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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SK85C R7G | - - - | ![]() | 7966 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SK85 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 750 mv @ 8 a | 500 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||
![]() | 1m150z B0G | - - - | ![]() | 9947 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1m150 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 5 µa @ 114 V | 150 v | 1000 Ohm | |||||||||||||
ESDLW RVG | 0,1337 | ![]() | 8259 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | ESDLW | Standard | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 MV @ 800 mA | 35 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 21PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | Heraf1601g C0g | - - - | ![]() | 5181 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Heraf1601 | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 16 a | 50 ns | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 150pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
HS1M | 0,4000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | HS1M | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | MBRF2560CTHC0G | - - - | ![]() | 9272 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF2560 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 25a | 750 MV @ 12.5 a | 2 ma @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | 6A10GH | - - - | ![]() | 2303 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | R-6, axial | Standard | R-6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-6A10GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 6 a | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 60pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | Mur190ah | - - - | ![]() | 3002 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | DO-204AL (DO-41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-mur190ahtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 900 V | 1,7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 900 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BZX55B51 A0G | - - - | ![]() | 4521 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1 V @ 100 mA | 100 Na @ 38 V. | 51 v | 125 Ohm | ||||||||||||
SS34L RHG | - - - | ![]() | 7346 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS34 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||
![]() | 1N4937GHA0G | - - - | ![]() | 5605 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4937 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | MBRF10200CTC0 | - - - | ![]() | 9163 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF1020 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 10a | 980 mv @ 10 a | 100 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | BZV55B3V9 L1G | - - - | ![]() | 8033 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZv55b | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 100 mA | 2 µa @ 1 V | 3,9 v | 85 Ohm | ||||||||||||
1SMA130Z | 0,1229 | ![]() | 4109 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA130 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1 µA @ 98,8 V | 130 v | 700 Ohm | ||||||||||||||
SS19LHR3G | 0,2790 | ![]() | 3280 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS19 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 800 mV @ 1 a | 50 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||
![]() | 1PGSMB5954 R5G | - - - | ![]() | 1302 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1PGSMB5954 | 3 w | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 121,6 V. | 160 v | 700 Ohm | |||||||||||||
HS1gl M2G | - - - | ![]() | 7568 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Hs1g | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | SK84C V7G | - - - | ![]() | 8131 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SK84 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||
Es1jl Teppich | 0,2438 | ![]() | 4708 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Es1j | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||||
BZD27C220PHM2G | - - - | ![]() | 5389 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,66% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 160 V | 220,5 v | 900 Ohm | |||||||||||||
![]() | AZ23C5V1 RFG | 0,0786 | ![]() | 6168 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 na @ 800 mv | 5.1 v | 60 Ohm | ||||||||||||
![]() | BZS55B5V1 RAG | - - - | ![]() | 5845 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik) | BZS55 | 500 MW | 1206 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZS55B5V1RAGTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 na @ 1 v | 5.1 v | 50 Ohm | |||||||||||
![]() | PUAD10BCH | 0,9500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | PUAD10 | Standard | Thindpak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 950 mv @ 10 a | 25 ns | 2 µa @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||
![]() | BZT52C47S RRG | - - - | ![]() | 3372 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | BZT52C | 200 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 33 v | 47 v | 170 Ohm | ||||||||||||
![]() | BZY55C16 RYG | 0,0350 | ![]() | 1011 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0805 (Metrik 2012) | BZY55 | 500 MW | 0805 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 12 V. | 16 v | 40 Ohm | ||||||||||||
![]() | FR153GHB0G | - - - | ![]() | 6957 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | FR153 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 1,5 a | 150 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
BZT52B6V2-G RHG | 0,0461 | ![]() | 9574 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||
SS14L MQG | - - - | ![]() | 8881 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS14 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 400 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||
![]() | 1PGSMB5944H | 0,1798 | ![]() | 9767 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 3 w | Do-214AA (SMB) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 47,1 V | 62 v | 100 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SRA1690 C0G | - - - | ![]() | 5997 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SRA1690 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 920 mv @ 16 a | 100 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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