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Figstände (10280)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Temperaturkoeffizient | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Ausfluss (Ohm) | Schalttyp | ANZAHL DER FUTERTERTANDE | Ausflutung -Matching -verhälnis | Ausflussnis | Anzahl der Stifte | Kraft Pro -Element |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 743C083330jtr | - - - |  | 6095 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 743 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,200 "LX 0,079" W (5,08 mm x 2,00 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2008, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 33 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 100 MW | |||
 | S42X083513JP | 0,0412 | | 2771 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083513JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 51k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | 742x08349r9fp | 0,0412 | | 9144 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 742 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Automobil AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | 742x083 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 49,9 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | 742C083394jtr | - - - | | 5760 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 742 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Automobil AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 742C083 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 390k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | 766163331GPTR13 | 1.1757 | | 1275 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,154" W (9,90 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 3.000 | 330 | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 160 MW | |||
 | 768163124GPTR13 | 1.1899 | | 6050 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 2.000 | 120k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 200 MW | |||
| 742C083511JP | 0,2700 | | 19 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 742 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Automobil AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 742C083 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 510 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | 752125182APTR13 | 1.5563 | | 7496 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 752 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,665 "LX 0,080" W (16,89 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 12-srt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 3.000 | 3,3K, 3,9K | Doppelterminator | 20 | - - - | - - - | 12 | 80 MW | |||
 | S40X043152JP | 0,0901 | | 7966 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,033 "LX 0,024" W (0,85 mm x 0,60 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0302 (0805 Metrik), Konvexe, Lange Nebenezeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 0302 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S40x043152JPtr | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 1,5K | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 31 MW | ||
 | 767141564GP | 1.1988 | | 6780 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 560k | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 100 MW | |||
| 766163000xptr13 | 1.1757 | | 6235 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Jumper | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,154" W (9,90 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | - - - | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 3.000 | 0,0 | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 160 MW | |||
 | 77081683p | 0,6179 | | 6140 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,800 "LX 0,098" W (20,32 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 8-sip | ± 100 ppm/° C. C. | 8-sip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 770-81-R68KP | Ear99 | 8533.21.0050 | 1.000 | 68k | Busse | 7 | - - - | - - - | 8 | 100 MW | ||
 | S41C083510JP | 0,0481 | | 1876 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083510JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 51 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||
| 767141510gptr13 | 1.1757 | | 4941 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,390 "L x 0,220" W (9,91 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 14-soic (0,220 ", 5,59 mm Breit) | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 2.000 | 51 | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 100 MW | |||
 | S42C043273JP | 0,0508 | | 5754 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043273JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 27k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
| S42C083200JP | 0,0680 | | 1779 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083200JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 20 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | 77063223p | 0,7100 | | 31 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,600 "LX 0,098" W (15,24 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 6-sip | ± 100 ppm/° C. C. | 6-sip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 770-63-R22KP | Ear99 | 8533.21.0050 | 1.000 | 22k | Isolier | 3 | - - - | - - - | 6 | 100 MW | ||
| 77061471p | 0,5700 | | 1 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,600 "LX 0,098" W (15,24 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 6-sip | ± 100 ppm/° C. C. | 6-sip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 770-61-R470p | Ear99 | 8533.21.0050 | 1.000 | 470 | Busse | 5 | - - - | - - - | 6 | 100 MW | ||
| S42X083394FP | 0,0560 | | 7438 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083394FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 390k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | 742C1631212FP | 0,3028 | | 3604 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 742 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 742C163 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 12.1k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | ||
 | 741C083151JP | 0,1300 | | 78 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 741 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Automobil AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,020 "(0,50 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 741C083 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 150 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | 753083101GPTR7 | 1.8660 | | 4271 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 753 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,245 "LX 0,080" W (6,22 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 8-srt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 1.000 | 100 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 80 MW | |||
| RT242B7TR13 | - - - | | 1137 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||
 | 744C043104JP | - - - | | 1675 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 744 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,126 "LX 0,100" W (3,20 mm x 2,54 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 1210 (3225 Metrik), Konkav | 744C043 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 744C043104JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 100k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 125 MW | |
| RT141B6TR7 | - - - | | 1933 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||
 | 753091104gptr7 | 3.8800 | | 2 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 753 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,270 "L x 0,080" W (6,86 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 9-srt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 1.000 | 100k | Busse | 8 | - - - | - - - | 9 | 40 MW | |||
 | 766145191AP | 3.5500 | | 3209 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,341 "LX 0,154" W (8,65 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 56 | 330, 470 | Doppelterminator | 24 | - - - | - - - | 14 | 80 MW | |||
| 766141823GPTR13 | 1.1757 | | 7667 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,341 "LX 0,154" W (8,65 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 3.000 | 82k | Busse | 13 | - - - | - - - | 14 | 80 MW | |||
| 742C043123JP | 0,0202 | | 6248 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 742 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Automobil AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | 742C043 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 12k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
| S42C163164GP | 0,1813 | | 1564 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163164GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 160k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW |
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Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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Standardprodukteinheit
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Weltweite Hersteller
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