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Dioden (14739)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TS10P06GHD2G | - - - |  | 7909 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, TS-6P | TS10P06 | Standard | TS-6P | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 10 a | 10 µa @ 1000 V | 10 a | Einphase | 800 V | |||||||||||||
 | BZX584B11 RKG | - - - | | 3346 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 11 v | 20 Ohm | |||||||||||||
 | BZX55C3V0 A0G | - - - | | 3330 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1 V @ 100 mA | 4 µa @ 1 V | 3 v | 85 Ohm | |||||||||||||
 | 1PGSMC5354 M6G | - - - | | 5172 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 w | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-1pGSMC5354M6GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 NA @ 12,9 V. | 17 v | 3 Ohm | |||||||||||||
 | BZT52C5v6 | 0,0412 | | 8385 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT52C5v6tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V @ 10 mA | 900 NA @ 2 V. | 5.6 v | 40 Ohm | |||||||||||||
 | BZD27C9V1P RTG | - - - | | 5298 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6,07% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 5 V | 9.05 v | 4 Ohm | |||||||||||||
| BZD17C51P Teppich | - - - | | 9720 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 39 V | 51 v | 60 Ohm | |||||||||||||
 | HER3L05GH | 0,2535 | | 9080 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-HER3L05GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,32 V @ 3 a | 50 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 54PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| TSSD10L100SW | 0,8453 | | 2905 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TSSD10 | Schottky | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSSD10L100SWTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 800 mV @ 10 a | 50 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 540PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| BZT52C3V6K RKG | 0,0474 | | 2998 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 1 V | 3.6 V | 90 Ohm | ||||||||||||||
 | RS1MFSH | 0,0603 | | 8970 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | RS1M | Standard | SOD-128 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 7pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
 | BZV55C11 L1G | - - - | | 6379 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZV55C | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 mA | 100 NA @ 8.2 V. | 11 v | 20 Ohm | |||||||||||||
 | BAV19WS-G | 0,0334 | | 4033 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BAV19 | Standard | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BAV19WS-GTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 100 v | 1,25 V @ 100 mA | 50 ns | 100 na @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
 | BZX85C12 R0G | 0,0645 | | 2393 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 10 mA | 500 NA @ 9.1 V. | 12 v | 9 Ohm | |||||||||||||
| BZD17C27P RVG | 0,2625 | | 3070 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7,03% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 20 V | 27 v | 15 Ohm | |||||||||||||
 | BZV55B3V6 | 0,0357 | | 4368 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZv55b | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZv55b3v6tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 100 mA | 2 µa @ 1 V | 3.6 V | 85 Ohm | |||||||||||||
| BAW56 | 0,0342 | | 5425 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAW56 | Standard | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BAW56TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 70 V | 200 ma | 1,25 V @ 150 mA | 6 ns | 2,5 µa @ 70 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
| PE2DBH | 0,4200 | | 1915 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Pe2d | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 900 mv @ 2 a | 20 ns | 2 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
 | MBRAD15150H | 1.0200 | | 2868 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MBRAD15150 | Schottky | Thindpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 950 mv @ 15 a | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 291pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
| BZT55C56 L1G | - - - | | 9787 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 42 v | 56 v | 135 Ohm | |||||||||||||
| 1N5228B | 0,0271 | | 2788 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5228 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-1n5228btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 µa @ 1 V | 3,9 v | 23 Ohm | |||||||||||||
| Fr305GH | 0,1881 | | 3907 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-FR305GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.750 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 3 a | 250 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
| BZV55B6V2 L1G | 0,0509 | | 4404 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZv55b | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 2 v | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||
| Esh2dfsh | 0,4100 | | 14 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Standard | SOD-128 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 960 mv @ 2 a | 25 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 27pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
 | TST30H150CW | 2.8500 | | 346 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | TST30 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 900 mv @ 15 a | 150 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | ||||||||||||
| S5m R6 | - - - | | 1647 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-s5mr6tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,15 V @ 5 a | 1,5 µs | 10 µa @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 60pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
| SS315 R7 | - - - | | 7096 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Schottky | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SS315R7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 950 mv @ 3 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||
| BZX79C5V1 | 0,0287 | | 3819 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX79 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZX79C5V1TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 20.000 | 1,5 V @ 100 mA | 2 µa @ 2 V | 5.1 v | 60 Ohm | |||||||||||||
| SR10100H | 0,5037 | | 2038 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SR10100 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SR10100H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 850 mv @ 5 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
 | TSZU52C12 | 0,0669 | | 7654 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0603 (1608 Metrik) | TSZU52 | 150 MW | 0603 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSZU52C12TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 20.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 9 V | 12 v | 20 Ohm |
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