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Dioden(191)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Montageart | Paket/Koffer | Technologie | Gerätepaket des Lieferanten | REACH-Status | Andere Namen | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If | Reverse Recovery Time (trr) | Strom – Rückwärtsleckage bei Vr | Betriebstemperatur – Verbindungsstelle | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Kapazität @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G5S06510PT | - |  | 4718 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S06510PT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V bei 10 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 39A | 645 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
 | G3S12002D | - | | 1785 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-263 | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S12002D | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V bei 2 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 7A | 136pF bei 0V, 1MHz | |||
| G4S06510PT | - | | 2628 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G4S06510PT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 10 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 31,2A | 550pF bei 0V, 1MHz | |||
 | G5S12015L | - | | 7402 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S12015L | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V bei 15 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 55A | 1370pF bei 0V, 1MHz | |||
 | G4S06515AT | - | | 9527 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G4S06515AT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 15 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 36A | 645 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
 | G3S06503C | - | | 3687 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252 | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06503C | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 3 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 11,5A | 181 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06510P | - | | 9563 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06510P | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 10 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 32,8A | 690pF bei 0V, 1MHz | |||
| G3S12010B | - | | 1370 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S12010B | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 1200 V | 39A (DC) | 1,7 V bei 5 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
| G3S06520P | - | | 8397 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06520P | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 20 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 60A | 1170pF bei 0V, 1MHz | |||
 | G3S06502H | - | | 7415 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 Komplettpaket | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220F | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06502H | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 2 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 9A | 123 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G5S12015PM | - | | 8703 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S12015PM | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V bei 15 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 55A | 1370pF bei 0V, 1MHz |
2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
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