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Gleichrichter (74344)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SFF508G | - - - |  | 2913 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SFF508 | Standard | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 2,5 a | 35 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||
 | 1N5402-ap | - - - | | 4175 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | 1N5402 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 3 a | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 40pf @ 4v, 1 MHz | ||||||
 | PE4BC | 0,6500 | | 8171 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | 1 (unbegrenzt) | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 930 mv @ 4 a | 20 ns | 2 µa @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 72pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | V8PAM10S-M3/i | 0,4100 | | 548 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221BC, SMA Flat Leads Exponierte Pad | Schottky | DO-221BC (SMPA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 840 mv @ 8 a | 180 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | 2.8a | 600PF @ 4V, 1 MHz | ||||||
 | GS1006HE-AU_R1_000A1 | - - - | | 1697 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automotive, AEC-Q101, GS1000FL-AU | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SOD-123H | GS1006 | Standard | SOD-123HE | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-GS1006HE-AU_R1_000A1DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 1 a | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||
 | Murd860-Tp | 0,3074 | | 5625 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Murd860 | Standard | Dpak (to-252) | Herunterladen | 353-Murd860-Tp | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 3 V @ 8 a | 25 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | ||||||
 | SR309HA0G | - - - | | 9528 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SR309 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 850 mv @ 3 a | 100 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||
 | MP805-E3/54 | - - - | | 1826 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | MP805 | Standard | DO-204AL (DO-41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | - - - | 1a | - - - | |||||||
 | LFUSCD15120A | - - - | | 8525 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 a | 0 ns | 375 µa @ 1200 V | 175 ° C (max) | 15a | 750pf @ 1V, 1 MHz | ||||||
 | LL4150GS08 | 0,2000 | | 53 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | LL4150 | Standard | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 200 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 300 ma | 2.5PF @ 0V, 1 MHz | ||||
 | GHXS045A120S-D3 | 88,5000 | | 8493 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GHXS045 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 1200 V | 45a | 1,7 V @ 45 a | 300 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
 | 30WQ04FNTRR | - - - | | 9054 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 30WQ04 | Schottky | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 530 mv @ 3 a | 2 ma @ 40 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3.5a | - - - | |||||
 | 1N6627U/tr | 15.2250 | | 8329 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | Standard | D-5b | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6627u/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,5 V @ 4 a | 30 ns | 2 µa @ 400 V | - - - | 4a | - - - | |||||
 | SBL1060CTP | - - - | | 8540 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 isolierte RegisterKarte | Schottky | Ito-220s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | SBL1060CTPDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 5a | 700 mv @ 5 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||
 | PMEG2020EJ, 115 | 0,3800 | | 65 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | PMEG2020 | Schottky | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 525 mv @ 2 a | 200 µa @ 20 V | 150 ° C (max) | 2a | 60pf @ 5v, 1 MHz | |||||
| Mur6040pt-BP | 1.7605 | | 8508 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | Mur6040 | Standard | To-247-3 | Herunterladen | 353-MUR6040PT-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 400 V | 60a | 1,4 V @ 30 a | 50 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||
 | SS2030FL-AU_R1_000A1 | 0,4400 | | 5 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | SS2030 | Schottky | SOD-123FL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 2 a | 100 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 100pf @ 4v, 1 MHz | |||||
 | Hs1al | 0,2228 | | 1172 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-HS1Altr | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 950 mv @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||
 | E1B | 0,0230 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-e1btr | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
 | SS15AQ | 0,0450 | | 750 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-SS15AQTR | Ear99 | 7.500 | ||||||||||||||||||
 | Ugb8jthe3_a/p | - - - | | 3808 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | UGB8 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,75 V @ 8 a | 50 ns | 30 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||
| DMA50P1200HB | 5.6887 | | 9910 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | DMA50 | Standard | To-247 (ixth) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 238-DMA50P1200HB | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,3 V @ 50 a | 40 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 50a | 19PF @ 400V, 1 MHz | ||||
 | RSX205lam30TFTR | 0,4900 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | RSX205 | Schottky | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 200 µA @ 30 V. | 150 ° C (max) | 2a | - - - | ||||||
 | FR152S-AP | - - - | | 8491 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | FR152 | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 1,5 a | 150 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||
 | EGP20KTA | 0,1500 | | 34 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | EGP20 | Standard | Do-15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,7 V @ 2 a | 75 ns | 5 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 45PF @ 4V, 1 MHz | ||||
 | S1ML RHG | - - - | | 5495 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S1ml | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | ||||
 | BAW56HDW-13 | 0,0403 | | 1088 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BAW56 | Standard | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Kombinierte Gemeinsame -Anode | 100 v | 250 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | -65 ° C ~ 155 ° C. | ||||
 | 16f180 | 1.6670 | | 100 | 0.00000000 | Solid State Inc. | 16f | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Do-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-16f180 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1,2 V @ 16 a | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
 | DSB2810/Tr | - - - | | 8761 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Schottky, Umgekehrte Polarität | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-dsb2810/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 20 v | 1 V @ 35 mA | 100 na @ 15 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 75 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||
| 1N6942utk3cs/tr | 267.4800 | | 9379 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 3 | Schottky, Umgekehrte Polarität | Thinkey ™ 3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6942utk3cs/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 460 mv @ 50 a | 5 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150a | 7000pf @ 5v, 1 MHz |
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