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Dioden (14739)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX79C47 | 0,0287 |  | 3171 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX79 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZX79C47TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 20.000 | 1,5 V @ 100 mA | 50 NA @ 32.9 V. | 47 v | 170 Ohm | |||||||||||||
 | BZX84C30 RFG | 0,0511 | | 2112 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 21 V | 30 v | 80 Ohm | |||||||||||||
 | UGF1004GA | 0,4786 | | 6431 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | UGF1004 | Standard | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-ugf1004ga | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 200 v | 10a | 1,25 V @ 10 a | 20 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
 | 1N4740A R1G | - - - | | 6719 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4740 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 10 µa @ 7,6 V | 10 v | 7 Ohm | ||||||||||||||
 | TS8P03G D2G | - - - | | 6294 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, TS-6P | TS8P03 | Standard | TS-6P | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 a | 10 µA @ 200 V. | 8 a | Einphase | 200 v | |||||||||||||
 | 2A02GHR0G | - - - | | 5732 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 2A02 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 2 a | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | HS2JA R3G | 0,6400 | | 20 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | HS2J | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1,5 a | 75 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
| 1SMA5950H | 0,0995 | | 6196 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA5950 | 1,5 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 500 NA @ 83.6 V. | 110 v | 300 Ohm | ||||||||||||||
 | Sft11gha0g | - - - | | 5901 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | T-18, axial | Sft11 | Standard | TS-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
 | TSD20H120CW | 2.4100 | | 779 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | TSD20 | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | ||||||||||||||||||||
| SR002 B0G | - - - | | 7217 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | SR002 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 550 MV @ 500 mA | 500 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 500 mA | 110PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| UG305p | 0,1812 | | 6059 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Standard | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-ug305ptr | Ear99 | 8541.10.0080 | 12.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,1 V @ 3 a | 25 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 47PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | SFAF506G | - - - | | 6002 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Standard | ITO-220AC | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SFAF506G | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 5 a | 35 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 70pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | SR805HR0G | - - - | | 4356 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Do-201ad, axial | SR805 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 700 mv @ 8 a | 500 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||
| SRAF10150 | - - - | | 6191 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Schottky | ITO-220AC | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SRAF10150 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 950 mv @ 10 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||
 | S12GC R7G | - - - | | 8266 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S12G | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 12 a | 1 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | 78PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| ES3B V7G | - - - | | 2794 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Es3b | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 35 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| TS35P07G C2G | - - - | | 7446 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, TS-6P | TS35P07 | Standard | TS-6P | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 17.5 a | 10 µa @ 1000 V | 35 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||
| UF1B A0G | - - - | | 7919 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | UF1B | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
| S4B M6G | - - - | | 8468 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S4B | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,15 V @ 4 a | 1,5 µs | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 60pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
 | S2A M4G | - - - | | 2604 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S2a | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,15 V @ 2 a | 1,5 µs | 1 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
 | MTZJ6V2SB R0G | 0,0305 | | 6699 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | MTZJ6 | 500 MW | Do-34 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µa @ 3 V | 6.12 v | 60 Ohm | ||||||||||||||
| S10KC R7G | 0,5400 | | 56 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S10K | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 10 a | 1 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 60pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
 | BZT55C62 L1G | - - - | | 1269 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 mA | 100 NA @ 47 V | 62 v | 150 Ohm | |||||||||||||
| SSL12HR3G | - - - | | 6096 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SSL12 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 390 mv @ 1 a | 200 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||
| F1T7G | 0,0742 | | 7966 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | T-18, axial | F1T7 | Standard | TS-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | RSFKL RHG | - - - | | 3586 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | RSFKL | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 500 mA | 500 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | 4PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | BZT52C36 | 0,0412 | | 7935 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT52C36TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V @ 10 mA | 45 NA @ 25.2 V. | 36 v | 90 Ohm | |||||||||||||
| BZV55C11 L0G | 0,0333 | | 1276 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZV55C | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 mA | 100 NA @ 8.2 V. | 11 v | 20 Ohm | |||||||||||||
| SR1202 B0G | - - - | | 6034 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Do-201ad, axial | SR1202 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 550 mV @ 12 a | 500 µa @ 20 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - - - |
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