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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Kraft - Max | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | AUSGABEKONfiguration | Erfassungsmethode | Sensortyp | Pixelgröße | Aktive Pixelarray | Rahmen Pro Sekunde | Wellenlänge | Orientierung | Blickwinkel | Strom - DC Forward (if) (max) | Erfassungsabstand | Ansprechzeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Dunkel (ID) (max) | Diodentyp | Farbe - Erweitt | Spektralbereich | Reakionsfähigkeit @ nm | Strom - Dunkel (Typ) | Aktiver Bereich |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 5192 | - - - | ![]() | 4048 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -10 ° C ~ 50 ° C. | To-5 Variante, 3 Leitungen, objektivmetalldose | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 48 | Bewegung, Pyroelektrik, PIR (Passive Infrarot) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | H21A5 | 0,6400 | ![]() | 741 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch, Flansch | Geschleift, PC -Stifte | Nicht implomierter | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | Phototransistor | Durchstrahl | 50 ma | 0,118 "(3 mm) | 8 µs, 50 µs | 55 v | 20 ma | |||||||||||||||||||||||
![]() | QSE973 | 0,3700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | To-226-2, to-92-2 (to-226ac) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.1050 | 1.000 | 930nm | 90 ° | 50ns | 32 v | Stift | - - - | - - - | - - - | 30na | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | KAI-02150-QBA-JD-BA | 504.1300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -50 ° C ~ 70 ° C (TA) | 67-BCPGA | CCD | KAI-02150 | 14,5 V ~ 15,5 V. | 67-CPGA (33.02x20.07) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.9500 | 1 | 5,5 µm x 5,5 µm | 1200H x 1080 V | 64 | |||||||||||||||||||||||
![]() | QSE113 | - - - | ![]() | 6850 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | Radial, Sitzenansicht | 100 MW | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-QSE113-600039 | 1 | 880nm | Seitenansicht | 50 ° | 30 v | 1,5 Ma | 100 na | ||||||||||||||||||||||||
![]() | H22A6 | 0,6600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch, Flansch | Geschleift, PC -Stifte | Nicht implomierter | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 452 | Phototransistor | Durchstrahl | 60 mA | 0,118 "(3 mm) | 8 µs, 50 µs | 55 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | QCK5 | - - - | ![]() | 2141 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Nicht implomierter | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 237 | Phototransistor | Durchstrahl | 50 ma | 0,157 "(4 mm) | 8 µs, 50 µs | 30 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Bpw38 | - - - | ![]() | 9960 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 300 MW | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.7080 | 500 | 880nm | Spitzenansicht | 18 ° | 25 v | 100 na | |||||||||||||||||||||||
MOC70P1 | 0,6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch, Flansch | Geschleift, PC -Stifte | Nicht implomierter | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 466 | Phototransistor | Durchstrahl | 50 ma | 0,200 "(5,08 mm) | 20 µs, 80 µs | 30 v | 20 ma | ||||||||||||||||||||||||
![]() | L14N1 | - - - | ![]() | 1597 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 300 MW | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.41.0000 | 500 | 880nm | Spitzenansicht | 80 ° | 30 v | 100 na | |||||||||||||||||||||||
![]() | QSE133 | 1.0000 | ![]() | 3300 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C (TA) | K. Loch | Radial, Sitzenansicht | 100 MW | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 880nm | Seitenansicht | 50 ° | 30 v | 100 na | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | QSB363CGR | 0,2900 | ![]() | 9243 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 2-smd, Möwenflügel | 75 MW | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.7080 | 988 | 940nm | Spitzenansicht | 24 ° | 30 v | 100 na | |||||||||||||||||||||||||
![]() | QSE773 | 0,3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 802 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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