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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | LL4448 L1G | 0,2000 | ![]() | 65 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | LL4448 | Standard | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1 V @ 100 mA | 54 ns | 5 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||
![]() | MBR10100H | 0,7983 | ![]() | 6344 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | MBR1010 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 mV @ 10 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||
![]() | MBR10H200CT | 0,5148 | ![]() | 4451 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | MBR10 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 10a | 970 mv @ 10 a | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
![]() | MBR20150CT | 1.3600 | ![]() | 113 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | MBR20150 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 20a | 1,23 V @ 20 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | MBRF10100CT | 1.0500 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF10100 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 950 mv @ 10 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | MBRF10200CT | 1.1300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF1020 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 10a | 980 mv @ 10 a | 100 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | MBRF1060CT | 1.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF106 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 10a | 900 mv @ 10 a | 100 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | MBRF20150CT | 1.3600 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF20150 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 20a | 1,05 V @ 20 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | MBRF2080CT | 0,5661 | ![]() | 3565 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Mbrf2080 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 20a | 1 V @ 20 a | 100 µa @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | MBRS20H100CT | 1.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRS20 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 20a | 950 mV @ 20 a | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
![]() | MBS10 | 0,5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-Besop (0,173 ", 4,40 mm Breit) | MBS10 | Standard | MBS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V @ 1,5 a | 5 µA @ 1000 V | 800 mA | Einphase | 1 kv | ||||||||||||
![]() | MBS6 | 0,5000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-Besop (0,173 ", 4,40 mm Breit) | MBS6 | Standard | MBS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V @ 2 a | 5 µa @ 600 V | 800 mA | Einphase | 600 V | ||||||||||||
![]() | MMSZ5248B RHG | 0,2800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | MMSZ5248 | 500 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 Ohm | |||||||||||||
![]() | MUR160S R5G | 0,6300 | ![]() | 148 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Mur160 | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 1 a | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||
![]() | Mur340SB R5g | 1.1500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Mur340 | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,25 V @ 3 a | 50 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 40pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | MUR360S R7G | - - - | ![]() | 1048 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Mur360 | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 3 a | 50 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||
![]() | MUR360SB R5G | 1.0500 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Mur360 | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 3 a | 50 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 40pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | MUR420 A0G | 0,8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Mur420 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 890 mv @ 4 a | 25 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 65PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | Mur860 | 1.8400 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Mur860 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 8 a | 50 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||
Rmb2sh | 0,7100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-269aa, 4-Besop | RMB2 | Standard | To-269aa (MBS) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V @ 400 mA | 5 µa @ 200 V. | 800 mA | Einphase | 200 v | |||||||||||||
RS1DLW RVG | 0,4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | RS1D | Standard | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||
RS1DLWHRVG | 0,4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | RS1D | Standard | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||
Rs1glw | 0,3900 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | RS1G | Standard | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||
RS1JL R3G | 0,4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | RS1J | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 800 mA | 250 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
RS1JLSHRVG | 0,0909 | ![]() | 4631 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123H | RS1J | Standard | SOD-123HE | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1,2 a | 300 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | - - - | |||||||||||
RS1KL RVG | 0,4500 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | RS1K | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 800 mA | 500 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
RS1KLSHRVG | 0,0909 | ![]() | 1084 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123H | RS1K | Standard | SOD-123HE | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 1,2 a | 300 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | - - - | |||||||||||
RS1MLSHRVG | 0,0909 | ![]() | 4082 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123H | RS1M | Standard | SOD-123HE | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 1,2 a | 300 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | - - - | |||||||||||
RS1MLW | 0,4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | RS1M | Standard | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||
RS2AAHR3G | - - - | ![]() | 2950 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RS2A | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 1,5 a | 150 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 50pf @ 4v, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus