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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1SMB5933H | 0,1545 | ![]() | 5403 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1SMB5933 | 3 w | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 16,7 V | 22 v | 17,5 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 1PGSMB5926HR5G | 0,6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1PGSMB5926 | 3 w | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µa @ 8,4 V | 11 v | 5,5 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 1SMB5949HR5G | - - - | ![]() | 3507 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1SMB5949 | 3 w | Do-214AA (SMB) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µa @ 76 V | 100 v | 250 Ohm | ||||||||||||||
![]() | M3Z27VC | 0,0294 | ![]() | 9814 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | M3Z27 | 200 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-M3Z27VCTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 100 na @ 20 V | 27 v | 80 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SRS2060 Mng | - - - | ![]() | 2049 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SRS2060 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 20a | 700 mv @ 10 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | MUR360S R6G | - - - | ![]() | 7835 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MUR360SR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 3 a | 50 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||
ES1HL MQG | - - - | ![]() | 6314 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Es1h | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | LL5819 L0 | - - - | ![]() | 8583 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | LL5819 | Schottky | Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | LL5819L0 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 900 mv @ 3 a | 500 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BZT52C8V2S RRG | - - - | ![]() | 1261 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | BZT52C | 200 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 mA | 630 na @ 5 v | 8.2 v | 15 Ohm | |||||||||||||
![]() | ESH1JM RSG | - - - | ![]() | 7885 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Esh1 | Standard | Micro SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,5 V @ 1 a | 25 ns | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 3PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | S12JC M6G | - - - | ![]() | 5040 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S12J | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 12 a | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | 78PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | TSZU52C10 RGG | 0,0669 | ![]() | 7955 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0603 (1608 Metrik) | TSZU52 | 150 MW | 0603 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 7,5 V. | 10 v | 15 Ohm | |||||||||||||
![]() | Mur320SHR7G | - - - | ![]() | 5096 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Mur320 | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 875 mv @ 3 a | 25 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||
![]() | MTZJ39SF | 0,0305 | ![]() | 7975 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | MTZJ39 | 500 MW | Do-34 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MTZJ39SFTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 200 na @ 30 v | 39.13 v | 85 Ohm | ||||||||||||||
![]() | BZX79C20 A0G | - - - | ![]() | 2058 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX79 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 100 mA | 50 na @ 14 v | 20 v | 55 Ohm | |||||||||||||
![]() | SRS1630HMNG | - - - | ![]() | 8436 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SRS1630 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 16a | 550 mV @ 8 a | 500 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||
![]() | PU1DM | 0,4200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | PU1D | Standard | Micro SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 12.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,05 V @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 18PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | Mbrf30100ct-y | 0,7462 | ![]() | 1741 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF30100 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-mbrf30100ct-y | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 30a | 950 mv @ 30 a | 200 µA @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | BZT55C3V3 L0G | 0,0350 | ![]() | 3299 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 mA | 2 µa @ 1 V | 3.3 v | 85 Ohm | |||||||||||||
BZD17C180p RFG | - - - | ![]() | 6950 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,38% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 130 V | 180 v | 450 Ohm | ||||||||||||||
![]() | S2MAF-T | 0,0988 | ![]() | 7630 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | Standard | Smaf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-S2MAF-TTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 2 a | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 11pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | UF4007HB0G | - - - | ![]() | 2414 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | UF4007 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | SF1001GH | - - - | ![]() | 9849 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SF1001 | Standard | To-220ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SF1001GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 50 v | 10a (DC) | 975 mv @ 5 a | 35 ns | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
RS1DL MQG | - - - | ![]() | 9662 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | RS1D | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
GBPC2510 T0G | - - - | ![]() | 1743 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | GBPC2510 | Standard | GBPC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 12.5 a | 5 µA @ 1000 V | 25 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||
![]() | ES2FHR5G | - - - | ![]() | 8613 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Es2f | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,3 V @ 2 a | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | GBPC1510m | 3.1618 | ![]() | 1520 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | GBPC15 | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | 4 Quadratmeter, GBPC-M | GBPC1510 | Standard | GBPC-M | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-GBPC1510m | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V @ 7,5 a | 5 µA @ 1000 V | 15 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||
![]() | 2m36zh | 0,1667 | ![]() | 1354 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 2m36 | 2 w | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.500 | 500 NA @ 27,4 V. | 36 v | 25 Ohm | ||||||||||||||
![]() | UDZS6V8B | 0,0354 | ![]() | 9616 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | UDZS6V8 | 200 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-udzs6v8btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,8 µa @ 4 V. | 6,8 v | 30 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 1N5395GH | 0,0760 | ![]() | 3211 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 1N5395 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 1,5 a | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 15PF @ 4V, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus