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Figstände (10280)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Temperaturkoeffizient | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Ausfluss (Ohm) | Schalttyp | ANZAHL DER FUTERTERTANDE | Ausflutung -Matching -verhälnis | Ausflussnis | Anzahl der Stifte | Kraft Pro -Element |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S42C083820FP | 0,0914 |  | 2895 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083820FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 82 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | S41C083622FP | 0,0653 | | 6552 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083622FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 6.2k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||
| S41C083301JP | 0,0481 | | 3844 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083301JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 300 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||
 | RT202B7 | - - - | | 9602 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8533.21.0020 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||
| 752161473jptr7 | - - - | | 2793 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 60-752161473jptr7tr | Ear99 | 8533.21.0020 | 1.000 | |||||||||||||||||||
 | S42C043152JP | 0,0508 | | 7092 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043152JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 1,5K | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
| 752163102jptr7 | - - - | | 3358 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 60-752163102jptr7tr | Ear99 | 8533.21.0020 | 1.000 | |||||||||||||||||||
 | 752241473g | - - - | | 7836 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Schüttgut | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,665 "LX 0,080" W (16,89 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 24-drt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 500 | 47k | Busse | 22 | - - - | - - - | 24 | 80 MW | |||
 | 740x043184jp | 0,0600 | | 1559 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 740 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Automobil AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,031 "LX 0,024" W (0,80 mm x 0,60 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0302 (0805 Metrik), Konvexe, Lange Nebenezeitpunkte | 740x043 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 180k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 31 MW | ||
 | 745C101102JP | 0,6100 | | 23 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 745 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "L x 0,126" W (6,40 mm x 3,20 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2512 (6432 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 745C101 | ± 250 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 1k | Busse | 8 | - - - | - - - | 10 | 63 MW | ||
 | 744C043333JTR | - - - | | 2364 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 744 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,126 "LX 0,100" W (3,20 mm x 2,54 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 1210 (3225 Metrik), Konkav | 744C043 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 33k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 125 MW | ||
| S41X083243JP | 0,0226 | | 8649 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083243JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 24k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | ||
 | S42C163750GP | 0,1813 | | 3677 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163750GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 75 | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | ||
 | S42X083114JP | 0,0412 | | 8124 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083114JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 110k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
| 76614111jptr7 | - - - | | 4082 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 60-76614111jptr7tr | Ear99 | 8533.21.0020 | 800 | |||||||||||||||||||
 | 741x083471JP | 0,0123 | | 6545 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 741 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Automobil AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | 741x083 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 470 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | 744C083150JP | - - - | | 2296 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 744 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,200 "LX 0,126" W (5,08 mm x 3,20 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2012, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 744C083 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 15 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 125 MW | ||
 | 768161682GP | 1.2132 | | 4070 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 6,8K | Busse | 15 | - - - | - - - | 16 | 100 MW | |||
 | 766163151GP | 2.5200 | | 1 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,154" W (9,90 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 766-163-R150p | Ear99 | 8533.21.0010 | 49 | 150 | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 160 MW | ||
| S42C163431JP | 0,1518 | | 8830 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163431JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 430 | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | ||
| S41C083105FP | 0,0653 | | 3195 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083105fptr | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 1m | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||
 | 768141183GPTR13 | 1.1899 | | 2105 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 2.000 | 18k | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 100 MW | |||
| S42C163333JP | 0,1518 | | 6847 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163333JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 33k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | ||
| S42X083363JP | 0,0412 | | 6346 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083363JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 36k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | 753091104GP | 1.9136 | | 8858 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 753 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,270 "L x 0,080" W (6,86 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 9-srt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-753091104GP | Ear99 | 8533.21.0020 | 250 | 100k | Busse | 8 | - - - | - - - | 9 | 40 MW | ||
| S42C083362GP | 0,0813 | | 7271 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083362GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 3.6k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | 743C083474JP | - - - | | 3187 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 743 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,200 "LX 0,079" W (5,08 mm x 2,00 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2008, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 470k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 100 MW | |||
| 745C101471JP | 0,6900 | | 11 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 745 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "L x 0,126" W (6,40 mm x 3,20 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2512 (6432 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 745C101 | ± 250 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 470 | Busse | 8 | - - - | - - - | 10 | 63 MW | ||
| S41C083243FP | 0,0653 | | 4467 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083243fptr | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 24k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||
 | 770101684 | - - - | | 3923 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 1.000 "l x 0,098" W (25,40 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 10-SIP | ± 100 ppm/° C. C. | 10-SIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0050 | 250 | 680k | Busse | 9 | - - - | - - - | 10 | 100 MW |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
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