D1725K2 16.1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Qorvo Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 UJ3D1725 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 2312-UJ3D1725K2 Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1700 v 1,7 V @ 25 a 0 ns 360 µa @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C. 25a 1500pf @ 1V, 1 MHz
BAT86,133 NXP USA Inc. BAT86,133 0,0800
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Do-204AG, Do-34, axial Schottky Do-34 Herunterladen Ear99 8541.10.0070 3.985 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 50 v 900 mv @ 100 mA 4 ns 5 µa @ 40 V 125 ° C (max) 200 ma 8PF @ 1V, 1 MHz
BZX84-B56,215 NXP USA Inc. BZX84-B56,215 0,0200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 39.2 V. 56 v 200 Ohm
BZX84-C15/CH,235 NXP Semiconductors BZX84-C15/CH, 235 0,0200
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1
BZV49-C56,115 NXP USA Inc. BZv49-C56,115 0,1800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-243aa 1 w SOT-89 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1.674 1 V @ 50 Ma 50 NA @ 39.2 V. 56 v 200 Ohm
FFA60UP20DNTU Fairchild Semiconductor FFA60UP20DNTU 1.1600
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 Standard To-3pn Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 30a 1,15 V @ 30 a 40 ns 10 µA @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C.
1N5223BRL onsemi 1N5223BRL 0,0200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0050 17.200
BAS28,235 NXP USA Inc. BAS28,235 0,0400
RFQ
 ECAD 746 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-253-4, to-253aa Bas28 Standard SOT-143b Herunterladen Ear99 8541.10.0070 7.713 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 75 V 215 Ma (DC) 1,25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 V 150 ° C (max)
NZX27X,133 NXP USA Inc. NZX27X, 133 0,0200
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv NZX2 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000
BZV90-C5V1135 NXP USA Inc. BZV90-C5V1135 - - -
RFQ
 ECAD 7568 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1
NZX5V6A,133 NXP USA Inc. NZX5V6A, 133 0,0200
RFQ
 ECAD 1369 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv NZX5 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000
NZX6V8C,133 NXP USA Inc. NZX6V8C, 133 0,0200
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv NZX6 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000
BZX84-C43,215 NXP USA Inc. BZX84-C43,215 0,0200
RFQ
 ECAD 720 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 30.1 V. 43 v 150 Ohm
BZB84-B24215 NXP USA Inc. BZB84-B24215 - - -
RFQ
 ECAD 9818 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1
BZV55-C4V3,115 NXP USA Inc. BZV55-C4V3,115 0,0200
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZv55 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 2.500
IN5258B Fairchild Semiconductor In5258b - - -
RFQ
 ECAD 6015 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv ± 5% K. Loch Axial Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.39.0001 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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