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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX79B8V2 | 0,0305 | ![]() | 7227 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX79 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZX79B8V2TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 100 mA | 5 ma @ 700 mv | 8.2 v | 15 Ohm | |||||||||||
SS310LHRTG | - - - | ![]() | 4424 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS310 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 mv @ 3 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||
![]() | S5KB | 0,1414 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S5k | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 5 a | 10 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 40pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BZT52B4V3 | 0,0412 | ![]() | 5395 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT52B4V3TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V @ 10 mA | 2,7 µa @ 1 V | 4.3 v | 90 Ohm | |||||||||||
![]() | BZX585B4V3 RSG | 0,0476 | ![]() | 3250 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZX585B4 | 200 MW | SOD-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 2,7 µa @ 1 V | 4.3 v | 90 Ohm | ||||||||||||
RSFMLHMTG | - - - | ![]() | 2059 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | RSFML | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 500 mA | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | 4PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
BZD27C15PHRHG | - - - | ![]() | 7775 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 11 V | 14.7 v | 10 Ohm | ||||||||||||
![]() | BZX79B36 A0G | - - - | ![]() | 4518 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX79 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 100 mA | 25,2 mA @ 50 mv | 36 v | 90 Ohm | |||||||||||
![]() | SR3030PTHC0G | - - - | ![]() | 6277 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SR3030 | Schottky | To-247ad (to-3p) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 30a | 550 mv @ 15 a | 1 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||
![]() | SR1504HA0G | - - - | ![]() | 9541 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | R-6, axial | SR1504 | Schottky | R-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 700 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 mv @ 15 a | 500 µa @ 40 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | ||||||||||
![]() | 2M68Z A0G | - - - | ![]() | 4475 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 2m68 | 2 w | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 NA @ 51,7 V. | 68 v | 75 Ohm | ||||||||||||
![]() | TSZU52C4V7 RGG | 0,0669 | ![]() | 9705 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0603 (1608 Metrik) | TSZU52 | 150 MW | 0603 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 2 V. | 4,7 v | 78 Ohm | |||||||||||
![]() | ZM4749A L0G | 0,0830 | ![]() | 4861 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | ZM4749 | 1 w | Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA @ 18,2 V. | 24 v | 25 Ohm | ||||||||||||
![]() | SR315 | 0,1676 | ![]() | 1777 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SR315 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 850 mv @ 3 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||
![]() | 1N4761AH | 0,1188 | ![]() | 6962 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4761 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µa @ 56 V | 75 V | 175 Ohm | ||||||||||||
![]() | BZT55B7V5 L1G | - - - | ![]() | 2305 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 5 v | 7,5 v | 7 Ohm | |||||||||||
![]() | MBRS25H45cth | 0,9057 | ![]() | 4405 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRS25 | Schottky | To-263ab (D2pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MBRS25H45cthtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 25a | 900 mv @ 25 a | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
Es1jl Rhg | - - - | ![]() | 4494 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Es1j | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | S12GC V7G | - - - | ![]() | 8334 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S12G | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 12 a | 1 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | 78PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
BZD27C43P RTG | - - - | ![]() | 8970 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,97% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 33 V | 43 v | 45 Ohm | ||||||||||||
![]() | MTZJ3V9SA R0G | 0,0305 | ![]() | 3621 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | Mtzj3 | 500 MW | Do-34 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µa @ 1 V | 3,88 v | 100 Ohm | ||||||||||||
![]() | MBRS1050 Mng | - - - | ![]() | 2899 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRS1050 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 950 mv @ 10 a | 100 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||
Rs1klhr3g | 0,1951 | ![]() | 8415 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | RS1K | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 800 mA | 500 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SR010 | 0,0812 | ![]() | 3544 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | SR010 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 MV @ 500 mA | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | 65PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SR803HR0G | - - - | ![]() | 3447 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Do-201ad, axial | SR803 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 8 a | 500 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||
![]() | BZT55C4V3 L0G | 0,0350 | ![]() | 6187 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 mA | 1 µa @ 1 V | 4.3 v | 75 Ohm | |||||||||||
TSSA3U45 | 0,2526 | ![]() | 7536 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | TSSA3 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 480 mv @ 3 a | 500 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||
![]() | MBRF10200 C0G | - - - | ![]() | 1720 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 Full Pack | MBRF1020 | Schottky | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,05 V @ 10 a | 100 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||
![]() | 1N5397GHA0G | - - - | ![]() | 3855 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 1N5397 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1 V @ 1,5 a | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | HS5f R7 | - - - | ![]() | 9741 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-HS5FR7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1 V @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 80pf @ 4V, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus