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Einzeldioden (57622)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PDS5100H-13-36 | - - - |  | 9112 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | Schottky | PowerDi ™ 5 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 800 mV @ 10 a | 3,5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | |||||
 | PMEG6030EVP115 | 0,1300 | | 47 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMEG6030 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.270 | ||||||||||||||
 | NRVHPD660T4G | - - - | | 6987 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NRVHPD660 | Standard | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 3 V @ 6 a | 50 ns | 30 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - - - | ||
 | MBR1035 | - - - | | 4893 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | MBR103 | Schottky | To-220-2 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 840 mv @ 20 a | 100 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | |||
 | SSB43L-M3/52T | 0,5100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SSB43 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 450 mV @ 4 a | 600 µa @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 4a | - - - | |||
 | Esh1pche3/85a | - - - | | 5830 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-220aa | Esh1 | Standard | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 900 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 4v, 1 MHz | ||
 | WNSC5D10650B6J | - - - | | 5688 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | WNSC5 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Dpak | - - - | 1740-WNSC5D10650B6JTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 323PF @ 1V, 1 MHz | ||||
 | SB330/4 | - - - | | 1089 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | SB330 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 490 mv @ 3 a | 500 µa @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | |||
 | FR201G R0G | - - - | | 8394 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | FR201 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 2 a | 150 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||
 | 1N914B_S62Z | - - - | | 6774 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N914B | Standard | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 100 v | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 5 µa @ 75 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||
 | Cs3m-e3/i | - - - | | 5448 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | CS3 | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,15 V @ 3 a | 2,8 µs | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 26pf @ 4v, 1 MHz | ||
 | Ed306s_l2_00001 | 0,2322 | | 3367 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Ed306s | Standard | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 60.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 3 a | 35 ns | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||
 | S3ghe3-tp | 0,1156 | | 4693 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S3g | Standard | SMC (Do-214AB) | Herunterladen | 353-s3ghe3-tp | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 3 a | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4v, 1 MHz | |||||
| VS-85HF120M | 24.4600 | | 100 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 85HF120 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 267 a | -65 ° C ~ 180 ° C. | 85a | - - - | ||||
 | HER157-AP | - - - | | 8463 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | HER157 | Standard | Do-15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,7 V @ 1,5 a | 75 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1,5a | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||
| DR-1061/Tr | - - - | | 6387 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-DR-1061/Tr | 1 | |||||||||||||||||
 | Bas21W RVG | 0,0498 | | 2749 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas21 | Standard | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 250 V | 1,25 V @ 100 mA | 50 ns | 100 NA @ 250 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 5PF @ 0V, 1MHz | ||
 | STBR3008G2Y-TR | 2.7800 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Automotive, AEC-Q101, Ecopack®2 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STBR3008 | Standard | D2PAK HV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 30 a | 2 µa @ 800 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | |||
 | VS-5EWL06FNTRL-M3 | 0,3652 | | 1122 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 5EWL06 | Standard | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS5EWL06FNTRLM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,85 V @ 5 a | 25 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | |
 | FR205G | 0,0701 | | 4241 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | Fr20 | Standard | Do-15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 2 a | 250 ns | 5 µa @ 420 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 40pf @ 4v, 1 MHz | ||
 | SD101BWQ | 0,0200 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-SD101BWQTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||
| A451LB | - - - | | 4146 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Klemmen | Do-200AC, K-Puk | A451 | Standard | Do-200AC, K-Puk | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2200 v | 1,4 V @ 5000 a | 50 mA @ 2200 V | 2500a | - - - | |||||
 | US1A | 0,0240 | | 500 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Standard | Do-214AC (SMA) | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-us1atr | Ear99 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4v, 1 MHz | ||||
| ESH2PBHM3/85A | 0,1584 | | 1212 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | Esh2 | Standard | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 980 mv @ 2 a | 25 ns | 1 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 25pf @ 4v, 1 MHz | ||
| Jan1n3909r | - - - | | 3655 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/308 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3909 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,4 V @ 50 a | 150 ns | 15 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 50a | - - - | ||
| Mur160ha0g | - - - | | 5937 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | Mur160 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 27pf @ 4v, 1 MHz | ||
| A180PB | - - - | | 7928 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-205AA, DO-8, Stud | A180 | Standard | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,3 V @ 150 a | 20 mA @ 1200 V | -40 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - - - | ||||
 | RS1D | 0,0258 | | 1716 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RS1 | Standard | SMA (Do-214AC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||
| 1N3213R | 65.8800 | | 2769 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3213 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N3213RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,19 V @ 90 a | 10 µa @ 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40a | - - - | |||
 | SE40PB-M3/87A | 0,2228 | | 5148 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | SE40 | Standard | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,05 V @ 4 a | 2,2 µs | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.4a | 28PF @ 4V, 1 MHz |
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