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Dioden (14739)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MTZJ7V5SC | 0,0305 |  | 4150 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | Mtzj7 | 500 MW | Do-34 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MTZJ7V5SCTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 500 na @ 4 v | 7,5 v | 20 Ohm | ||||||||||||||
 | SFAF2008GH | - - - | | 10000 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Standard | ITO-220AC | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SFAF2008GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 20 a | 35 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | 150pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| S4g R7 | - - - | | 6304 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-s4gr7tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,15 V @ 4 a | 1,5 µs | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 60pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
| SK810c M6 | - - - | | 3596 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Schottky | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-sk810cm6tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 900 mv @ 8 a | 500 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||
| Es3ch | - - - | | 8708 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-es3Chtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| HS5B M6 | - - - | | 9861 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-HS5BM6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 5 a | 50 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | Rs1mls | 0,0597 | | 3606 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123H | Standard | SOD-123HE | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-rs1mlstr | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 1,2 a | 300 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | - - - | ||||||||||||
| MBRF30150cth | 1.4127 | | 4705 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF30150 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-mbrf30150cth | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 30a | 1,05 V @ 30 a | 200 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
 | BZT52C8V2-G | 0,0445 | | 5647 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT52C8V2-GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 900 mv @ 10 mA | 700 NA @ 5 V. | 8.2 v | 15 Ohm | |||||||||||||
 | ES2DFS | 0,4200 | | 5 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Es2d | Standard | SOD-128 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 18PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | MUR310S R7G | - - - | | 3006 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Mur310 | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 875 mv @ 3 a | 25 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||
| Mur420sh | 0,2661 | | 2890 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 875 mv @ 4 a | 25 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 65PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| UGF1606GH | 0,6437 | | 1080 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | UGF1606 | Standard | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-ugf1606gh | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 400 V | 16a | 1,25 V @ 8 a | 25 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
| S5J R6 | - - - | | 6595 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-S5JR6tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,15 V @ 5 a | 1,5 µs | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 60pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
| RS3K R6 | - - - | | 9650 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-RS3KR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 3 a | 500 ns | 10 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||
| S2galh | 0,0683 | | 8255 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | Standard | Dünner SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-s2Galhtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 28.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 2 a | 1 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 12pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
| SFS1004G | 0,6044 | | 4383 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SFS1004 | Standard | To-263ab (D2pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SFS1004GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 10a | 975 mv @ 5 a | 35 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
 | 1N4740A | 0,1642 | | 4253 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4740 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 10 µa @ 7,6 V | 10 v | 7 Ohm | ||||||||||||||
 | ES2AHM4G | - - - | | 8559 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Es2a | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 25pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
| RS3MFSH | 0,1035 | | 7782 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Standard | SOD-128 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-RS3MFSHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 3 a | 160 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | Es1al | 0,2408 | | 6838 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-ES1Altr | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
| Es3a R6 | - - - | | 3341 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-es3ar6tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| Tuar4gh | 0,2022 | | 6727 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Tuar4 | Standard | SMPC4.6U | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-tuar4ghtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,4 V @ 4 a | 150 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 31PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | SS14LHRQG | - - - | | 9450 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS14 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 400 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||
 | BZX584B15 RSG | 0,4800 | | 113 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 100 Na @ 10,5 V. | 15 v | 30 Ohm | ||||||||||||||
| Mtzj7v5sa | 0,0305 | | 2881 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | Mtzj7 | 500 MW | Do-34 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MTZJ7V5SATR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 500 na @ 4 v | 7,5 v | 20 Ohm | ||||||||||||||
 | MBRAD845H | 0,7200 | | 2252 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MBRAD845 | Schottky | Thindpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 700 mv @ 8 a | 100 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 384pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | BZV55C2v4 | 0,0333 | | 3577 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZV55C | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZV55C2V4TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 mA | 50 µa @ 1 V | 2,4 v | 85 Ohm | |||||||||||||
| 1N5238B | 0,0271 | | 5421 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5238 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-1n5238btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6,5 V. | 8,7 v | 8 Ohm | |||||||||||||
 | DBL159G | 0,2700 | | 8301 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DBL159 | Standard | Dbl | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,25 V @ 1,5 a | 2 µa @ 1400 V | 1,5 a | Einphase | 1,4 kv |
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