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Dioden (14739)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S1Al RTG | - - - |  | 2595 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S1a | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | BZT55B75 | 0,0385 | | 9953 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | 500 MW | Qmmelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT55B75TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 56 v | 75 V | 170 Ohm | ||||||||||||
| BZD27C24p M2G | - - - | | 6838 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,78% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 18 V | 24,2 v | 15 Ohm | |||||||||||
 | SK515BHR5G | - - - | | 3656 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SK515 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 950 mv @ 5 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||
 | MTZJ27SB R0G | 0,0305 | | 6854 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | MTZJ27 | 500 MW | Do-34 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 200 na @ 21 V | 25.62 v | 45 Ohm | ||||||||||||
 | BZT55B13 L1G | - - - | | 8876 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 10 v | 13 v | 26 Ohm | |||||||||||
| 1PGSMB5956 | 0,1689 | | 1880 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | 1PGSMB59 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 3 w | Do-214AA (SMB) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µa @ 152 V | 200 v | 1200 Ohm | |||||||||||||
 | BZD27C68p | 0,1101 | | 2698 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZD27C68PTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 51 V | 68 v | 80 Ohm | |||||||||||
 | S2DFL | 0,0825 | | 9499 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | Standard | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-S2Dfltr | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 2 a | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
| BZT55C2v7 | 0,0350 | | 3322 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | 500 MW | Qmmelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT55C2V7TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 mA | 10 µa @ 1 V | 2,7 v | 85 Ohm | ||||||||||||
 | HS2DAF-T | 0,1207 | | 9700 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | Standard | Smaf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-HS2DAF-TTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 2 a | 50 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 27pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
 | UDZS27B RRG | - - - | | 6123 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | UDZS27 | 200 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 45 NA @ 21 V. | 27 v | 100 Ohm | ||||||||||||
 | SR502HA0G | - - - | | 6512 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SR502 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 550 mV @ 5 a | 500 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||
| RB551V-40 RRG | - - - | | 5080 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | RB551 | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 470 mv @ 500 mA | 100 µa @ 40 V | 125 ° C (max) | 500 mA | - - - | ||||||||||
 | BZX585B5V1 RSG | 0,0476 | | 8170 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZX585B5 | 200 MW | SOD-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 1,8 µa @ 2 V | 5.1 v | 60 Ohm | ||||||||||||
| SF37GHA0G | - - - | | 4037 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SF37 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,7 V @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | 1SMA5931H | 0,0995 | | 4336 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA5931 | 1,5 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 500 NA @ 13.7 V. | 18 v | 12 Ohm | ||||||||||||
 | RS3G | 0,1648 | | 6348 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | RS3G | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 150 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||
| BZT55C3V9 L1G | 0,0504 | | 8237 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 mA | 2 µa @ 1 V | 3,9 v | 85 Ohm | |||||||||||
| TPUH6D | 0,2877 | | 5120 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | TPUH6 | Standard | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TPUH6DTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,05 V @ 6 a | 45 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | 1N4934GHR0G | - - - | | 3841 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4934 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | SFF1603G C0G | - - - | | 1855 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SFF1603 | Standard | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 975 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| BZD27C6V8PHMTG | - - - | | 5946 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 3 V | 6,8 v | 3 Ohm | |||||||||||
| BZD17C27P RTG | - - - | | 9758 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7,03% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 20 V | 27 v | 15 Ohm | |||||||||||
| MMSZ5256B RHG | 0,2800 | | 9322 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | MMSZ5256 | 500 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 23 v | 30 v | 49 Ohm | ||||||||||||
 | TSI30H100CW | - - - | | 6189 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | TSI30 | Schottky | I2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 15a | 780 mv @ 15 a | 250 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
 | 2m20z B0g | - - - | | 1422 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 2m20 | 2 w | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 NA @ 15,2 V. | 20 v | 11 Ohm | ||||||||||||
 | S1jlwh | 0,3900 | | 19 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | S1J | Standard | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 1 a | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||
| Tuau6kh | 0,2961 | | 3753 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Tuau6 | Standard | SMPC4.6U | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-tuau6khtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 6 a | 50 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 64pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| SR806 A0G | 0,6600 | | 9052 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SR806 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 8 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - |
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