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Sensoren, Wandler (1904)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Merkmale | Grundproduktnummer | Strom - Verroriert | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Aufösung | AUSGABEKONfiguration | Erfassungsmethode | Sensortyp | Pixelgröße | Aktive Pixelarray | Rahmen Pro Sekunde | Wellenlänge | Erfassungstemperatur - Lokal | Erfassungstemperatur - Fernbedienung | Genautigeit - Höchste (Niedrigste) | Testedingung | Blickwinkel | Strom - DC Forward (if) (max) | Erfassungsabstand | Ansprechzeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Farbe - Erweitt | Spektralbereich | Reakionsfähigkeit @ nm | Strom - Dunkel (Typ) | Aktiver Bereich |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Cat34TS04VP2GT4A | - - - |  | 6867 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -45 ° C ~ 130 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-WFDFN Exposed Pad | Ausgangsschalter, Programmierbare Grenze, Programmierbare Aufösung, Standby -Modus | Cat34 | I²C/Smbus | 2,2 V ~ 5,5 V. | 8-TDFN (2x3) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 12 b | Digital, Lokal | -20 ° C ~ 125 ° C. | - - - | ± 1 ° C (± 3 ° C) | 75 ° C ~ 95 ° C (-20 ° C ~ 125 ° C) | ||||||||||||||||||||||||
 | Noiv2SN1300A-QDC | 145.9400 | | 9592 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | 168-CPGA | CMOs | Noiv2 | 1,8 V, 3,3 V. | 168-Pga | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 64 | 4,8 µm x 4,8 uM | 1280H x 1024V | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | AR0144CSSC20SUKA0-CPBR | 11.5100 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | - - - | 69-WFBGA, CSPBGA | CMOs | AR0144 | - - - | 69-ODCSP (5,55 x 5,57) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 3 µm x 3 µm | 1280H x 800 V | 60 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | AR0522SRSC09SURA0-DP | 18.2800 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | - - - | 52-LCC | CMOs | AR0522 | - - - | 52-PLCC (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.680 | 2,2 µm x 2,2 µm | 2592H x 1944v | 60 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | H22LOI | - - - | | 3142 | 0.00000000 | Onsemi | Optologic® | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | K. Loch, Flansch | Modul, PC -Stifte, steckplatzType | H22L | 5 Ma | 4,5 V ~ 16 V | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H22LOI-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | NPN - Open Collector, Invertierert | Durchstrahl | 0,124 "(3,15 mm) | 100ns | ||||||||||||||||||||||||||||
 | OPB867T51 | - - - | | 6577 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Veraltet | K. Loch | Modul, PC -Stifte, steckplatzType | OPB867 | - - - | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AR0134CSSM25SUEA0-TPBR | - - - | | 8330 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 70 ° C (TA) | 63-lbga | CMOS MIT Prozessor | AR0134 | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-ibga (9x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | 3,75 ähm x 3,75 µm | 1280H x 960 V | 54 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Microfc-30050-smt-tr | 29.2100 | | 7501 | 0.00000000 | Onsemi | C-Serie sipm | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Microfc | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.1050 | 3.000 | 420nm | - - - | 600ps | 24,7 v | Lawine | Blau | 300 nm ~ 950 nm | - - - | 319na | 9mm² | |||||||||||||||||||||||
| AR0134CSSM00SUEA0-TRBR | - - - | | 2513 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 70 ° C (TA) | 63-lbga | CMOS MIT Prozessor | AR0134 | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-ibga (9x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | 3,75 ähm x 3,75 µm | 1280H x 960 V | 54 | ||||||||||||||||||||||||||||
| H21B2 | - - - | | 9683 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch, Flansch | Geschleift, PC -Stifte | Nicht implomierter | H21B | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H21B2-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | Photodarlington | Durchstrahl | 50 ma | 0,118 "(3 mm) | 7 µs, 45 µs | 30 v | 40 ma | |||||||||||||||||||||||||
 | AR0140AT2C00XUEA0-DRBR | - - - | | 1935 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 63-lbga | CMOs | AR0140 | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-ibga (9x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 2832-AR0140AT2C00XUEA0-DRBR | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.600 | 3 µm x 3 µm | 1280H x 800 V | 60 | |||||||||||||||||||||||||||
| KAI-16050-FXA-JD-B1 | - - - | | 5723 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -50 ° C ~ 70 ° C (TA) | 71-BCPGA | CCD | KAI-16050 | 14,5 V ~ 15,5 V. | 72-CPGA (47.24 x 45,34) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 5,5 µm x 5,5 µm | 4896H x 3264V | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||
