SIC
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Gleichrichter (74344)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f
VS-2EJH01HM3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2EJH01HM3/6A 0,1742
RFQ
 ECAD 7362 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101, Fred Pt® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-221AC, SMA Flat Leads 2EJH01 Standard Do-221AC (Slimsma) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 930 mv @ 2 a 25 ns 2 µa @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 2a - - -
CGRAT105-HF Comchip Technology CGRAT105-HF - - -
RFQ
 ECAD 1195 0.00000000 Comchip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 2-smd, Keine Frotung Standard 2010/do-214ac Herunterladen 1 (unbegrenzt) 641-CGRAT105-HFTR Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1 V @ 1 a 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 8PF @ 4V, 1 MHz
G5S06506HT Global Power Technology-GPT G5S06506HT 4.8300
RFQ
 ECAD 1799 0.00000000 Global Power Technology-GPT - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch To-220-2 Full Pack SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220f Herunterladen 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,5 V @ 6 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 18,5a 395PF @ 0V, 1MHz
RB520S-30Q Yangjie Technology RB520S-30Q 0,0240
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv RB520 - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-RB520S-30qtr Ear99 8.000
1N5187/TR Microchip Technology 1n5187/tr 8.2800
RFQ
 ECAD 2690 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch B, axial Standard B, axial Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n5187/tr Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,5 V @ 9 a 200 ns 2 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 3a - - -
FFSP1065B-F085 onsemi FFSP1065B-F085 4.3700
RFQ
 ECAD 3091 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 FFSP1065 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 2832-FFSP1065B-F085 Ear99 8541.10.0080 800 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 a 0 ns 40 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a 421pf @ 1V, 100 kHz
JANTXV1N6081/TR Microchip Technology Jantxv1n6081/tr 51.3300
RFQ
 ECAD 7765 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/503 Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch G, axial Standard G, axial - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1N6081/Tr Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 150 v 1,5 V @ 37,7 a 30 ns 1 µA @ 150 V -65 ° C ~ 155 ° C. 2a - - -
UFS160G/TR13 Microchip Technology UFS160G/TR13 0,8250
RFQ
 ECAD 9389 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung DO-215AA, SMB Möwenflügel Standard, Umgekehrte Polarität SMBG (Do-215AA) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-UFS160G/TR13TR Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,2 V @ 1 a 60 ns 20 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a - - -
ES5G-T Taiwan Semiconductor Corporation Es5g-t 0,2874
RFQ
 ECAD 8644 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC Standard Do-214AB (SMC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-ES5G-TTR Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,3 V @ 5 a 35 ns 10 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 123pf @ 4V, 1 MHz
BAS70-05W-QF Nexperia USA Inc. BAS70-05W-QF 0,0434
RFQ
 ECAD 3503 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Bas70 Schottky SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1727-Bas70-05W-Qftr Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Gemeinsamer Kathode 70 V 70 Ma (DC) 1 V @ 15 mA 10 µa @ 70 V 150 ° C.
JANS1N5712UR-1 Microchip Technology JANS1N5712UR-1 - - -
RFQ
 ECAD 3245 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/444 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Do-213aa Schottky Do-213aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jans1n5712ur-1 Ear99 8541.10.0070 50 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 16 v 1 V @ 35 mA 150 NA @ 16 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 75 Ma 2PF @ 0V, 1MHz
FS1AFL-TP Micro Commercial Co FS1AFL-TP 0,0511
RFQ
 ECAD 7517 0.00000000 Micro Commercial co - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Do-221AC, SMA Flat Leads FS1a Standard Do-221AC (SMA-FL) Herunterladen 353-FS1AFL-TP Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 50 v 1,1 V @ 2 a 5 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 20pf @ 4v, 1 MHz
SBT30120LFCT_T0_00001 Panjit International Inc. SBT30120LFCT_T0_00001 0,4617
RFQ
 ECAD 5628 0.00000000 Panjit International Inc. - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack SBT30120 Schottky ITO-220AB - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3757-SBT30120LFCT_T0_00001 Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 120 v 15a 840 mv @ 15 a 30 µA @ 120 V -55 ° C ~ 150 ° C.
VS-HFA25TB60-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA25TB60-M3 1.8900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Hexfred® Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 HFA25 Standard To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 2 V @ 50 a 75 ns 20 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 25a - - -
S24F Yangjie Technology S24F 0,0350
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-S24FTR Ear99 3.000
GFA00JJ-L09H-PRD onsemi GFA00JJ-L09H-PRD - - -
RFQ
 ECAD 5972 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 488-GFA00JJ-L09H-PRD Veraltet 1
1S2076TA-E-Q Renesas Electronics America Inc 1S2076ta-eq 0,1400
RFQ
 ECAD 175 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. * Schüttgut Aktiv 1S2076 - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0070 1
SBYV28-150-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBYV28-150-E3/73 - - -
RFQ
 ECAD 4741 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Box (TB) Aktiv K. Loch Do-201ad, axial SBYV28 Standard Do-201ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 150 v 1,1 V @ 3,5 a 20 ns 5 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3.5a 20pf @ 4v, 1 MHz
SD820YS_S2_00001 Panjit International Inc. SD820YS_S2_00001 0,3456
RFQ
 ECAD 2388 0.00000000 Panjit International Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 SD820 Schottky To-252 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 81.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 550 mV @ 8 a 200 µa @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 8a - - -
VS-MBRB1035HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB1035HM3 0,9075
RFQ
 ECAD 8289 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Schottky To-263ab (d²pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 112-VS-MBRB1035HM3 Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 35 V 840 mv @ 20 a 100 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 600PF @ 5V, 1 MHz
689-6 Microchip Technology 689-6 280.3200
RFQ
 ECAD 6272 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv Chassis -berg Nd 689-6 Standard Nd Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 150-689-6 Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Unabhängig 600 V 15a 1,2 V @ 10 a 500 ns 10 µa @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C.
RGP30D NTE Electronics, Inc RGP30D 0,7000
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 NTE Electronics, Inc. RGP30 Tasche Aktiv K. Loch Do-201ad, axial Standard Do-201ad Herunterladen Rohs Nick Konform 2368-RGP30D Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,3 V @ 3 a 150 ns 5 µa @ 200 V. - - - 3a 60pf @ 4v, 1 MHz
FFSH3065B-F085 onsemi FFSH3065B-F085 13.8300
RFQ
 ECAD 448 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 FFSH3065 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 30 a 0 ns 40 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 37a 1260PF @ 1V, 100 kHz
VS-ETL1506STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETL1506STRL-M3 0,7542
RFQ
 ECAD 9220 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Fred Pt® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab ETL1506 Standard To-263ab (d²pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VSETL1506strlm3 Ear99 8541.10.0080 800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,07 V @ 15 a 210 ns 15 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a - - -
BAS40DW-06-7-F-2477 Diodes Incorporated BAS40DW-06-7-F-2477 - - -
RFQ
 ECAD 7424 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Lets Kaufen Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Schottky SOT-363 - - - 31-Bas40DW-06-7-F-2477 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 2 Kombinierte Gemeinsame -Anode 40 v 200 ma 1 V @ 40 mA 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C.
SBRT20V45CTB-13 Diodes Incorporated SBRT20V45CTB-13 - - -
RFQ
 ECAD 8802 0.00000000 Dioden Eingenbaut Trenchsbr Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab SBRT20 Superbarriere To-263ab (d²pak) Herunterladen 1 (unbegrenzt) 31-SBRT20V45CTB-13TR Ear99 8541.10.0080 800 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 10a 520 mv @ 10 a 300 µa @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MSASC150H45LR Microchip Technology MSASC150H45LR - - -
RFQ
 ECAD 9282 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Thinkey ™ 3 Schottky, Umgekehrte Polarität Thinkey ™ 3 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-MSASC150H45LR Ear99 8541.10.0080 100 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 600 mv @ 150 a 10 mA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 150a - - -
S4J R6 Taiwan Semiconductor Corporation S4J R6 - - -
RFQ
 ECAD 8412 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC Standard Do-214AB (SMC) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1801-S4JR6TR Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,15 V @ 4 a 1,5 µs 10 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 60pf @ 4v, 1 MHz
BZX84C3V6Q Yangjie Technology BZX84C3V6Q 0,0280
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-bzx84c3v6qtr Ear99 3.000
FST8380M GeneSiC Semiconductor Fst8380m - - -
RFQ
 ECAD 2519 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg D61-3m Schottky D61-3m Herunterladen 1 (unbegrenzt) Fst8380mgn Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 80 v 80A (DC) 840 mv @ 80 a 1,5 mA @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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