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Dioden (14739)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S1G-JR3 | - - - |  | 6795 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Standard | Do-214AC (SMA) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 1,5 µs | 1 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 12pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
 | Rs1jlhrug | - - - | | 3163 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | RS1J | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 800 mA | 250 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
| RS1BL RFG | - - - | | 3932 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | RS1B | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | Mur160h | 0,1455 | | 3549 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | Mur160 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 27pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | TSZL52C2V4-F0 RWG | - - - | | 9684 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 1005 (2512 Metrik) | 200 MW | 1005 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSZL52C2V4-F0RWGTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 µa @ 1 V | 2,4 v | 85 Ohm | |||||||||||
 | GPAS1002 Mng | - - - | | 3218 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | GPAS1002 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 10 a | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
 | SF18GHA0G | - - - | | 1738 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | SF18 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
| RS1ML MHG | - - - | | 1408 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | RS1M | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 800 mA | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | MUR460SHR7G | - - - | | 4031 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Mur460 | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 4 a | 50 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 65PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| ES1HM2G | - - - | | 6164 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Es1h | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 16PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | SR1630HC0G | - - - | | 7235 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SR1630 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 16a | 550 mV @ 8 a | 500 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||
| ES1BL M2G | - - - | | 4136 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Es1b | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||
 | Hera801g C0g | - - - | | 9098 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 | Hera801 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 8 a | 50 ns | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 65PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | UG06BHA0G | - - - | | 5963 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | T-18, axial | UG06 | Standard | TS-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 MV @ 600 Ma | 15 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 600 mA | 9pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
| UF4003 B0G | - - - | | 7658 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | UF4003 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | MBRS25150CTHMNG | - - - | | 4741 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRS25150 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 25a | 1,02 V @ 25 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
 | BZD27C20PWH | 0,1191 | | 7482 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123W | BZD27 | 1 w | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 15 V | 20 v | 15 Ohm | |||||||||||
 | SK35B R5G | - - - | | 7024 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SK35 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 750 mv @ 3 a | 500 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||
 | HER601G A0G | - - - | | 9364 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | R-6, axial | HER601 | Standard | R-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 700 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 6 a | 50 ns | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| ES2G R5G | 0,6000 | | 858 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Es2g | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 2 a | 35 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
| UF1DHB0G | - - - | | 9853 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | UF1D | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | MBRF16H45 C0G | - - - | | 9139 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 Full Pack | MBRF16 | Schottky | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 630 mv @ 16 a | 500 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - - - | ||||||||||
| SFAS806G | - - - | | 8135 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SFAS806 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 60pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
| S1glh | 0,0705 | | 9695 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S1g | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
| RSFML RQG | - - - | | 4107 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | RSFML | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 500 mA | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | 4PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| SFS1604G | 0,7560 | | 5746 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SFS1604 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 975 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| S3DB R5G | - - - | | 8869 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S3d | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,15 V @ 3 a | 1,5 µs | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 40pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
| RS1JL MQG | - - - | | 7680 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | RS1J | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 800 mA | 250 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
| MBRF2545cth | 1.0053 | | 2027 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF2545 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-mbrf2545cth | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 25a | 750 mv @ 25 a | 2 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
| HS1KL R3G | 0,2111 | | 2548 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | HS1K | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz |
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