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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HER603G B0G | - - - | ![]() | 5340 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | R-6, axial | HER603 | Standard | R-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 6 a | 50 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | MBRF1045CT | - - - | ![]() | 4327 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF104 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 10a | 800 mV @ 10 a | 100 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
![]() | SFA802GHC0G | - - - | ![]() | 5808 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SFA802 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 975 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 100pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | MBRS20H150CT MNG | - - - | ![]() | 1500 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRS20 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 20a | 970 mv @ 2 a | 5 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
![]() | 1PGSMC5362 V7G | - - - | ![]() | 3911 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 w | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-1pgsmc5362v7gtr | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 NA @ 21.2 V. | 28 v | 6 Ohm | ||||||||||||
![]() | SR506 A0G | 0,9000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SR506 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 5 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||
![]() | AZ23C30 | 0,0786 | ![]() | 9905 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-AZ23C30TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 NA @ 22,5 V. | 30 v | 80 Ohm | ||||||||||||
![]() | 2M200Z B0G | - - - | ![]() | 4337 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 2m200 | 2 w | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 NA @ 152 V. | 200 v | 900 Ohm | |||||||||||||
BZD17C24P R3G | - - - | ![]() | 5238 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,83% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 18 V | 24 v | 15 Ohm | |||||||||||||
![]() | MMSZ5235B | 0,0433 | ![]() | 9274 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | MMSZ5235 | 500 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-mmsz5235btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 5 V | 6,8 v | 5 Ohm | ||||||||||||
![]() | 1N5248B A0G | - - - | ![]() | 6196 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 5% | 100 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5248 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 Ohm | ||||||||||||
![]() | HER602G A0G | - - - | ![]() | 8238 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | R-6, axial | HER602 | Standard | R-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 700 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 6 a | 50 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | HER604G B0G | - - - | ![]() | 5256 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | R-6, axial | HER604 | Standard | R-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1 V @ 6 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SR004 A0G | - - - | ![]() | 5258 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | SR004 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 MV @ 500 mA | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 500 mA | 110PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
BZD27C75P MQG | - - - | ![]() | 5914 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,04% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 56 V | 74,5 v | 100 Ohm | |||||||||||||
![]() | 2m110z | 0,1565 | ![]() | 8201 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 2m110 | 2 w | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.500 | 500 NA @ 83.6 V. | 110 v | 250 Ohm | |||||||||||||
SS1H4LS RVG | 0,5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123H | SS1H4 | Schottky | SOD-123HE | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 650 mv @ 1 a | 1 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||
SS15L M2G | - - - | ![]() | 9065 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS15 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 700 mv @ 1 a | 400 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||
![]() | SF38GHA0G | - - - | ![]() | 7281 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SF38 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | RS3JH | 0,1756 | ![]() | 5678 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 3 a | 250 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||
![]() | HS5D R7G | - - - | ![]() | 6050 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | HS5d | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BZX84C6V8 RFG | 0,0511 | ![]() | 1177 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 15 Ohm | ||||||||||||
![]() | MBRF10H90 C0 | - - - | ![]() | 2251 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | MBRF10 | - - - | 1801-MBRF10H90C0 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS20H200CT | 0,7722 | ![]() | 9101 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRS20 | Schottky | To-263ab (D2pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MBRS20H200CTTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 20a | 970 mv @ 20 a | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
![]() | HER301G R0G | - - - | ![]() | 6003 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Do-201ad, axial | HER301 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1m150zhb0g | - - - | ![]() | 3206 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1m150 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 5 µa @ 114 V | 150 v | 1000 Ohm | |||||||||||||
![]() | BZS55B9V1 RXG | - - - | ![]() | 4236 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik) | BZS55 | 500 MW | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 6,8 V. | 9.1 v | 10 Ohm | ||||||||||||
![]() | Bas21c RFG | 0,0523 | ![]() | 4425 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas21 | Standard | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 250 V | 200 ma | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | Bat54t Reg | - - - | ![]() | 2858 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bat54 | Schottky | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 3 Unabhängig | 30 v | 200 Ma (DC) | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||
![]() | 6A10GHR0G | - - - | ![]() | 7299 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | R-6, axial | 6A10 | Standard | R-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 6 a | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 60pf @ 4v, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus