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Gleichrichter (74344)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Ugb18dcthe3_a/i | - - - |  | 4459 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | UGB18 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 18a | 1,1 V @ 9 a | 30 ns | 10 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||
 | PUAD10BCH | 0,9500 | | 4 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | PUAD10 | Standard | Thindpak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 950 mv @ 10 a | 25 ns | 2 µa @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||
 | A180m | - - - | | 1258 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-205AA, DO-8, Stud | A180 | Standard | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 150 a | 20 mA @ 600 V | -40 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - - - | ||||||
| QRC1220R30 | - - - | | 1940 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Q10612894 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1200 V | 140a (DC) | 3,5 V @ 140 a | 150 ns | 1 mA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
 | S12GCHR7G | - - - | | 4039 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S12G | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 12 a | 1 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | 78PF @ 4V, 1 MHz | |||||
 | CDBUR0240 | 0,0805 | | 4876 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Keine Frotung | Schottky | 0603/SOD-523f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 550 MV @ 200 Ma | 10 µa @ 30 V | 125 ° C (max) | 200 ma | 9pf @ 10v, 1 MHz | ||||||
 | RB162MM-60TFTR | 0,4100 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | RB162 | Schottky | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 650 mv @ 1 a | 100 µa @ 60 V | 150 ° C (max) | 1a | - - - | |||||
 | RS3KB-T R5G | 0,4700 | | 2 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | RS3K | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 3 a | 500 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||
 | SB80W06T-H | - - - | | 1730 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | SB80 | Schottky | Tp | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 4a | 600 mv @ 3 a | 100 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
 | S3JBFL-TP | 0,0604 | | 3102 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221aa, SMB Flat Leads | S3J | Standard | SMBF | Herunterladen | 353-S3JBFL-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 1700 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 25pf @ 4v, 1 MHz | ||||||
 | VX40M45C-M3/p | 0,8448 | | 2687 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-VX40M45C-M3/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 20a | 600 mv @ 20 a | 250 µa @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||
 | MSS1P5-E3/89A | - - - | | 5516 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | MicroSmp | MSS1P5 | Schottky | MicroSMP (Do-219AD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 680 mv @ 1 a | 150 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 40pf @ 4v, 1 MHz | |||||
 | NRTS3060MFST3G | 0,7004 | | 8893 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | Schottky | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NRTS3060MFST3GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 600 mv @ 30 a | 100 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | 3140PF @ 1V, 1 MHz | |||||
 | FCHS20A08 | 1.5300 | | 960 | 0.00000000 | Kyocera avx | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Schottky | To-220 Vollmold | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 750 mv @ 10 a | 150 µa @ 80 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | |||||||
| VS-VSKE91/14 | 35.7970 | | 7873 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Add-a-Pak (3) | Vske91 | Standard | Add-a-Pak® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSVSKE9114 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1400 v | 10 mA @ 1400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 100a | - - - | |||||
 | Rs1glhrqg | - - - | | 5081 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | RS1G | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||
 | F1T7GHA0G | - - - | | 2414 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | T-18, axial | F1T7 | Standard | TS-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||
 | SS54AQ | 0,1240 | | 750 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-ss54aqtr | Ear99 | 7.500 | ||||||||||||||||||
 | 444cmq045 | 66.2045 | | 6020 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | PRM4 | 444cmq | Schottky | PRM4 (Isolier) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 444CMQ045SMC | Ear99 | 8541.10.0080 | 9 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 220a | 530 MV @ 220 a | 20 mA @ 45 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||
 | P2500m | 0,8387 | | 5079 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | P600, axial | P2500 | Standard | P600 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 2796-P2500MTR | 8541.10.0000 | 1.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 25 a | 1,5 µs | 10 µa @ 1000 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 25a | - - - | |||||
| UFR10260 | 72.8700 | | 1904 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | DO-203AB (DO-5) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-UFR10260 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1 V @ 100 a | 120 ns | 25 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 100a | 210pf @ 10V, 1 MHz | ||||||
 | EM513GP-AP | 0,0398 | | 1949 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | EM513 | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,25 V @ 1 a | 5 µa @ 1600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||
 | US1BHE3/61T | - - - | | 9494 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | US1 | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||
| S5JB | 0,1328 | | 7152 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S5J | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 5 a | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 40pf @ 4v, 1 MHz | |||||
| 1N4048R | 158.8200 | | 4458 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4048r | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 250 V | 1,3 V @ 300 a | 75 µa @ 250 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 275a | - - - | |||||||
 | FR1002GP-AP | - - - | | 7914 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | R-6, axial | FR1002 | Standard | R-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 10 a | 150 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||
 | NSVBAT54WT1G | 0,3400 | | 5 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | NSVBAT54 | Schottky | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -55 ° C ~ 125 ° C. | 200 ma | 10pf @ 1V, 1 MHz | ||||
| RHRP8120cc | 0,9400 | | 6877 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | Lawine | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 57 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1200 V | 8a | 3,2 V @ 8 a | 65 ns | 100 µA @ 1200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||
 | STPS30S45CW | - - - | | 9360 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | * | Rohr | Aktiv | STPS30 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | ||||||||||||||||
| VS-80-7649 | - - - | | 3372 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | 80-7649 | - - - | 112-VS-80-7649 | 1 |
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