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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | B140BQ-13-F | 0,4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B140 | Schottky | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 500 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | |||
![]() | ACDBQC0240LR-HF | 0,0576 | ![]() | 6196 | 0.00000000 | Comchip -technologie | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | Schottky | 0402C/SOD-923F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-ACDBQC0240LR-HFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 580 MV @ 200 Ma | 5 µa @ 40 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 200 ma | 25PF @ 1V, 1MHz | ||||
![]() | SK34B R5G | 0,2316 | ![]() | 4402 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SK34 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | |||
![]() | RGP10GE-M3/54 | - - - | ![]() | 2526 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | RGP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||
![]() | 1N5552 | 5.8400 | ![]() | 1047 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | B, axial | 1N5552 | Standard | B, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,2 V @ 9 a | 2 µs | 1 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||
![]() | BAS7002VH6327XTSA1 | 0,4800 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | Bas7002 | Schottky | PG-SC79-2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C (max) | 70 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||
SB560L_R2_00001 | 0,2052 | ![]() | 2077 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | K. Loch | Do-201ad, axial | SB560 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 57.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 490 mv @ 5 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | ||||
![]() | VS-S596A | - - - | ![]() | 2404 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | S596a | - - - | 112-VS-S596A | 1 | ||||||||||||||||||
BAT54WQ-7-F | 0,2300 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bat54 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 125 ° C. | 200 ma | 10pf @ 1V, 1 MHz | |||
![]() | UH1D-E3/61T | - - - | ![]() | 2152 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | UH1 | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,05 V @ 1 a | 30 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||
![]() | RB162L-60TE25 | 0,4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RB162 | Schottky | PMDs | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 650 mv @ 1 a | 100 µa @ 60 V | 150 ° C (max) | 1a | - - - | |||
![]() | DL914 | - - - | ![]() | 8658 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | DL914 | Standard | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DL914mstr | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 25 Na @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | 4PF @ 4V, 1 MHz | |
![]() | V3FM10HM3/i | 0,0878 | ![]() | 7056 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | V3fm10 | Schottky | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 830 mv @ 3 a | 85 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 240pf @ 4V, 1 MHz | ||||
![]() | VS-20TQ045SRR-M3 | 0.8004 | ![]() | 3921 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 20TQ045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 570 mv @ 20 a | 2,7 mA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | 1400pf @ 5v, 1 MHz | |||
![]() | CD1A30 | 3.4050 | ![]() | 8964 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | Schottky | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD1A30 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 600 mv @ 1 a | 100 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | ||||
![]() | MUR1610F-BP | - - - | ![]() | 8972 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Rohr | Lets Kaufen | K. Loch | To-220-2 Isolierte RegisterKarte | Mur1610 | Standard | ITO-220AC | - - - | 353-MUR1610F-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 975 mv @ 16 a | 35 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 65PF @ 4V, 1 MHz | ||||
SS16L MTG | - - - | ![]() | 3983 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS16 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 400 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||
SDM02M30CLP3-7B | 0,0347 | ![]() | 3748 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | SDM02 | Schottky | X2-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SDM02M30CLP3-7BDI | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 700 mv @ 100 mA | 2 ns | 400 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 3.3PF @ 5V, 1 MHz | ||
VS-SD400N24PC | 106.5800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | SD400 | Standard | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2400 V | 1,62 V @ 1500 a | 15 mA @ 2400 V | -40 ° C ~ 190 ° C. | 400a | - - - | ||||
![]() | US1MDFQ-13 | 0,4400 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | US1M | Standard | D-Flat | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||
![]() | SB560-A52 | - - - | ![]() | 1906 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-SB560-A52TB | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | MSS1P3L-E3/89A | - - - | ![]() | 4631 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | MicroSmp | MSS1P3 | Schottky | MicroSMP (Do-219AD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 250 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||
![]() | MMBD914-HF | 0,0466 | ![]() | 9808 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBD914 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||
![]() | FR302G B0G | - - - | ![]() | 1909 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Fr302 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 3 a | 150 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4v, 1 MHz | ||
![]() | SMLJ60S1-TP | 0,2767 | ![]() | 7586 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SMLJ60 | Standard | SMC (Do-214AB) | Herunterladen | 353-SMLJ60S1-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 6 a | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 150pf @ 4V, 1 MHz | |||||
![]() | 1N1202 | 1.9500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n1202 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,2 V @ 30 a | 10 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 200 ° C. | 12a | - - - | |||
Vs-309ura160 | - - - | ![]() | 3551 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | 309ura160 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | -40 ° C ~ 180 ° C. | 330a | - - - | ||||||
![]() | Set121211 | - - - | ![]() | 2030 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Viel | Modul | Set121 | Standard | - - - | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,1 V @ 9 a | 30 ns | 20 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - - - | |||
![]() | PMEG4010EGW115 | - - - | ![]() | 4924 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||
![]() | SIGC121T120R2CSYX1SA1 | - - - | ![]() | 1659 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | SIGC121T120 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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