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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HS3K R6G | - - - | ![]() | 3930 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-HS3KR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,7 V @ 3 a | 75 ns | 10 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | HS5K R6 | - - - | ![]() | 4173 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-HS5KR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,7 V @ 5 a | 75 ns | 10 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BZX85C33 R0G | 0,0645 | ![]() | 5593 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 10 mA | 500 NA @ 24 V. | 33 v | 35 Ohm | |||||||||||||
![]() | 3a60h | 0,1041 | ![]() | 1853 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 3a60 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 3 a | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 27pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | 1N4004GH | 0,0522 | ![]() | 6292 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4004 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
1PGSMA4749 R3G | 0,4100 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1PGSMA4749 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 18,2 V. | 24 v | 25 Ohm | ||||||||||||||
![]() | KBP207G C2G | - - - | ![]() | 9220 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBP | Standard | KBP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,2 V @ 2 a | 10 µa @ 1000 V | 2 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||
![]() | TS10K60-A | 1.8400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, TS4K | TS10K60 | Standard | TS4K | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 5 a | 10 µa @ 600 V | 10 a | Einphase | 600 V | |||||||||||||
BZT52C6v2-G | 0,0445 | ![]() | 2473 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT52C6V2-GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | ||||||||||||||
![]() | BZX85C56 R0G | 0,0645 | ![]() | 3093 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 10 mA | 500 NA @ 39 V | 56 v | 120 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N5252B A0G | 0,3200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | ± 5% | 100 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5252 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 Na @ 18 V. | 24 v | 33 Ohm | |||||||||||||
![]() | TS15P07G-K C2G | - - - | ![]() | 4347 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, TS-6P | Standard | TS-6P | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | TS15P07G-KC2G | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 15 a | 10 µa @ 1000 V | 15 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||
BZD27C100P RFG | - - - | ![]() | 4155 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 75 V | 100 v | 200 Ohm | ||||||||||||||
![]() | KBP306G C2G | - - - | ![]() | 4010 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBP | Standard | KBP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 3 a | 10 µa @ 800 V | 3 a | Einphase | 800 V | ||||||||||||||
![]() | BZS55C16 RXG | 0,0340 | ![]() | 2210 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik) | BZS55 | 500 MW | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 12 V. | 16 v | 40 Ohm | |||||||||||||
![]() | SFAF1007GHC0G | - - - | ![]() | 2419 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SFAF1007 | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,7 V @ 10 a | 35 ns | 10 µa @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 140pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | KBP205G C2G | - - - | ![]() | 8986 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBP | Standard | KBP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,2 V @ 2 a | 10 µa @ 600 V | 2 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||||
![]() | HER157GH | 0,1203 | ![]() | 7405 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-Her157GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,7 V @ 1,5 a | 75 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
SS34LHMHG | - - - | ![]() | 2060 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS34 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||
![]() | PUAD6DC | 0,8300 | ![]() | 1916 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Standard | Thindpak | - - - | 1 (unbegrenzt) | 4.500 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 6a | 950 mv @ 3 a | 25 ns | 2 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||
![]() | SRA1040 | - - - | ![]() | 4621 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Schottky | To-220ac | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SRA1040 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 mV @ 10 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||
BZD27C160p RTG | - - - | ![]() | 7850 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,55% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 120 V | 162 v | 350 Ohm | ||||||||||||||
![]() | Mur360s | 0,2299 | ![]() | 7002 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Mur360 | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 50 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||
S1klhrug | - - - | ![]() | 1946 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S1K | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
SS210L MTG | - - - | ![]() | 5697 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS210 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 mV @ 2 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | |||||||||||||
![]() | BZD17C16P | 0,2625 | ![]() | 5475 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,56% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZD17 | 800 MW | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZD17C16PTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 12 V | 16 v | 15 Ohm | |||||||||||||
![]() | BZX55B4V7 A0G | - - - | ![]() | 4038 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1 V @ 100 mA | 500 na @ 1 v | 4,7 v | 60 Ohm | |||||||||||||
![]() | 1N4148W-G | 0,0264 | ![]() | 8410 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 1N4148 | Standard | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-1N4148W-GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 9.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 100 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 2,5 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | HS2M | 0,3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | HS2M | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,7 V @ 2 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | 1PGSMB5943H | 0,1798 | ![]() | 6413 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 3 w | Do-214AA (SMB) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 42,6 V. | 56 v | 86 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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