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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GC50MPS06-247 | 13.3500 | ![]() | 740 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | Sic Schottky MPS ™ | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | GC50MPS06 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-2 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1242-1346 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 0 ns | 175 ° C (max) | 50a | - - - | ||||
![]() | D1481N65TVFXPSA1 | 969.6225 | ![]() | 9103 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Do-200AC, K-Puk | D1481N65 | Standard | BG-D7626K-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 6800 v | 1,8 V @ 2500 a | 50 mA @ 6800 V | 160 ° C (max) | 2200a | - - - | |||
![]() | D841S45TXPSA1 | - - - | ![]() | 5469 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | D841S45 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 6 | ||||||||||||||
![]() | Mur110gp-ap | 0,0736 | ![]() | 2868 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Mur110 | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 970 mv @ 1 a | 45 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||
![]() | V12PL63-M3/h | 0,8100 | ![]() | 8676 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | V12PL63 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 580 mv @ 12 a | 450 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 12a | 2600pf @ 4V, 1 MHz | |||||
![]() | GP10GE-167E3/93 | - - - | ![]() | 7575 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | GP10 | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||
![]() | CD214B-F350 | - - - | ![]() | 7227 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | CD214B | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||
![]() | A180PB | - - - | ![]() | 7928 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-205AA, DO-8, Stud | A180 | Standard | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,3 V @ 150 a | 20 mA @ 1200 V | -40 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - - - | ||||
![]() | CDBFR0230 | 0,0864 | ![]() | 2630 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 1005 (2512 Metrik) | CDBFR0230 | Schottky | 1005/SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 500 MV @ 200 Ma | 30 µa @ 30 V | 125 ° C (max) | 200 ma | 9pf @ 10v, 1 MHz | |||
![]() | NRVHPD660T4G | - - - | ![]() | 6987 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NRVHPD660 | Standard | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 3 V @ 6 a | 50 ns | 30 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - - - | ||
![]() | RS1D | 0,0258 | ![]() | 1716 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RS1 | Standard | SMA (Do-214AC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||
1N5806 | 5.8500 | ![]() | 5450 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5806 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25PF @ 10V, 1 MHz | |||
![]() | SE40PB-M3/87A | 0,2228 | ![]() | 5148 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | SE40 | Standard | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,05 V @ 4 a | 2,2 µs | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.4a | 28PF @ 4V, 1 MHz | ||
![]() | MBR1035 | - - - | ![]() | 4893 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | MBR103 | Schottky | To-220-2 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 840 mv @ 20 a | 100 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | |||
![]() | Prll5819,115 | - - - | ![]() | 7717 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOD-87 | Prll58 | Schottky | Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 600 mv @ 1 a | 1 ma @ 40 v | 125 ° C (max) | 1a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||
SS210LHM2G | - - - | ![]() | 5806 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS210 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 mV @ 2 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | ||||
![]() | BYC100W-1200PQ | 4.3904 | ![]() | 2829 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | EEPP ™ | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | BYC100 | Standard | To-247-2 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 934072041127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 3,3 V @ 100 a | 90 ns | 250 µa @ 1200 V | 175 ° C (max) | 100a | - - - | |||
HFA15TB60 | - - - | ![]() | 6268 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Hexfred® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | HFA15 | Standard | To-220ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 15 a | 60 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | |||
![]() | 1SS119-14TE-E | 0,1000 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||
![]() | UF1504S-B | - - - | ![]() | 2617 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1,5 a | 50 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 35PF @ 4V, 1 MHz | |||
![]() | 1N4001 | 0,1200 | ![]() | 3292 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-41, Axial | Standard | DO-41/DO-204AC | Herunterladen | Nicht Anwendbar | Nicht Anwendbar | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0000 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,1 V @ 1 a | 1,5 µs | 5 µa @ 50 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||
![]() | B350AE-13 | - - - | ![]() | 5587 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | B350 | Schottky | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 650 mV @ 2 a | 100 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 125PF @ 4V, 1 MHz | ||||
![]() | AR3PDHM3_A/i | 0,4950 | ![]() | 6620 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | AR3 | Lawine | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,6 V @ 3 a | 140 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.8a | 44PF @ 4V, 1 MHz | ||
Fese8jt-e3/45 | - - - | ![]() | 3857 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | Fese8 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,5 V @ 8 a | 50 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||
ES1HR3G | - - - | ![]() | 1182 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Es1h | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,7 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 16PF @ 4V, 1 MHz | |||
Esh2da | 0,1650 | ![]() | 2309 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Esh2 | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 900 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 4v, 1 MHz | |||
![]() | FRA805GF-BP | - - - | ![]() | 3634 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Isolierte RegisterKarte | FRA805 | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 8 a | 250 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 60pf @ 4v, 1 MHz | |||
SD072SC150A.T | 0,6925 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Tablett | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | SD072 | Schottky | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 1655-1759 | Ear99 | 8541.10.0040 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 890 mv @ 5 a | 150 µa @ 150 V | 200 ° C (max) | 5a | 165PF @ 5V, 1 MHz | |||
![]() | VS-85HF140M | 20.4923 | ![]() | 1455 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 85HF140 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS85HF140M | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1400 v | 1,2 V @ 267 a | -65 ° C ~ 180 ° C. | 85a | - - - | |||
![]() | Jan1n3909r | - - - | ![]() | 3655 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/308 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3909 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,4 V @ 50 a | 150 ns | 15 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 50a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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