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Dioden(191)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Montageart | Paket/Koffer | Technologie | Gerätepaket des Lieferanten | REACH-Status | Andere Namen | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If | Reverse Recovery Time (trr) | Strom – Rückwärtsleckage bei Vr | Betriebstemperatur – Verbindungsstelle | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Kapazität @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G4S06515QT | - |  | 4219 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | 4-PowerTSFN | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | 4-DFN (8x8) | Anbieter nicht definiert | 4436-G4S06515QT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 15 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 53A | 645 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
 | G5S06505DT | - | | 6707 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-263 | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S06505DT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V bei 5 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 24A | 395 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
 | G5S12016BM | - | | 8991 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S12016BM | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 1200 V | 27,9 A (Gleichstrom) | 1,7 V bei 8 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
 | G5S06506CT | - | | 9063 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252 | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S06506CT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V bei 6 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 24A | 395 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
 | G3S12050P | - | | 8723 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S12050P | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,8 V bei 150 A | 0 ns | 100 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 117A | 7500pF bei 0V, 1MHz | |||
| G5S12010C | - | | 3634 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252 | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S12010C | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V bei 10 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 34,2A | 825pF bei 0V, 1MHz | |||
| G3S17010B | - | | 1903 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S17010B | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 1700 V | 29,5 A (Gleichstrom) | 1,7 V bei 5 A | 0 ns | 50 µA bei 1700 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
| G3S06516B | - | | 9651 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06516B | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 650 V | 25,5 A (Gleichstrom) | 1,7 V bei 8 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
| G4S06515CT | - | | 1064 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252 | Anbieter nicht definiert | 4436-G4S06515CT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 15 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 35,8A | 645 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
 | G5S06502AT | - | | 5626 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S06502AT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V bei 2 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 9,6A | 124 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G3S12010BM | - | | 9513 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S12010BM | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 1200 V | 19,8 A (Gleichstrom) | 1,7 V bei 5 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
| G4S12020A | - | | 4610 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Anbieter nicht definiert | 4436-G4S12020A | 1 | |||||||||||||||
 | G3S12003H | - | | 8501 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 Komplettpaket | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220F | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S12003H | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V bei 3 A | 0 ns | 100 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 9A | 260pF bei 0V, 1MHz | |||
| G3S06510B | - | | 3673 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06510B | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 650 V | 27A (DC) | 1,7 V bei 5 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
| G5S06506AT | - | | 5460 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S06506AT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V bei 6 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 24,5A | 395 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06540B | - | | 6451 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06540B | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 650 V | 60A (DC) | 1,7 V bei 20 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
| G5S06508PT | - | | 9174 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S06508PT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V bei 8 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 31,2A | 550pF bei 0V, 1MHz | |||
| G4S06540PT | - | | 9743 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G4S06540PT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 40 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 81,8A | 1860pF bei 0V, 1MHz | |||
| G5S12008A | - | | 6670 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S12008A | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V bei 8 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 24,8A | 550pF bei 0V, 1MHz | |||
| G5S06506QT | - | | 1714 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | 4-PowerTSFN | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | 4-DFN (8x8) | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S06506QT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V bei 6 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 34A | 395 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G5S06508DT | - | | 8838 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-263 | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S06508DT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V bei 8 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 32A | 550pF bei 0V, 1MHz | |||
| G3S06530PM | - | | 9182 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06530PM | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 30 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | - | 92A | 2010pF bei 0V, 1MHz | |||
| G5S12020A | - | | 4021 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S12020A | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V bei 20 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 63,5A | 1320pF bei 0V, 1MHz | |||
| G5S06504QT | - | | 2284 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | 4-PowerTSFN | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | 4-DFN (8x8) | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S06504QT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,55 V bei 4 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 14A | 181 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G4S06515PT | - | | 2277 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G4S06515PT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 15 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 39A | 645 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06503H | - | | 1190 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 Komplettpaket | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220F | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06503H | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 3 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 10A | 181 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G4S06508HT | - | | 4162 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 Komplettpaket | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220F | Anbieter nicht definiert | 4436-G4S06508HT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 8 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 18,5A | 395 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G3S12003C | - | | 2873 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252 | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S12003C | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V bei 3 A | 0 ns | 100 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 12A | 260pF bei 0V, 1MHz | |||
| G5S06508QT | - | | 9772 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | 4-PowerTSFN | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | 4-DFN (8x8) | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S06508QT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V bei 8 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 44,9A | 550pF bei 0V, 1MHz | |||
| G3S06510M | - | | 2397 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 Komplettpaket | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220F | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06510M | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 10 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 21A | 690pF bei 0V, 1MHz |
2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
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