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Dioden (14739)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZD27C82P RQG | - - - |  | 2957 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,09% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 62 V | 82 v | 200 Ohm | |||||||||||
 | SR3030PT C0G | - - - | | 4854 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SR3030 | Schottky | To-247ad (to-3p) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 30a | 550 mv @ 15 a | 1 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||
 | BAS40-05 RFG | 0,0581 | | 7014 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 200 ma | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 na @ 30 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||
| RS1JLHM2G | - - - | | 1387 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | RS1J | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 800 mA | 250 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
| HER1605PT C0G | - - - | | 9629 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | HER1605 | Standard | To-247ad (to-3p) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 400 V | 16a | 1,3 V @ 8 a | 50 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
 | BZT55B68 L0G | 0,0385 | | 1897 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 mA | 100 na @ 51 V | 68 v | 160 Ohm | |||||||||||
 | MBRS25150ct Mng | - - - | | 6217 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRS25150 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 25a | 1,02 V @ 25 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
 | 1N4002GHA0G | - - - | | 4247 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4002 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
 | HS3B R7G | - - - | | 6123 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | HS3B | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | Es1f | 0,0932 | | 4440 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Es1f | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 18PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||
| 1SMA150ZHR3G | - - - | | 4803 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA150 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1 µa @ 114 V | 150 v | 1000 Ohm | ||||||||||||
 | SF41GHA0G | - - - | | 6340 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SF41 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 4 a | 35 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 100pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | SRF20150H | 1.0323 | | 8428 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SRF20150 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SRF20150H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 20a | 1,02 V @ 10 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
| S1BL RFG | - - - | | 5516 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S1B | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
| Es1jl rqg | - - - | | 2300 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Es1j | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||
| HS2KAH | 0,0906 | | 9650 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-HS2KAHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 15.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,7 V @ 1,5 a | 75 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 30pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
| SK55C R7G | - - - | | 7764 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SK55 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 750 mv @ 5 a | 500 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||
| SK52C M6 | - - - | | 9801 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-sk52cm6tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 550 mV @ 5 a | 500 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||
| SS310L RTG | - - - | | 7876 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS310 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 mv @ 3 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||
| BZD27C18P Teppich | 0,2753 | | 8346 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,4% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 13 V | 17.95 v | 15 Ohm | |||||||||||
| BZD27C220p MTG | - - - | | 8758 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,66% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 160 V | 220,5 v | 900 Ohm | |||||||||||
| 1N4740AHR1G | - - - | | 4928 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4740 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µa @ 9,1 V | 10 v | 9 Ohm | ||||||||||||
| 1PGSMC5353 R7G | - - - | | 9962 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 w | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 12,2 V. | 16 v | 3 Ohm | ||||||||||||
 | BZV55B10 | 0,0357 | | 6148 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZv55b | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZV55B10TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 100 mA | 100 Na @ 7,5 V. | 10 v | 15 Ohm | |||||||||||
| SS115LWH | 0,0696 | | 1041 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | SS115 | Schottky | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SS115LWHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 950 mv @ 1 a | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||
 | Es2jh | 0,1497 | | 4579 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Es2j | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 2 a | 35 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
| BZT55C3V0 L0G | 0,0350 | | 1381 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 mA | 4 µa @ 1 V | 3 v | 85 Ohm | |||||||||||
 | BZT52C36K | 0,0474 | | 8046 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT52C36KTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 100 na @ 27 V | 36 v | 90 Ohm | ||||||||||||
| SK29A M2G | - - - | | 2140 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SK29 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 850 mV @ 2 a | 100 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||
| 1m120zhb0g | - - - | | 4541 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1m120 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 5 µa @ 91,2 V | 120 v | 550 Ohm |
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