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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Merkmale | Grundproduktnummer | Ausfluss | Temperaturkoeffizient | Ausfallrate | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Kraft (Watt) | ANZAHL DER Terinen | Ausfluss (Ohm) | Zusackensetzung | Schalttyp | ANZAHL DER FUTERTERTANDE | Ausflutung -Matching -verhälnis | Ausflussnis | Anzahl der Stifte | Kraft Pro -Element |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
743C083181JP | - - - | ![]() | 7816 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 743 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,200 "LX 0,079" W (5,08 mm x 2,00 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2008, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 180 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 100 MW | ||||||||||
![]() | S41X043303FP | 0,0283 | ![]() | 6252 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043303FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 30k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||||||||
![]() | 73WE4R005J | 0,1128 | ![]() | 7799 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 73Wex | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 mm x 3,20 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Breit 1206 (3216 Metrik), 0612 | Aktueller Sinn | 5 MOHMS | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0030 | 5.000 | 0,75 W, 3/4W | 2 | Dicker Film | ||||||||||||
![]() | 766143393GPTR7 | 1.2910 | ![]() | 6781 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,341 "LX 0,154" W (8,65 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 800 | 39k | Isolier | 7 | - - - | - - - | 14 | 160 MW | |||||||||
![]() | S42C043560GP | 0,0600 | ![]() | 9968 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043560GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 56 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||||||||
![]() | 766141392GPTR13 | 1.1757 | ![]() | 1989 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,341 "LX 0,154" W (8,65 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 3.000 | 3,9K | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 80 MW | |||||||||
![]() | 73L3R20J | 0,1300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 73L3 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | 0,079 "LX 0,049" W (2,00 mm x 1,25 mm) | 0,026 "(0,65 mm) | 0805 (Metrik 2012) | Aktueller Sinn | 200 Mohm | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | 0805 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0030 | 5.000 | 0,125W, 1/8w | 2 | Dicker Film | ||||||||||||
![]() | S42C163334JP | 0,1518 | ![]() | 7870 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163334JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 330k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | ||||||||
![]() | S42C043681FP | 0,0693 | ![]() | 8573 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043681FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 680 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||||||||
![]() | 752161151JPTR7 | - - - | ![]() | 3968 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,465 "L x 0,080" W (11.81 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 16-drt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 1.000 | 150 | Busse | 14 | - - - | - - - | 16 | 80 MW | |||||||||
753163470GPTR7 | 2.0285 | ![]() | 9103 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 753 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,245 "LX 0,080" W (6,22 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 16-drt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 1.000 | 47 | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 80 MW | ||||||||||
![]() | 741x083224jp | 0,0123 | ![]() | 2155 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 741 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Automobil AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | 741x083 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 220K | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||||||||
![]() | S42X083473JP | 0,0412 | ![]() | 1356 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083473JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 47k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||||||||
![]() | 73L3R24F | 0,0198 | ![]() | 2487 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 73lx | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | 0,079 "LX 0,049" W (2,00 mm x 1,25 mm) | 0,026 "(0,65 mm) | 0805 (Metrik 2012) | Aktueller Sinn | 240 Mohm | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | 0805 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0030 | 5.000 | 0,125W, 1/8w | 2 | Dicker Film | ||||||||||||
752103472GP | 1.4693 | ![]() | 3989 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,565 "LX 0,080" W (14,35 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 10-srt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 250 | 4,7K | Isolier | 5 | - - - | - - - | 10 | 160 MW | ||||||||||
![]() | S42C083204FP | 0,0914 | ![]() | 7815 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083204FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 200k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||||||||
![]() | 766163102jptr13 | - - - | ![]() | 3669 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 60-766163102jptr13tr | Ear99 | 8533.21.0020 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 767161474GP | 1.2132 | ![]() | 6769 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 767-161-R470KP | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 470k | Busse | 15 | - - - | - - - | 16 | 100 MW | ||||||||
744C083220JP | - - - | ![]() | 3612 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 744 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,200 "LX 0,126" W (5,08 mm x 3,20 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2012, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 744C083 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 22 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 125 MW | |||||||||
![]() | S42C163513JP | 0,1518 | ![]() | 8555 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163513JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 51k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | ||||||||
![]() | 752181222jptr13 | - - - | ![]() | 7265 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 60-752181222jptr13tr | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S41C083681FP | 0,0653 | ![]() | 9684 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083681FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 680 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||||||||
![]() | 752123332GPTR7 | 1.4693 | ![]() | 4079 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,665 "LX 0,080" W (16,89 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 12-srt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 1.000 | 3.3k | Isolier | 6 | - - - | - - - | 12 | 160 MW | |||||||||
![]() | S41C083681JP | 0,0481 | ![]() | 5761 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083681JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 680 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||||||||
![]() | 752201472GPTR13 | 1.3488 | ![]() | 7755 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,565 "LX 0,080" W (14,35 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 20-drt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 3.000 | 4,7K | Busse | 18 | - - - | - - - | 20 | 80 MW | |||||||||
![]() | S41X043132GP | 0,0240 | ![]() | 9295 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043132GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 1,3K | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||||||||
![]() | S41C083512GP | 0,0560 | ![]() | 7315 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083512GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 5.1k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||||||||
![]() | S41X083101FP | 0,0311 | ![]() | 8887 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-s41x083101fptr | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 100 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | ||||||||
![]() | S42X083152JP | 0,0412 | ![]() | 6862 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083152JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 1,5K | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||||||||
![]() | S42C163274GP | 0,1813 | ![]() | 9250 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163274GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 270k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW |
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