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Dioden (14739)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX584B22 | 0,0379 |  | 9824 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZX584B22TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 15,4 V. | 22 v | 55 Ohm | |||||||||||||
 | SS22L RTG | - - - | | 1482 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS22 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 500 mV @ 2 a | 400 µA @ 20 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||
 | SSL23H | 0,2793 | | 2420 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SSL23 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 410 mv @ 2 a | 400 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||
| BZD27C6V8PHRTG | - - - | | 6414 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 3 V | 6,8 v | 3 Ohm | |||||||||||||
 | KBU801G T0G | - - - | | 3398 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Tablett | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBU | Standard | KBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | KBU801GT0G | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V @ 8 a | 5 µa @ 50 V | 8 a | Einphase | 50 v | |||||||||||||
| BZD17C62P MTG | - - - | | 4193 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 47 V | 62 v | 80 Ohm | |||||||||||||
 | TSF20H200C | 1.1388 | | 2565 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | TSF20 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 10a | 930 mv @ 10 a | 100 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
| RSFGL MHG | - - - | | 4682 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Rsfgl | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 500 mA | 150 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | 4PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| BZT52C47K | 0,0474 | | 6258 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT52C47KTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 2 µa @ 36 V | 47 v | 170 Ohm | ||||||||||||||
 | Heraf802g C0g | - - - | | 9184 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Heraf802 | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 8 a | 50 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| SS115L RFG | - - - | | 2580 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS115 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 900 mv @ 1 a | 50 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||
 | 2M180Z B0G | - - - | | 8166 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 2m180 | 2 w | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 NA @ 136,8 V. | 180 v | 725 Ohm | ||||||||||||||
 | SF46GHA0G | - - - | | 7384 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SF46 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 4 a | 35 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | UF1AHA0G | - - - | | 8303 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | UF1a | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
| RSFGL M2G | - - - | | 2003 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Rsfgl | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 500 mA | 150 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | 4PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | MBRS16150HMNG | - - - | | 8275 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRS16150 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 950 mv @ 16 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - - - | ||||||||||||
 | BZT52B62 RHG | 0,0453 | | 7138 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 43.4 v | 62 v | 215 Ohm | |||||||||||||
 | 1SMA5949 | 0,0935 | | 1962 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1SMA5949 | 1,5 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 500 NA @ 76 V | 100 v | 250 Ohm | ||||||||||||||
 | TPAR3J | 0,2997 | | 3538 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | TPAR3 | Lawine | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TPAR3JTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,55 V @ 3 a | 120 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 58PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | SR302 | 0,2282 | | 8186 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SR302TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 550 mV @ 3 a | 500 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||
| S1DL RFG | - - - | | 4255 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S1d | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
| SS515FSH | 0,1596 | | 8761 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | SS515 | Schottky | SOD-128 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SSS515fshtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 950 mv @ 5 a | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 126PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| Es1glw | 0,0972 | | 5549 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | Standard | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-es1glwtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 20pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
| 1N4739G R0G | 0,0627 | | 1481 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4739 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 7 V. | 9.1 v | 5 Ohm | |||||||||||||
| SFAF1603GHC0G | - - - | | 2695 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SFAF1603 | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 975 mv @ 16 a | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 130pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
| 1SMB5941 | 0,1467 | | 2165 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1SMB5941 | 3 w | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 35,8 V. | 47 v | 67 Ohm | ||||||||||||||
| 1PGSMB5955 R5G | - - - | | 4694 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1PGSMB5955 | 3 w | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 136,8 V. | 180 v | 900 Ohm | ||||||||||||||
| 1N4148WS | 0,0408 | | 2251 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 1N4148 | Standard | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-1n4148wstr | Ear99 | 8541.10.0080 | 9.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 5 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
| BZD27C51PHHRUG | - - - | | 9920 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 39 V | 51 v | 60 Ohm | |||||||||||||
| S3dh | 0,1561 | | 6193 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,15 V @ 3 a | 1,5 µs | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4v, 1 MHz |
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