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Dioden (14739)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SR103H | - - - |  | 8339 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Schottky | DO-204AL (DO-41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SR103HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 500 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||
 | RSFKL RTG | - - - | | 6594 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | RSFKL | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 500 mA | 500 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | 4PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| 1N4003g | - - - | | 4962 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | DO-204AL (DO-41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-1n4003gtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
 | SR1620pt | 1.9651 | | 7993 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SR1620 | Schottky | To-247ad (to-3p) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-sr1620pt | Ear99 | 8541.10.0080 | 900 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 20 v | 16a (DC) | 550 mV @ 8 a | 500 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||
 | MBR3090PTHC0G | - - - | | 9610 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | MBR3090 | Schottky | To-247ad (to-3p) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 90 v | 30a | 500 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
 | 1m180zhr1g | - - - | | 8082 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1m180 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA @ 136,8 V | 180 v | 1200 Ohm | ||||||||||||
| RSFAL RHG | - - - | | 4822 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Rsfal | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 500 mA | 150 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | 4PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | ZM4749A L0G | 0,0830 | | 4861 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | ZM4749 | 1 w | Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA @ 18,2 V. | 24 v | 25 Ohm | ||||||||||||
 | SR315 | 0,1676 | | 1777 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SR315 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 850 mv @ 3 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||
 | BAT43-L0 R0 | - - - | | 6989 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Schottky | Do-35 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BAT43-L0R0 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 1 V @ 200 Ma | 5 ns | 500 NA @ 25 V. | -65 ° C ~ 125 ° C. | 200 ma | 7PF @ 1V, 1MHz | |||||||||
 | 1SMA4749HR3G | - - - | | 5245 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA4749 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1 µA @ 18,2 V. | 24 v | 25 Ohm | ||||||||||||
 | SS34 M6G | - - - | | 4603 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SS34 | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||
| Es2aah | 0,1886 | | 3964 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Standard | Do-214AC (SMA) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-es2aahtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 25pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
| SR3060PT | - - - | | 3445 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-247-3 | SR3060 | Schottky | To-247ad (to-3p) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 30a | 700 mv @ 15 a | 1 ma @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
| SS310L RFG | - - - | | 1859 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS310 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 mv @ 3 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||
| SR010 | 0,0812 | | 3544 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | SR010 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 MV @ 500 mA | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | 65PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| BZD27C15PHRHG | - - - | | 7775 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 11 V | 14.7 v | 10 Ohm | |||||||||||
| BZD27C43P RTG | - - - | | 8970 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,97% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 33 V | 43 v | 45 Ohm | |||||||||||
 | BZX79B36 A0G | - - - | | 4518 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX79 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 100 mA | 25,2 mA @ 50 mv | 36 v | 90 Ohm | |||||||||||
| HS3D R6 | - - - | | 4151 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-HS3DR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | SRA16100 C0G | - - - | | 2774 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 | SRA16100 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 920 mv @ 16 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - - - | ||||||||||
 | SFF1001GAHC0G | - - - | | 6905 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SFF1001 | Standard | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 50 v | 10a (DC) | 975 mv @ 5 a | 35 ns | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
| BZT52B4V3 | 0,0412 | | 5395 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT52B4V3TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V @ 10 mA | 2,7 µa @ 1 V | 4.3 v | 90 Ohm | |||||||||||
| 1N4761AH | 0,1188 | | 6962 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4761 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µa @ 56 V | 75 V | 175 Ohm | ||||||||||||
| S12GC V7G | - - - | | 8334 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S12G | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 12 a | 1 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | 78PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| RSFGL MTG | - - - | | 9596 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Rsfgl | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 500 mA | 150 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | 4PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | SRS1620HMNG | - - - | | 5095 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SRS1620 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 20 v | 16a | 550 mV @ 8 a | 500 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||
 | TSZU52C4V7 RGG | 0,0669 | | 9705 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0603 (1608 Metrik) | TSZU52 | 150 MW | 0603 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 2 V. | 4,7 v | 78 Ohm | |||||||||||
| MBRS25H45cth | 0,9057 | | 4405 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRS25 | Schottky | To-263ab (D2pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MBRS25H45cthtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 25a | 900 mv @ 25 a | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
| Es1jl Rhg | - - - | | 4494 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Es1j | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8PF @ 1V, 1 MHz |
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