| ASX350CS3C00SPEA0-DR | 14.2600 | | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | - - - | 63-LFBGA | CMOs | ASX350 | - - - | 63-IBGA (7,5x7,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 4,160 | 3,75 ähm x 3,75 µm | - - - | 60 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | MOC70p3 | - - - | | 5508 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch, Flansch | Geschleift, PC -Stifte | Nicht implomierter | Moc70p | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC70p3-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 55 | Phototransistor | Durchstrahl | 50 ma | 0,200 "(5,08 mm) | 20 µs, 80 µs | 30 v | 20 ma | |||||||||||||||||||||||||
| QVA21114 | - - - | | 3586 | 0.00000000 | Onsemi | Qva | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | Modul, PC -Stifte, steckplatzType | Nicht implomierter | QVA211 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | QVA21114-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | Phototransistor | Durchstrahl | 50 ma | 0,125 "(3,18 mm) | - - - | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||
| QVE00033 | - - - | | 5424 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | Nicht implomierter | QVE000 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 800 | Phototransistor | Durchstrahl | 50 ma | 0,079 "(2 mm) | 7 µs | 30 v | 20 ma | ||||||||||||||||||||||||||
| KAI-2001-AAA-CR-AE | - - - | | 3678 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -50 ° C ~ 70 ° C (TA) | 32-cdip-modul | CCD | Kai-2001 | 14,5 V ~ 15,5 V. | 32-cdip | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | 7,4 µm x 7,4 µm | 1600H x 1200 V | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||
| QVB11124 | - - - | | 3945 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Veraltet | K. Loch, Flansch | Modul, PC -Stifte, steckplatzType | Qvb111 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H22B3 | - - - | | 5310 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch, Flansch | Geschleift, PC -Stifte | Nicht implomierter | H22B | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H22B3-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | Photodarlington | Durchstrahl | 50 ma | 0,118 "(3 mm) | 7 µs, 45 µs | 30 v | 40 ma | |||||||||||||||||||||||||
 | NOIP1SN0480A-STI1 | 33.2800 | | 147 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | 67-WFBGA, CSPBGA | CMOs | NOIP1SN0480 | 3,2 V ~ 3,4 V. | 67-ODCSP (4,93x6.13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 10 | 4,8 µm x 4,8 uM | 808H x 608V | |||||||||||||||||||||||||||||
| 03A7D-132-XMD | - - - | | 7368 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | - - - | 03a7d | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||
| KAI-16000-AAA-JD-B2 | - - - | | 1726 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -50 ° C ~ 70 ° C (TA) | 40-BCPGA | CCD | Kai-16000 | 14,5 V ~ 15,5 V. | 40-CPGA (44.45 x 32) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 7,4 µm x 7,4 µm | 4872H x 3248V | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||
| MT9P017D00STCC48AC1-200 | - - - | | 6018 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | - - - | MT9P017 | - - - | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Noix0SN020KB-GTI | 2.0000 | | 5937 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | - - - | 251-CPGA | CMOs | - - - | 251-CPGA (44,4x37,25) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-noix0SN020KB-GTI | 4 | 3,2 µm x 3,2 µm | 4500H x 4500V | 58 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| QVB21213 | - - - | | 6089 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Veraltet | K. Loch, Flansch | Modul, PC -Stifte, steckplatzType | Qvb212 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MOC70P2 | - - - | | 8722 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch, Flansch | Geschleift, PC -Stifte | Nicht implomierter | Moc70p | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC70P2-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 55 | Phototransistor | Durchstrahl | 50 ma | 0,200 "(5,08 mm) | 20 µs, 80 µs | 30 v | 20 ma | |||||||||||||||||||||||||
| MT9V128IA3XTC-TP | - - - | | 4235 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 63-lbga | CMOS MIT Prozessor | MT9V128 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 63-ibga (9x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | 5,6 µm x 5,6 uM | 680H x 512V | 60 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 61990-002-Forxd | - - - | | 5635 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 488-61990-002-textd | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 21387-001-XWF | - - - | | 8195 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 488-21387-001-XWF | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9M021IA3XTC-DPBR1 | - - - | | 6366 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 70 ° C. | CMOs | MT9M021 | 1,8 V, 2,8 V. | - - - | ROHS3 -KONFORM | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 2832-MT9M021IA3XTC-DPBR1-488 | Veraltet | 260 | 3,75 ähm x 3,75 µm | 1280H x 960 V | 60 |
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