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Einzeldioden (57622)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | R1800f | 0,0520 |  | 7205 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-R1800FTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1800 v | 2,5 V @ 500 mA | 500 ns | 5 µa @ 1800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500 mA | - - - | |||
 | CDLL6263/Tr | 21.6750 | | 4335 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Schottky | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll6263/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 16 v | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 33 ma | 2.2pf @ 0v, 1 MHz | ||||
 | UF1KHB0G | - - - | | 7747 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | UF1K | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4v, 1 MHz | ||
 | PDS1045-13-2477 | - - - | | 6131 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | Schottky | PowerDi ™ 5 | - - - | 31-PDS1045-13-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 510 mv @ 10 a | 600 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||
 | SF36G B0G | - - - | | 9267 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Do-201ad, axial | SF36 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4v, 1 MHz | ||
 | UF306G_R2_00001 | 0,1107 | | 3304 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | UF306 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 60.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 3 a | 100 ns | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||
| Jantxv1n5811us | 12.3150 | | 2382 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/477 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N5811 | Standard | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 875 mv @ 4 a | 30 ns | 5 µa @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 60pf @ 10v, 1 MHz | ||
| SF46G A0G | - - - | | 4296 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SF46 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 4 a | 35 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||
 | LSIC2SD065A08A | 4.7100 | | 1 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | Gen2 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220-2l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,8 V @ 8 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 23a | 415PF @ 1V, 1 MHz | ||||
 | Fesb16ghe3_a/i | 1.1385 | | 9265 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Fesb16 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 16 a | 50 ns | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 175PF @ 4V, 1 MHz | ||
 | VS-15EWL06FNTRRRR-M3 | 0,6181 | | 6457 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 15EWL06 | Standard | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS15EWL06FNTRRM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,05 V @ 15 a | 220 ns | 10 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | |
 | ER5D-TP | 0,1972 | | 8412 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | ER5D | Standard | SMC (Do-214AB) | Herunterladen | 353-er5d-tp | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 100pf @ 4v, 1 MHz | ||||
 | S1flk-gs08 | 0,0932 | | 7289 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S1f | Standard | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 10 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 700 Ma | 4PF @ 4V, 1 MHz | ||
 | UFS330J/TR13 | 2.6100 | | 2956 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | UFS330 | Standard | Do-214AB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||
 | Rs1dlhrtg | - - - | | 3335 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | RS1D | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||
 | 1N1345B | 1.9500 | | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-1n1345b | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,3 V @ 30 a | 10 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - - - | |||
 | Bas21J | 0,0190 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Bas21 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-Bas21Jtr | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||
 | 1N4001E-E3/54 | 0,4800 | | 21 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4001 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,1 V @ 1 a | 5 µa @ 50 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||
 | FFPF04F150stu | - - - | | 9994 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack | FFPF04 | Standard | To-220f-2l | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1500 V | 1,5 V @ 4 a | 170 ns | 5 µa @ 1500 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 4a | - - - | |||
 | ES1DB | 0,0320 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-ES1DBTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
 | UPS5817/TR7 | 0,5250 | | 1630 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-216aa | UPS5817 | Schottky | PowerMite | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 450 mV @ 1 a | 1 ma @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||
 | NXPSC10650X6Q | 6.0000 | | 2 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | NXPSC | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220f | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 934072089127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µa @ 650 V | 175 ° C (max) | 10a | 300PF @ 1V, 1 MHz | |||
 | 31dq03 | 0,3700 | | 701 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | 31dq | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 570 mv @ 3 a | 1 ma @ 30 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3.3a | 250pf @ 5v, 1 MHz | |||
 | CDBC520-HF | 0,6000 | | 2 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | CDBC520 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 500 mV @ 5 a | 500 µa @ 20 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 380PF @ 4V, 1 MHz | |||
 | PMEG060V100PE-QZ | 0,7500 | | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | CFP15B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 560 mv @ 10 a | 27 ns | 700 µa @ 60 V | 175 ° C. | 10a | 833PF @ 1V, 1 MHz | |||
| ND171N08KHPSA1 | - - - | | 5160 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | Modul | Nd171n | Standard | BG-PB34-1 | - - - | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | SP000539950 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,26 V @ 500 a | 20 mA @ 800 V | 150 ° C (max) | 171a | - - - | |||
| FFPF10UP20STU | - - - | | 6506 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack | FFPF10 | Standard | To-220f-2l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,15 V @ 10 a | 35 ns | 100 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||
| GI250-4-E3/73 | - - - | | 8792 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GI250 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 4000 v | 3,5 V @ 250 mA | 2 µs | 5 µa @ 4000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 250 Ma | 3PF @ 4V, 1 MHz | ||
 | SFC5000a | - - - | | 1010 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | SFC5000 | Schottky | 2-WLCSP (1x0.6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 650 mv @ 15 mA | 300 NA @ 50 V. | 150 ° C (max) | 1ma | 7.5PF @ 0V, 1 MHz | |||
| Es3d R7 | - - - | | 9416 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-ES3DR7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45PF @ 4V, 1 MHz |
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