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Figstände (10280)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Temperaturkoeffizient | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Ausfluss (Ohm) | Schalttyp | ANZAHL DER FUTERTERTANDE | Ausflutung -Matching -verhälnis | Ausflussnis | Anzahl der Stifte | Kraft Pro -Element |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 77083124p | 0,6300 |  | 6697 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 770 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,800 "LX 0,098" W (20,32 mm x 2,50 mm) | 0,195 "(4,95 mm) | K. Loch | 8-sip | ± 100 ppm/° C. C. | 8-sip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 770-83-R120KP | Ear99 | 8533.21.0050 | 1.000 | 120k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 100 MW | ||
 | S41C083203JP | 0,0481 | | 2357 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083203JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 20k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||
| S41C083200FP | 0,0653 | | 7333 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083200FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 20 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||
| S41C083824FP | 0,0653 | | 9285 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083824FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 820K | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | ||
 | S42C163684GP | 0,1813 | | 4430 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163684GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 680k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | ||
 | S42X083152GP | 0,0495 | | 5110 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083152GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 1,5K | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | S42C043431JP | 0,0508 | | 2537 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043431JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 430 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
 | 745C101474JP | 0,1408 | | 6579 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 745 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "L x 0,126" W (6,40 mm x 3,20 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 2512 (6432 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 745C101 | ± 250 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 470k | Busse | 8 | - - - | - - - | 10 | 63 MW | ||
 | S42C083304GP | 0,0813 | | 6106 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083304GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 300k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
| S42X083750GP | 0,0495 | | 2872 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083750GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 75 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | 753163390GPTR13 | 1.7738 | | 4778 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 753 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,245 "LX 0,080" W (6,22 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 16-drt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 3.000 | 39 | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 80 MW | |||
| S42C043240JP | 0,0508 | | 4838 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043240JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 24 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
 | 768163684g | - - - | | 2141 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 768 | Rohr | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,071 "(1,80 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 768-163-R680K | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 680k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 200 MW | ||
| S41X083362FP | 0,0311 | | 7163 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083362FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 3.6k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | ||
 | 767163181JP | - - - | | 3626 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Rohr | Veraltet | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 60-767163181JP | Ear99 | 8533.21.0020 | 43 | |||||||||||||||||||
| S42C163334GP | 0,1813 | | 7211 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163334GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 330k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | ||
| S41X083914JP | 0,0226 | | 2433 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083914JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 910k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | ||
 | 767163183GP | 1.2132 | | 6213 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 767 | Rohr | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,440 "L x 0,220" W (11,18 mm x 5,59 mm) | 0,093 "(2,36 mm) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 767-163-R18KP | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 18k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 200 MW | ||
| 753163102GP | 2.0285 | | 1498 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 753 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,245 "LX 0,080" W (6,22 mm x 2,03 mm) | 0,100 "(2,53 mm) | Oberflächenhalterung | 16-drt | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 250 | 1k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 80 MW | |||
| S42C163683JP | 0,1518 | | 7756 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163683JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 68k | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | ||
| 742C08351R0FP | 0,0487 | | 8826 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 742 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Automobil AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | 742C083 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 51 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
| S41X083240FP | 0,0311 | | 4586 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083240FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 24 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | ||
 | 766143681GPTR7 | 1.2910 | | 5456 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,341 "LX 0,154" W (8,65 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ± 100 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 800 | 680 | Isolier | 7 | - - - | - - - | 14 | 160 MW | |||
| S42X083563FP | 0,0560 | | 3552 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083563FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 56k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | 746x101822jp | 0,3900 | | 3622 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 746 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,028 "(0,70 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | 746x101 | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 8.2k | Busse | 8 | - - - | - - - | 10 | 31 MW | ||
| 766143470GPTR7 | 1.2910 | | 8476 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 766 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | - - - | 0,341 "LX 0,154" W (8,65 mm x 3,90 mm) | 0,069 "(1,75 mm) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ± 200 ppm/° C. C. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0010 | 800 | 47 | Isolier | 7 | - - - | - - - | 14 | 160 MW | |||
| S42C083432JP | 0,0680 | | 7708 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083432JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 4.3k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
| S42C043362GP | 0,0600 | | 4191 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043362GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 3.6k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | ||
| S42X083620JP | 0,0412 | | 2949 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083620JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 62 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | ||
 | S41X043910GP | 0,0240 | | 9578 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043910GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 91 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW |
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