SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
CDLL4743 Microchip Technology CDLL4743 3.4650
RFQ
ECAD 4038 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf CDLL4743 Do-213ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 500 NA @ 9.9 V. 13 v 10 Ohm
BZX79-B62,113 NXP USA Inc. BZX79-B62,113 0,0200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 400 MW ALF2 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 mA 50 na @ 43.4 v 62 v 215 Ohm
SE30NJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE30NJ-M3/i 0,4900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 2-vdfn Standard DFN3820A Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 14.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,1 V @ 3 a 1,5 µs 10 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3a 19PF @ 4V, 1 MHz
SK36SMB-AQ Diotec Semiconductor SK36SMB-AQ 0,1940
RFQ
ECAD 4362 0.00000000 DITEC -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SK36 Schottky Do-214AA (SMB) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2796-sk36smb-Aqtr 8541.10.0000 3.000 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 700 mv @ 3 a 200 µa @ 60 V -50 ° C ~ 150 ° C. 3a - - -
CZRA4733-G Comchip Technology CZRA4733-G 0,1550
RFQ
ECAD 7665 0.00000000 Comchip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Flat Leads CZRA4733 1 w Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 2.000 1,2 V @ 200 Ma 10 µa @ 1 V 5.1 v 7 Ohm
JANHCA1N754A Microchip Technology Janhca1n754a 7.3283
RFQ
ECAD 1787 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/127 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Janhca1n754a Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 2 µa @ 4 V. 6,8 v 5 Ohm
VS-ETX1506-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETX1506-M3 1.4400
RFQ
ECAD 6290 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Fred Pt® Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 ETX1506 Standard To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VSETX1506M3 Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 3,4 V @ 15 a 20 ns 36 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a - - -
JANTXV1N5522D-1 Microchip Technology JantXV1N5522D-1 29.2200
RFQ
ECAD 9521 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/437 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5522 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 2 µa @ 2 V 4,7 v 22 Ohm
SF31GH Taiwan Semiconductor Corporation SF31GH - - -
RFQ
ECAD 3645 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch Do-201ad, axial Standard Do-201ad - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1801-SF31GHTR Ear99 8541.10.0080 1,250 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 950 mv @ 3 a 35 ns 5 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 80pf @ 4V, 1 MHz
CDLL6312/TR Microchip Technology CDLL6312/Tr 12.5951
RFQ
ECAD 4059 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf 500 MW Do-213ab - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-cdll6312/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 5 µa @ 1 V 3.3 v 24 Ohm
PDZ5.1BZ Nexperia USA Inc. Pdz5.1bz 0,2100
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 Pdz5.1 400 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 2 µa @ 1,5 V 5.2 v 250 Ohm
CR8U-08FP Central Semiconductor Corp CR8U-08FP - - -
RFQ
ECAD 1691 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 Full Pack Standard To-220FP-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,5 V @ 8 a 90 ns 10 µa @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C. 8a 50pf @ 4v, 1 MHz
TZX3V9B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX3V9B-TAP 0,0290
RFQ
ECAD 1982 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, TZX Band & Box (TB) Aktiv - - - -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial TZX3V9 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 30.000 1,5 V @ 200 Ma 5 µa @ 1 V 3,9 v 100 Ohm
1N5956BUR-1/TR Microchip Technology 1N5956BUR-1/Tr 7.7200
RFQ
ECAD 4496 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1,25 w Do-213AB (Melf, LL41) - - - Ear99 8541.10.0050 125 1,2 V @ 200 Ma 1 µa @ 152 V 200 v 1200 Ohm
1N3048B-1/TR Microchip Technology 1N3048B-1/Tr 7.4214
RFQ
ECAD 3755 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115N Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-13 1n3048 1 w DO-13 (DO-202AA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n3048b-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 200 Ma 10 µa @ 114 V 150 v 1000 Ohm
AZ23B16-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B16-HE3_A-08 - - -
RFQ
ECAD 7971 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101, AZ23 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23-3 Herunterladen 112-AZ23B16-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 1 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 50 NA @ 11.2 V. 16 v 40 Ohm
XBF10A60S-G Torex Semiconductor Ltd XBF10A60S-G - - -
RFQ
ECAD 8890 0.00000000 Torex Semiconductor Ltd - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung Do-221AC, SMA Flat Leads XBF10A60 Standard Smaf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,7 V @ 1 a 35 ns 1 µa @ 600 V 150 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
HZU6.8B3TRF-E Renesas Electronics America Inc Hzu6.8b3trf-e 0,1200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 3.000
SS23LHMQG Taiwan Semiconductor Corporation SS23LHMQG - - -
RFQ
ECAD 6408 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-219AB SS23 Schottky Sub SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10.000 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a - - -
JAN1N4473US Microchip Technology Jan1N4473us 10.4550
RFQ
ECAD 4887 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/406 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung SQ-Melf, a 1N4473 1,5 w D-5a Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 50 NA @ 17.6 V. 22 v 14 Ohm
SK26_R1_00001 Panjit International Inc. SK26_R1_00001 0,4200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SK26 Schottky SMB (Do-214AA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 800 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 700 mv @ 2 a 90 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a - - -
CDLL963BE3 Microchip Technology CDLL963BE3 3.9600
RFQ
ECAD 6204 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213aa 500 MW Do-213aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-cdll963be3 Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 1 µa @ 9,1 V 12 v 11,5 Ohm
BAV70/S911R Nexperia USA Inc. BAV70/S911R 0,0200
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BAV70 Standard SOT-23-3 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0070 1 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 215 Ma (DC) 1,25 V @ 150 mA 4 ns 500 na @ 80 V 150 ° C (max)
GBJ3506 Yangjie Technology GBJ3506 0,5100
RFQ
ECAD 75 0.00000000 Yangjie -technologie Gbj Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C. K. Loch 4-SIP, GBJ Standard Gbj - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-GBJ3506 Ear99 750 1,05 V @ 17.5 a 10 µa @ 600 V 35 a Einphase 600 V
CZRL5241B-G Comchip Technology CZRL5241B-G - - -
RFQ
ECAD 1802 0.00000000 Comchip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% - - - Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 CZRL5241 500 MW SOD-80 Minimelf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 2.500 1,25 V @ 200 Ma 2 µa @ 8,4 V 11 v 22 Ohm
1N719A Microchip Technology 1N719a 1.9200
RFQ
ECAD 8335 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N719 250 MW Do-35 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 50 NA @ 12,2 V. 16 v 15 Ohm
1N4624C-1/TR Microchip Technology 1N4624C-1/Tr 5.4450
RFQ
ECAD 1237 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-1n4624c-1/tr Ear99 8541.10.0050 174 1,1 V @ 200 Ma 5 µa @ 3 V 4,7 v 1550 Ohm
TZM5253F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5253F-GS18 - - -
RFQ
ECAD 8991 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet - - - 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5253 500 MW SOD-80 Minimelf - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 Ma 100 na @ 19 V 25 v 600 Ohm
GS1J SMC Diode Solutions GS1J 0,0275
RFQ
ECAD 2270 0.00000000 Smc -Diodenlösungen - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA GS1 Standard SMA (Do-214AC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen GS1JSMC Ear99 8541.10.0080 5.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,1 V @ 1 a 2,5 µs 5 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
JANTXV1N3038CUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n3038cur-1/Tr 41.0438
RFQ
ECAD 7244 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) 1 w Do-213AB (Melf, LL41) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1n3038cur-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 10 µA @ 42,6 V. 56 v 110 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus