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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Rurh3015cc | 3.3200 | ![]() | 350 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-218-3 isolierte Tab, to-218ac | Lawine | To-218 isolier | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 30a | 1 V @ 30 a | 50 ns | 500 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | Mur310sh | 0,2277 | ![]() | 9206 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 875 mv @ 3 a | 25 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||
![]() | RB705DFHT146 | 0,2028 | ![]() | 2043 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RB705 | Schottky | Smd3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 30 ma | 370 mv @ 1 mA | 1 µa @ 10 V | 125 ° C (max) | |||||
![]() | SM165KJ800G2 | 50.3700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Kasten | Aktiv | Chassis -berg | Modul | SM165KJ | Standard | T2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 800 V | 165a | 1,25 V @ 165 a | 20 µa @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | Fdh333_nl | 0,2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Standard | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 125 v | 1,05 V @ 200 Ma | 3 Na @ 125 V. | 175 ° C (max) | 200 ma | 6PF @ 0V, 1 MHz | ||||||
![]() | 1N3289a | 15.5000 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard | Do-8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n3289a | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,2 V @ 200 a | 50 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - - - | |||||
![]() | RB168L-60TE25 | 0,1632 | ![]() | 4671 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RB168 | Schottky | PMDs | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 680 mv @ 1 a | 1,5 µa @ 60 V | 150 ° C. | 1a | - - - | |||||
![]() | MBR3050pt | - - - | ![]() | 8057 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-247-3 | MBR3050 | Schottky | To-247ad (to-3p) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 50 v | 20a | 750 mV @ 20 a | 5 ma @ 50 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | 70HFR160 | 4.2500 | ![]() | 1453 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-70HFR160 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,3 V @ 70 a | 200 µA @ 1600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 70a | - - - | |||||
![]() | CDBHA1060-HF | 0,3542 | ![]() | 8836 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | CDBHA1060 | Schottky | To-277b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CDBHA1060-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 530 mv @ 10 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | |||||
![]() | FFSH4065ADN-F155 | 12.3900 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | FFSH4065 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 650 V | 22a (DC) | 1,75 V @ 20 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||
![]() | SBL1645CT-LS | - - - | ![]() | 4216 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SBL1645 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | 31-SBL1645CT-LS | Veraltet | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 16a | 550 mV @ 8 a | 150 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||
![]() | 1N4004 | 0,0228 | ![]() | 4853 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-41, Axial | Standard | DO-41/DO-204AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2796-1n4004tr | 8541.10.0000 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 1,5 µs | 5 µa @ 1700 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||
![]() | MBRF20100CT-M3/4W | 0,7930 | ![]() | 4940 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF20100 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 800 mV @ 10 a | 100 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | V40D60C-M3/i | 1.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | V40D60 | Schottky | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 20a | 620 mv @ 20 a | 4 ma @ 60 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||
![]() | DZ23C9V1Q | 0,0460 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-dz23c9v1qtr | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | PX1500m-CT | 2.1162 | ![]() | 4596 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Streiflen | Aktiv | K. Loch | P600, axial | PX1500 | Standard | P600 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2721-PX1500m-CT | 8541.10.0000 | 12 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1 V @ 15 a | 1,5 µs | 10 µa @ 1 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | ||||
![]() | Jantxv1n1188 | 80.8050 | ![]() | 6134 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/297 | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1188 | Standard | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,4 V @ 110 a | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 35a | - - - | |||||
SS24FSH | 0,1035 | ![]() | 4460 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | SS24 | Schottky | SOD-128 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SS24FSHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 570 mv @ 2 a | 200 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 124pf @ 4V, 1 MHz | ||||||
![]() | SB2150-BP | 0,1054 | ![]() | 1023 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | SB2150 | Schottky | Do-15 | Herunterladen | 353-SB2150-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 950 mV @ 2 a | 500 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 65PF @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | Bat43Ws | 0,0544 | ![]() | 5507 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Bat43 | Schottky | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-bat43wstr | Ear99 | 8541.10.0070 | 6.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 1 V @ 200 Ma | 5 ns | 500 NA @ 25 V. | -65 ° C ~ 125 ° C. | 200 ma | 7PF @ 1V, 1MHz | ||||
![]() | DFLS1100-7-2477 | - - - | ![]() | 8787 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | Schottky | PowerDi ™ 123 | - - - | 31-DFLS1100-7-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 770 mv @ 1 a | 350 na @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 36PF @ 5V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | FFSB0665B | 3.0100 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FFSB0665 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | D²pak-2 (to-263-2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 6 a | 40 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 259PF @ 1V, 100 kHz | |||||
![]() | 1N485a/tr | 3.8969 | ![]() | 7183 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | Standard | Do-7 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n485a/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 180 v | 1 V @ 100 mA | 25 na @ 180 v | -65 ° C ~ 175 ° C. | 100 ma | - - - | ||||||
![]() | SS2P3L-E3/85A | - - - | ![]() | 4406 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SS2P3 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 2 a | 200 µA @ 30 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | |||||
![]() | Rs 1b | - - - | ![]() | 1318 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Axial | Standard | - - - | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 2,5 V @ 800 mA | 1,5 µs | 10 µa @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 700 Ma | - - - | ||||||
![]() | B0520WS-7-F-2477 | - - - | ![]() | 2007 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | - - - | 31-B0520WS-7-F-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 430 MV @ 500 mA | 250 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 500 mA | 58PF @ 0V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 25ctq045 | 1.2900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | 25ctq | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 1655-1007 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | - - - | 710 mv @ 30 a | 1 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | BYW27-50-CT | 0,4083 | ![]() | 8280 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Streiflen | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-41, Axial | BYW27 | Standard | DO-41/DO-204AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2721-BYW27-50-CT | 8541.10.0000 | 25 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 1 a | 1,5 µs | 200 na @ 50 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||
![]() | FFSM0865A | 5.0100 | ![]() | 5905 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 4-Powertsfn | FFSM0865 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | 4-pqfn (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,75 V @ 8 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 9.6a | 463PF @ 1V, 100 kHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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