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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S1mlhr3g | - - - | ![]() | 3145 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S1ml | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||
![]() | BZX85C33 A0G | - - - | ![]() | 9290 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 10 mA | 500 NA @ 24 V. | 33 v | 35 Ohm | |||||||||
BZD27C20p | 0,2753 | ![]() | 9988 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 15 V | 20 v | 15 Ohm | ||||||||||
![]() | TSZL52C22 RWG | - - - | ![]() | 6426 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 1005 (2512 Metrik) | TSZL52 | 200 MW | 1005 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 17 v | 22 v | 55 Ohm | |||||||||
![]() | 1N5395GHB0G | - - - | ![]() | 7308 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 1N5395 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 1,5 a | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||
BZD17C39P R3G | 0,2625 | ![]() | 3727 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 30 V | 39 v | 40 Ohm | ||||||||||
![]() | BZT52B24 | 0,0412 | ![]() | 4547 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT52B24TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V @ 10 mA | 45 NA @ 16,8 V. | 24 v | 70 Ohm | |||||||||
![]() | SF42GH | - - - | ![]() | 5056 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SF42 | Standard | Do-201ad | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SF42GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 4 a | 35 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 100pf @ 4v, 1 MHz | ||||||
![]() | TSZU52C9V1 | 0,0669 | ![]() | 4711 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 4,99% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0603 (1608 Metrik) | TSZU52 | 150 MW | 0603 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-tszu52c9v1tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 20.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 7 v | 9.1 v | 10 Ohm | |||||||||
BZD27C56P Teppich | 0,2753 | ![]() | 8412 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7,14% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 43 V | 56 v | 60 Ohm | ||||||||||
![]() | TSZL52C4V3 RWG | - - - | ![]() | 1404 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 1005 (2512 Metrik) | TSZL52 | 200 MW | 1005 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 4.3 v | 95 Ohm | |||||||||
![]() | 1m130z | 0,1118 | ![]() | 1548 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1m130 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA @ 98,8 V. | 130 v | 700 Ohm | ||||||||||
![]() | BZT55B22 L1G | - - - | ![]() | 7609 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 16 V. | 22 v | 55 Ohm | |||||||||
![]() | 1N4736G R0G | 0,0627 | ![]() | 9153 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4736 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 4 V. | 6,8 v | 3,5 Ohm | |||||||||
![]() | ES3C R6 | - - - | ![]() | 6958 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-es3Cr6tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45PF @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | SF27G B0G | - - - | ![]() | 3904 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | SF27 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,7 V @ 2 a | 35 ns | 5 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||
![]() | SRA2050 C0G | - - - | ![]() | 3511 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SRA2050 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 700 mV @ 20 a | 500 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | ||||||||
![]() | S5g R6 | - - - | ![]() | 7535 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-s5gr6tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,15 V @ 5 a | 1,5 µs | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 60pf @ 4v, 1 MHz | |||||||
![]() | BZV55B12 L1G | - - - | ![]() | 2153 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZv55b | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 100 mA | 100 NA @ 9.1 V. | 12 v | 20 Ohm | |||||||||
![]() | Es2dhr5g | - - - | ![]() | 7916 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Es2d | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 25pf @ 4v, 1 MHz | |||||||
![]() | Tuau4kh | 0,2319 | ![]() | 7545 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Tuau4 | Standard | SMPC4.6U | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-tuau4khtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,9 V @ 4 a | 75 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 33pf @ 4v, 1 MHz | |||||||
![]() | Mur4l40 | 0,2730 | ![]() | 2833 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Mur4l40 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,28 V @ 4 a | 50 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 65PF @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | BZX584B18 RKG | - - - | ![]() | 3628 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 12,6 V. | 18 v | 45 Ohm | |||||||||
RS1AHM2G | - - - | ![]() | 9872 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RS1a | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||
![]() | 1PGSMB5940 | 0,1689 | ![]() | 3077 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | 1PGSMB59 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 3 w | Do-214AA (SMB) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 32,7 V. | 43 v | 53 Ohm | |||||||||||
![]() | BZT52B33 | 0,0412 | ![]() | 1193 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT52B33TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 23 v | 33 v | 80 Ohm | |||||||||
![]() | BZX84C5V1 RFG | 0,0511 | ![]() | 6179 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 2 V | 5.1 v | 60 Ohm | |||||||||
![]() | BZD17C47PH | 0,2790 | ![]() | 3711 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZD17 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZD17C47PHTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 36 V | 47 v | 45 Ohm | |||||||||
![]() | BZT55B75 | 0,0385 | ![]() | 9953 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | 500 MW | Qmmelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT55B75TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 56 v | 75 V | 170 Ohm | ||||||||||
BZD27C24p M2G | - - - | ![]() | 6838 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,78% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 18 V | 24,2 v | 15 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus