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Dioden (14739)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZM4741A L0G | 0,0830 |  | 2542 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | ZM4741 | 1 w | Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µa @ 8,4 V | 11 v | 8 Ohm | ||||||||||||
 | 1N4754A B0G | - - - | | 7889 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4754 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 5 µA @ 29.7 V. | 39 v | 60 Ohm | ||||||||||||
 | MBR3050CTHC0G | - - - | | 7648 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | MBR3050 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 50 v | 30a | 770 mv @ 15 a | 200 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
 | BZT52B56 RHG | 0,0453 | | 5658 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 mA | 45 NA @ 39.2 V. | 56 v | 200 Ohm | |||||||||||
 | SK320AH | 0,1251 | | 2386 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SK320 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 3 a | 100 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||
 | 2m200zha0g | - - - | | 3099 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 2m200 | 2 w | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 NA @ 152 V. | 200 v | 900 Ohm | ||||||||||||
| TST10H120CW | 1.2930 | | 6716 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Nicht für Designs | K. Loch | To-220-3 | TST10 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 120 v | 790 mv @ 5 a | 100 µA @ 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||
 | SS25L RQG | - - - | | 3029 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS25 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 400 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||
 | BZD17C24p | 0,2625 | | 9141 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,79% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZD17 | 800 MW | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZD17C24PTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 18 V | 24 v | 15 Ohm | |||||||||||
 | BZV55B10 L1G | - - - | | 6853 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZv55b | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 100 mA | 100 Na @ 7,5 V. | 10 v | 15 Ohm | |||||||||||
 | SF41G | - - - | | 4577 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SF41 | Standard | Do-201ad | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SF41GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 4 a | 35 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 100pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||
 | 1N4448WS | 0,0279 | | 7189 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 1N4448 | Standard | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-1n4448wstr | Ear99 | 8541.10.0080 | 9.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 100 v | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 5 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
| BZD27C56P RQG | - - - | | 5323 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7,14% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 43 V | 56 v | 60 Ohm | |||||||||||
 | MBRS10150 Mng | - - - | | 6279 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRS10150 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||
| BZD27C20p RFG | - - - | | 9679 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 15 V | 20 v | 15 Ohm | |||||||||||
 | SRAF8100HC0G | - - - | | 4335 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SRAF8100 | Schottky | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 550 mV @ 8 a | 500 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 125 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||
| Es1jl MHg | - - - | | 7966 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Es1j | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||
 | SS1H20LS | 0,5100 | | 70 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123H | SS1H20 | Schottky | SOD-123HE | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 850 mV @ 1 a | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||
 | SRA860HC0G | - - - | | 2306 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SRA860 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 8 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||
 | BZX55B6V8 A0G | - - - | | 9988 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 3 v | 6,8 v | 8 Ohm | |||||||||||
| 1SMA5947 R3G | - - - | | 6614 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA5947 | 1,5 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 500 NA @ 62.2 V. | 82 v | 160 Ohm | ||||||||||||
| 1SMA5931HR3G | - - - | | 4726 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA5931 | 1,5 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 500 NA @ 13.7 V. | 18 v | 12 Ohm | ||||||||||||
 | ES3DBHR5G | 0,7200 | | 132 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Es3d | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 3 a | 35 ns | 100 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 46PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| 1PGSMB5933HR5G | 0,6300 | | 1 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1PGSMB5933 | 3 w | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 16,7 V | 22 v | 17,5 Ohm | ||||||||||||
| BZD27C33PHR3G | - - - | | 6702 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,06% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 24 V. | 33 v | 15 Ohm | |||||||||||
| 1N5255B A0G | - - - | | 3210 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 5% | 100 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5255 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 21 V | 28 v | 44 Ohm | |||||||||||
 | SR304HB0G | - - - | | 6237 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SR304 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 mV @ 3 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||
| BZD27C130P M2G | - - - | | 7102 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,41% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 100 V. | 132,5 v | 300 Ohm | |||||||||||
| ZM4732A L0G | 0,0830 | | 2385 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | ZM4732 | 1 w | Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 10 µa @ 1 V | 4,7 v | 8 Ohm | ||||||||||||
| BZV55B2V7 L1G | - - - | | 7975 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZv55b | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 100 mA | 10 µa @ 1 V | 2,7 v | 85 Ohm |
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