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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S1DFSHMWG | 0,4600 | ![]() | 210 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | S1d | Standard | SOD-128 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 1 a | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | 1SSS133M R0G | 0,1300 | ![]() | 71 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | 1SSS133 | Standard | Do-34 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 90 v | 1,2 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 175 ° C (max) | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | SFA1007G C0G | - - - | ![]() | 2895 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SFA1007 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,7 V @ 10 a | 35 ns | 10 µa @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
![]() | SRS2050HMNG | - - - | ![]() | 6502 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SRS2050 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 50 v | 20a | 700 mv @ 10 a | 500 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | 1PGSMC5363HR7G | - - - | ![]() | 9772 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 w | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 NA @ 22,8 V. | 30 v | 8 Ohm | ||||||||||||
BZD17C120p M2G | - - - | ![]() | 7720 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,41% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 91 V | 120 v | 300 Ohm | ||||||||||||
PU2JFS | 0,1119 | ![]() | 6418 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Pu2j | Standard | SOD-128 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-PU2JFstr | Ear99 | 8541.10.0080 | 28.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,5 V @ 2 a | 26 ns | 2 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 22pf @ 4a, 1 MHz | |||||||||
![]() | BZX585B5V1 RKG | - - - | ![]() | 1899 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZX585B5 | 200 MW | SOD-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,8 µa @ 2 V | 5.1 v | 60 Ohm | ||||||||||||
![]() | SR002 A0G | - - - | ![]() | 7630 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | SR002 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 550 MV @ 500 mA | 500 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 500 mA | 110PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
Es1fl Mtg | - - - | ![]() | 3883 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Es1f | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||
SS36LWH | 0,5300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | SS36 | Schottky | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 3 a | 200 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||
SS24LHM2G | - - - | ![]() | 1107 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS24 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 2 a | 400 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | |||||||||||
![]() | SRS1620 Mng | - - - | ![]() | 3485 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SRS1620 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 20 v | 16a | 550 mV @ 8 a | 500 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||
![]() | MBRS1560CTHMNG | - - - | ![]() | 2399 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRS1560 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 15a | 750 mV @ 7,5 a | 100 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | SR1203 B0G | - - - | ![]() | 6444 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SR1203 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 12 a | 500 µa @ 30 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - - - | ||||||||||
![]() | SFA1003GHC0G | - - - | ![]() | 8659 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 | SFA1003 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 975 mv @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 70pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SRAF1060 C0G | - - - | ![]() | 7175 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SRAF1060 | Schottky | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 10 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||
RS1KL RVG | 0,4500 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | RS1K | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 800 mA | 500 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | MUR160 B0G | - - - | ![]() | 7205 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | Mur160 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 27pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
HS1ML MTG | - - - | ![]() | 5813 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | HS1M | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N4764A R1G | - - - | ![]() | 1315 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4764 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µa @ 76 V | 100 v | 350 Ohm | ||||||||||||
![]() | SRF1090HC0G | - - - | ![]() | 5824 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SRF1090 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 90 v | 10a | 900 mv @ 5 a | 100 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | MBR10200CT | 0,5302 | ![]() | 9686 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | MBR1020 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 10a | 980 mv @ 10 a | 100 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | SFAF804G | - - - | ![]() | 7519 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SFAF804 | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 90pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | BZT52B2V4 RHG | 0,2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 mA | 45 µa @ 1 V | 2,4 v | 100 Ohm | |||||||||||
![]() | MBRF750HC0G | - - - | ![]() | 1287 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | MBRF750 | Schottky | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 750 mV @ 7,5 a | 100 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | - - - | ||||||||||
HS1gl RVG | 0,6700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Hs1g | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
SS22L MHG | - - - | ![]() | 1045 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS22 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 500 mV @ 2 a | 400 µA @ 20 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | |||||||||||
S1mlhrtg | - - - | ![]() | 7093 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S1ml | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SRAF540 | - - - | ![]() | 6645 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Schottky | ITO-220AC | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SRAF540 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 mV @ 5 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 5a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus