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Dioden (14739)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZD27C13PH | 0,2933 |  | 8612 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,42% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZD27C13PHTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 2 µa @ 10 V | 13.25 V. | 10 Ohm | |||||||||||||
 | SS210L | 0,2888 | | 1215 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SS210 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SS210LTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 mV @ 2 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||
 | SF22G B0G | - - - | | 9627 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | SF22 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 40pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
 | BZD27C11P RFG | - - - | | 8101 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 4 µa @ 8,2 V | 11 v | 7 Ohm | |||||||||||||
 | BA159GHR1G | - - - | | 4465 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Ba159 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,2 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| SR106H | 0,0760 | | 3153 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | SR106 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||
 | SF12GH | - - - | | 5228 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | DO-204AL (DO-41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SF12GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
| BZD27C27P RQG | - - - | | 8413 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7,03% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 20 V | 27 v | 15 Ohm | |||||||||||||
| SR103 B0G | - - - | | 3671 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | SR103 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 500 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||
 | SK320A R3G | - - - | | 8545 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SK320 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 3 a | 100 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||
| TSZL52C12-F0 RWG | - - - | | 1390 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 1005 (2512 Metrik) | 200 MW | 1005 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSZL52C12-F0RWGTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 9 V | 12 v | 20 Ohm | |||||||||||||
 | BZT52B3V9-G | 0,0461 | | 1842 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT52B3V9-GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 1 V | 3,9 v | 90 Ohm | |||||||||||||
 | Bas21 RFG | 0,2500 | | 4797 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas21 | Standard | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 250 V | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 5PF @ 1V, 1MHz | |||||||||||
| 1n5257b | 0,0277 | | 6870 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5257 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-1n5257btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 Na @ 25 V. | 33 v | 58 Ohm | |||||||||||||
 | UF1BH | - - - | | 3730 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | DO-204AL (DO-41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-Uf1bhtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
| BZD27C180p Teppich | - - - | | 5477 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,4% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 130 V | 179,5 v | 450 Ohm | |||||||||||||
 | BZV55C10 L0G | 0,0333 | | 8124 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZV55C | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 7,5 V. | 10 v | 15 Ohm | |||||||||||||
| BZD27C22P RFG | - - - | | 6931 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,66% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 16 V | 22.05 v | 15 Ohm | |||||||||||||
 | MBR30L120CTHC0G | - - - | | 5441 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | MBR30 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 120 v | 30a | 950 mv @ 30 a | 20 µa @ 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
| BZD27C6V8PHR3G | 0,1089 | | 9635 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 3 V | 6,8 v | 3 Ohm | |||||||||||||
 | SFAF507G C0G | - - - | | 4549 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SFAF507 | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,7 V @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 70pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| MUR160 A0G | - - - | | 3829 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | Mur160 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 27pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
 | BZT52C10 RHG | 0,2600 | | 34 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 mA | 180 na @ 7 v | 10 v | 20 Ohm | |||||||||||||
| SS34 R7 | - - - | | 5705 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Schottky | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SS34R7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||
| Rs1mlh | 0,1680 | | 2286 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-RS1MLHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 800 mA | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
 | HS2KFSH | 0,0786 | | 6995 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Standard | SOD-128 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-HS2KFSHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 28.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,7 V @ 2 a | 75 ns | 1 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 12pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
| Mur440sh | 0,2675 | | 3669 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,25 V @ 4 a | 50 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 65PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | DBL107G | 0,2250 | | 1366 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Standard | Dbl | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,1 V @ 1 a | 2 µA @ 1000 V | 1 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||
| BZD17C62P RTG | - - - | | 6790 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 47 V | 62 v | 80 Ohm | |||||||||||||
| GBPC2504W | 3.1925 | | 4458 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | GBPC25 | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, gbpc-w | GBPC2504 | Standard | Gbpc-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-GBPC2504W | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V @ 12.5 a | 5 µa @ 400 V | 25 a | Einphase | 400 V |
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