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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
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![]() | MBRF20100HC0G | - - - | ![]() | 1929 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | MBRF20100 | Schottky | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mV @ 20 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | ||||||||||||
![]() | BZD27C11P | 0,2753 | ![]() | 9444 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZD27C11PTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 4 µa @ 8,2 V | 11 v | 7 Ohm | |||||||||||||
GBPC3504 T0G | - - - | ![]() | 2458 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | GBPC3504 | Standard | GBPC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 17.5 a | 5 µa @ 400 V | 35 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||||
BZD27C12PHMTG | - - - | ![]() | 8250 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,39% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 3 µa @ 9,1 V | 12.05 v | 7 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SK52BH | - - - | ![]() | 2616 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 550 mV @ 5 a | 500 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||
![]() | MBRF1645H | - - - | ![]() | 7926 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Schottky | ITO-220AC | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MBRF1645H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 630 mv @ 16 a | 500 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - - - | ||||||||||||
![]() | MBRS20150CT-y | 0,6433 | ![]() | 1792 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRS20150 | Schottky | To-263ab (D2pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MBRS20150CT-YTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 20a | 990 mv @ 10 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | TSF10H200C | 1,9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | TSF10 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 5a | 910 mv @ 5 a | 100 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | SK15H45 B0G | - - - | ![]() | 1647 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | R-6, axial | SK15 | Schottky | R-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 560 mv @ 15 a | 150 µa @ 45 V | 200 ° C (max) | 15a | - - - | ||||||||||||
TSN520M60 | - - - | ![]() | 7695 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Powerldfn | TSN520 | Schottky | 8-PDFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 580 mv @ 20 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | |||||||||||||
BZD27C10p RTG | - - - | ![]() | 8201 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 7 µA @ 7,5 V. | 10 v | 4 Ohm | ||||||||||||||
HS2KA | 0,0862 | ![]() | 3127 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | HS2K | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,7 V @ 1,5 a | 75 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 30pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | BZS55C6V8 | 0,0340 | ![]() | 9166 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik) | BZS55 | 500 MW | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZS55C6V8TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 na @ 3 v | 6,8 v | 8 Ohm | |||||||||||||
![]() | BZX79C68 | 0,0333 | ![]() | 1492 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX79 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZX79C68TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 20.000 | 1,5 V @ 100 mA | 50 NA @ 47.6 V. | 68 v | 240 Ohm | |||||||||||||
BZD27C75P RFG | - - - | ![]() | 1554 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,04% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 56 V | 74,5 v | 100 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 1SMB5950HR5G | - - - | ![]() | 8564 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1SMB5950 | 3 w | Do-214AA (SMB) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 83,6 V | 110 v | 300 Ohm | ||||||||||||||
![]() | MBRS1545CT-y Mng | - - - | ![]() | 4661 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRS1545 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 840 mv @ 15 a | 100 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | MTZJ22SA R0G | 0,0305 | ![]() | 9510 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | MTZJ22 | 500 MW | Do-34 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 200 na @ 17 V | 20.68 V. | 30 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SRS10100H | 0,7126 | ![]() | 3978 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SRS10100 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 900 mv @ 5 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | Tuas4jh | 0,2022 | ![]() | 3194 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Tuas4 | Standard | To-277a (SMPC4.6U) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-tuas4jhtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 4 a | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 33pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | BZD17C27p | 0,2625 | ![]() | 4350 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7,04% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZD17 | 800 MW | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZD17C27PTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 20 V | 27 v | 15 Ohm | |||||||||||||
![]() | BZV55B13 L1G | - - - | ![]() | 5174 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZv55b | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 10 v | 13 v | 26 Ohm | |||||||||||||
1SMA4741 | 0,0935 | ![]() | 6640 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA4741 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1 µa @ 8,4 V | 11 v | 8 Ohm | |||||||||||||||
BZD27C11PHRHG | - - - | ![]() | 2247 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 4 µa @ 8,2 V | 11 v | 7 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 1SMB5937 | 0,1453 | ![]() | 8310 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1SMB5937 | 3 w | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 25,1 V. | 33 v | 33 Ohm | ||||||||||||||
![]() | Mtzj2v7sa | 0,0305 | ![]() | 3277 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | MTZJ2 | 500 MW | Do-34 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MTZJ2V7SATR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 µa @ 1 V | 2,7 v | 110 Ohm | ||||||||||||||
![]() | MBRS1690HMNG | - - - | ![]() | 1872 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRS1690 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 850 mv @ 16 a | 300 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - - - | ||||||||||||
![]() | SRA2020HC0G | - - - | ![]() | 5436 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SRA2020 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 550 mV @ 20 a | 500 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 20a | - - - | ||||||||||||
![]() | 1N4748G A0G | - - - | ![]() | 4234 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4748 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 16,7 V | 22 v | 23 Ohm | |||||||||||||
![]() | GP1007HC0G | - - - | ![]() | 7719 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | GP1007 | Standard | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 10a | 1,1 V @ 5 a | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus