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Dioden(191)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Montageart | Paket/Koffer | Technologie | Gerätepaket des Lieferanten | REACH-Status | Andere Namen | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If | Reverse Recovery Time (trr) | Strom – Rückwärtsleckage bei Vr | Betriebstemperatur – Verbindungsstelle | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Kapazität @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G4S06506CT | - |  | 2464 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252 | Anbieter nicht definiert | 4436-G4S06506CT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,8 V bei 6 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 13,8A | 181 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
 | G3S06506A | - | | 2926 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06506A | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 6 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 22,6A | 424 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
 | G4S12010PM | - | | 8391 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G4S12010PM | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 0 ns | -55 °C ~ 175 °C | 33,2A | - | |||||
| GAS06520A | - | | 3596 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220AC | Anbieter nicht definiert | 4436-GAS06520A | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 20 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 66A | 1390pF bei 0V, 1MHz | |||
 | G3S06504H | - | | 1905 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 Komplettpaket | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220F | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06504H | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 4 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 10A | 181 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G5S06508HT | - | | 1465 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 Komplettpaket | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220F | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S06508HT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V bei 8 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 20A | 550pF bei 0V, 1MHz | |||
 | G3S06508J | - | | 4913 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 isolierte Registerkarte | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220ISO | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06508J | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 8 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 23A | 550pF bei 0V, 1MHz | |||
| G3S06504A | - | | 5918 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06504A | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 4 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 11,5A | 181 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G3S065100P | - | | 2794 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S065100P | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 40 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 40A | 13500pF bei 0V, 1MHz | |||
| G3S06510A | - | | 4908 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06510A | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 10 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 35A | 690pF bei 0V, 1MHz | |||
 | G5S12040B | - | | 8630 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S12040B | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 1200 V | 62A (DC) | 1,7 V bei 20 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
| G3S12004B | - | | 6760 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S12004B | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 1200 V | 8,5 A (Gleichstrom) | 1,7 V bei 2 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
| G5S12005C | - | | 1555 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252 | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S12005C | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V bei 5 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 20,95A | 424 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G4S06516BT | - | | 5550 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-G4S06516BT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 650 V | 25,9 A (Gleichstrom) | 1,7 V bei 8 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
| G4S06508AT | - | | 3775 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G4S06508AT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 8 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 24,5A | 395 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06512B | - | | 9651 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06512B | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 650 V | 27A (DC) | 1,7 V bei 6 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
| G4S12040BM | - | | 1055 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-G4S12040BM | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 1200 V | 64,5 A (Gleichstrom) | 1,6 V bei 20 A | 0 ns | 30 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
 | G5S06510DT | - | | 2481 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-263 | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S06510DT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V bei 10 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 38A | 645 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G5S12030BM | - | | 9456 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S12030BM | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 1200 V | 55A (DC) | 1,7 V bei 15 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
| G5S12008PM | - | | 2245 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S12008PM | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V bei 8 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 27,9A | 550pF bei 0V, 1MHz | |||
 | G52YT | - | | 7769 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | DO-214AC, SMA | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | SMA | Anbieter nicht definiert | 4436-G52YT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 2 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 5,8A | 116,75 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
 | G5S06510QT | - | | 2093 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | 4-PowerTSFN | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | 4-DFN (8x8) | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S06510QT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V bei 10 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 53A | 645 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G3S12030B | - | | 4934 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S12030B | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 1200 V | 42A (DC) | 1,7 V bei 15 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
| G3S06004J | - | | 5027 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 isolierte Registerkarte | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220ISO | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06004J | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 600 V | 1,7 V bei 4 A | 0 ns | 50 µA bei 600 V | -55 °C ~ 175 °C | 11A | 181 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06530P | - | | 5082 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06530P | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 30 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 95A | 2150pF bei 0V, 1MHz | |||
| G5S06508AT | - | | 8126 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S06508AT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V bei 8 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 30,5A | 550pF bei 0V, 1MHz | |||
| G4S12020PM | - | | 9894 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G4S12020PM | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,6 V bei 20 A | 0 ns | 30 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 64,5A | 2600pF bei 0V, 1MHz | |||
| G4S06510QT | - | | 7248 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | 4-PowerTSFN | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | 4-DFN (8x8) | Anbieter nicht definiert | 4436-G4S06510QT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 10 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 44,9A | 550pF bei 0V, 1MHz | |||
| G3S12015P | - | | 5432 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S12015P | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V bei 15 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 42A | 1379 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06510D | - | | 2278 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-263 | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06510D | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 10 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 34A | 690pF bei 0V, 1MHz |
2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
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