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Dioden (14739)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SK510c M6 | - - - |  | 7007 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-sk510cm6tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 mv @ 5 a | 300 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||||
| S8KC R6G | - - - | | 7597 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-S8KCR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 985 mv @ 8 a | 10 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 48PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | BZX85C8V2 A0G | - - - | | 3516 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 10 mA | 1 µA @ 6,2 V. | 8.2 v | 5 Ohm | |||||||||||||
| BZS55B10 RAG | - - - | | 5351 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik) | BZS55 | 500 MW | 1206 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZS55B10Ragtr | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 7,5 V. | 10 v | 15 Ohm | ||||||||||||
 | BZT52B3V0-G RHG | 0,0461 | | 1296 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 1 V | 3 v | 95 Ohm | |||||||||||||
 | BZD27C100PHRHG | - - - | | 2694 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 75 V | 100 v | 200 Ohm | |||||||||||||
 | PU1DFSH | 0,4600 | | 27 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Standard | SOD-128 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-PU1DFSHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 930 mv @ 1 a | 25 ns | 2 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 19PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| HS5B R7 | - - - | | 2904 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-HS5BR7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 5 a | 50 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| BZD17C24p RQG | - - - | | 4879 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,83% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 18 V | 24 v | 15 Ohm | |||||||||||||
| 3PGBPC3516 T0 | - - - | | 3229 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | 3PGBPC35 | - - - | 1801-3PGBPC3516T0 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| HER157GH | 0,1203 | | 7405 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-Her157GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,7 V @ 1,5 a | 75 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
 | MBR25150CTHC0G | - - - | | 4571 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | MBR25150 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 25a | 1,02 V @ 25 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
| BZT52B3V0 | 0,0412 | | 7726 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT52B3V0TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V @ 10 mA | 9 µa @ 1 V | 3 v | 100 Ohm | |||||||||||||
| 1N5231b | 0,0271 | | 2113 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5231 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-1n5231btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 17 Ohm | |||||||||||||
| BZD27C100P RFG | - - - | | 4155 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 75 V | 100 v | 200 Ohm | |||||||||||||
| KBP104G C2G | - - - | | 6646 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBP | Standard | KBP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1 V @ 1 a | 10 µa @ 400 V | 1 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||||
 | SF27G A0G | - - - | | 7199 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | SF27 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,7 V @ 2 a | 35 ns | 5 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
| SF1008GHC0G | - - - | | 7933 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SF1008 | Standard | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 5 a | 35 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
| KBP207G C2G | - - - | | 9220 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBP | Standard | KBP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,2 V @ 2 a | 10 µa @ 1000 V | 2 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||
 | TS15P07G-K C2G | - - - | | 4347 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, TS-6P | Standard | TS-6P | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | TS15P07G-KC2G | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 15 a | 10 µa @ 1000 V | 15 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||
 | 1PGSMA4740HR3G | 0,4800 | | 55 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1PGSMA4740 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 7,6 V | 10 v | 7 Ohm | |||||||||||||
| MBRS25100CT | 0,8958 | | 6088 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRS25100 | Schottky | To-263ab (D2pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-mbrs25100cttr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 25a | 920 mv @ 25 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
| 1PGSMA4744H | 0,1156 | | 7 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1PGSMA4744 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 11,4 V | 15 v | 14 Ohm | |||||||||||||
| SF1008GH | 0,6140 | | 2661 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SF1008 | Standard | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SF1008GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 600 V | 10a | 1,7 V @ 5 a | 35 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
 | BZV55B9V1 | 0,0357 | | 7347 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZv55b | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZV55B9V1TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 100 mA | 100 Na @ 6,8 V. | 9.1 v | 10 Ohm | |||||||||||||
 | Heraf1601g C0g | - - - | | 5181 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Heraf1601 | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 16 a | 50 ns | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 150pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| MTZJ13SC | 0,0305 | | 2877 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | MTZJ13 | 500 MW | Do-34 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MTZJ13SCTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 200 na @ 10 v | 13.33 v | 35 Ohm | ||||||||||||||
| BZT52C18-G RHG | 0,0445 | | 3940 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 12,6 V. | 18 v | 45 Ohm | |||||||||||||
| BZV55B75 | 0,0357 | | 4571 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZv55b | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZV55B75TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 56 v | 75 V | 170 Ohm | |||||||||||||
 | BZT55B11 | 0,0385 | | 9587 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | 500 MW | Qmmelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT55B11TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 mA | 100 NA @ 8.2 V. | 11 v | 20 Ohm |
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