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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Mur160s | 0,1092 | ![]() | 3029 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Mur160 | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 1 a | 50 ns | 150 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||
![]() | SF35G | 0,2478 | ![]() | 6591 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SF35 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,3 V @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
![]() | HS5G R6G | - - - | ![]() | 2284 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-HS5gr6gtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 5 a | 50 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
1SMA4746 R3G | - - - | ![]() | 4835 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA4746 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1 µA @ 13,7 V | 18 v | 20 Ohm | |||||||||||||
![]() | SK510C R7G | - - - | ![]() | 6424 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SK510 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 mv @ 5 a | 300 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||
BZD27C11P RQG | - - - | ![]() | 3866 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 4 µa @ 8,2 V | 11 v | 7 Ohm | ||||||||||||
![]() | TSP15U50S S1G | 1.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | TSP15 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 560 mv @ 15 a | 2 ma @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | ||||||||||
![]() | Fr306g | 0,1731 | ![]() | 1909 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Fr306 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 3 a | 500 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
![]() | TSF30H120C | 1.3038 | ![]() | 6282 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | TSF30 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 120 v | 15a | 880 mv @ 15 a | 150 µa @ 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | SR1204HB0G | - - - | ![]() | 3581 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SR1204 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 mV @ 12 a | 500 µa @ 40 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - - - | ||||||||||
![]() | LSR102 L0 | - - - | ![]() | 2469 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | Schottky | Melf | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-LSR102L0TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 550 mV @ 1 a | 1 ma @ 20 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
S1jlhrhg | - - - | ![]() | 4640 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S1J | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N5245B A0G | 0,3200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | ± 5% | 100 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5245 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | -2068-1n5245ba0GCT | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 11 v | 15 v | 16 Ohm | ||||||||||
![]() | MBR1645 C0G | - - - | ![]() | 7353 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 | MBR1645 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 630 mv @ 16 a | 500 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - - - | ||||||||||
![]() | HS3G | 0,2021 | ![]() | 1614 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | HS3G | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 50 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BZT52B3V9 | 0,0412 | ![]() | 8643 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT52B3V9TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V @ 10 mA | 2,7 µa @ 1 V | 3,9 v | 90 Ohm | |||||||||||
![]() | S10JC R6G | - - - | ![]() | 1293 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-S10JCR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 10 a | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 60pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | MMSZ5254B RHG | 0,0433 | ![]() | 8449 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | MMSZ5254 | 500 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 21 V | 27 v | 41 Ohm | ||||||||||||
![]() | UGF8JDHC0G | - - - | ![]() | 3398 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | UGF8 | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,3 V @ 8 a | 30 ns | 500 NA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||||||
![]() | HS2G R5G | - - - | ![]() | 6745 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | HS2G | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 2 a | 50 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
![]() | 1PGSMB5926H | 0,1798 | ![]() | 8293 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 3 w | Do-214AA (SMB) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µa @ 8,4 V | 11 v | 5,5 Ohm | |||||||||||||
![]() | Pe4dch | 0,6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Pe4d | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 930 mv @ 4 a | 20 ns | 2 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 72pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
![]() | 1PGSMB5936HR5G | - - - | ![]() | 5494 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1PGSMB5936 | 3 w | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 22,8 V. | 30 v | 26 Ohm | ||||||||||||
SS12L RFG | - - - | ![]() | 2491 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS12 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 450 mV @ 1 a | 400 µA @ 20 V. | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||
ES1DL RHG | - - - | ![]() | 5587 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Es1d | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N5820HA0G | - - - | ![]() | 8346 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | 1N5820 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 475 mv @ 3 a | 500 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 200pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | HERAF1007G C0G | - - - | ![]() | 6770 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Heraf1007 | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,7 V @ 10 a | 80 ns | 10 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 60pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
![]() | 1SMC5352 | 0,3249 | ![]() | 6659 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | 1SMC5352 | 5 w | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 11,5 V. | 15 v | 2,5 Ohm | ||||||||||||
![]() | SR2050 C0G | - - - | ![]() | 2803 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SR2050 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 50 v | 20a | 700 mv @ 10 a | 500 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
S1BL RFG | - - - | ![]() | 5516 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S1B | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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