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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Größe / Dimension | Höhe - Sitzung (max) | Montagetyp | Paket / Herbst | Merkmale | Ausfluss | Temperaturkoeffizient | Ausfallrate | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Kraft (Watt) | ANZAHL DER Terinen | Ausfluss (Ohm) | Zusackensetzung | Schalttyp | ANZAHL DER FUTERTERTANDE | Ausflutung -Matching -verhälnis | Ausflussnis | Anzahl der Stifte | Kraft Pro -Element |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 73M3BR018F | 1.9175 | ![]() | 4300 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | 73m3b | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,264 "L x 0,283" W (6,70 mm x 7,20 mm) | 0,051 "(1,30 mm) | Nicht Standardmäßig | Aktueller Sinn | 18 Mohm | ± 50 ppm/° C C. | - - - | 2726 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8533.21.0030 | 1.000 | 3W | 2 | Metallfilm | |||||||||||
![]() | 76614111jptr13 | - - - | ![]() | 1491 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 60-76614111jptr13tr | Ear99 | 8533.21.0020 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 766141821jptr7 | - - - | ![]() | 3664 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 60-766141821jptr7tr | Ear99 | 8533.21.0020 | 800 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | S42C163560GP | 0,1813 | ![]() | 8388 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163560GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 56 | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | |||||||
![]() | S42C043822JP | 0,0508 | ![]() | 8825 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043822JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 8.2k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |||||||
![]() | S41X043110JP | 0,0198 | ![]() | 7239 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043110JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 11 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |||||||
![]() | S42X083681JP | 0,0412 | ![]() | 4677 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083681JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 680 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |||||||
![]() | S41X083160GP | 0,0269 | ![]() | 4531 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083160GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 16 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | |||||||
![]() | S42X083220GP | 0,0495 | ![]() | 3989 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083220GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 22 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |||||||
![]() | S42C043361GP | 0,0600 | ![]() | 4468 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043361GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 360 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |||||||
![]() | S41X083180FP | 0,0311 | ![]() | 8952 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083180FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 18 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | |||||||
![]() | S41C083390FP | 0,0653 | ![]() | 4159 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083390FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 39 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | |||||||
![]() | S42C083124JP | 0,0680 | ![]() | 4013 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083124JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 120k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |||||||
![]() | S40X043181JP | 0,0901 | ![]() | 3955 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,033 "LX 0,024" W (0,85 mm x 0,60 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0302 (0805 Metrik), Konvexe, Lange Nebenezeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 0302 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S40x043181JPtr | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 180 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 31 MW | |||||||
![]() | S42C163752GP | 0,1813 | ![]() | 9100 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163752GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 7,5K | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | |||||||
![]() | S41X043332FP | 0,0283 | ![]() | 4540 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,039 "L x 0,039" W (1,00 mm x 1,00 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0404 (1010 Metrik), Konvex | ± 200 ppm/° C. C. | 0404 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X043332FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 3.3k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |||||||
![]() | S41C083684GP | 0,0560 | ![]() | 1847 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41C083684GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 680k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31,25 MW | |||||||
![]() | S42C043180FP | 0,0693 | ![]() | 9876 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043180FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 18 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |||||||
![]() | S42X08321FP | 0,0560 | ![]() | 5441 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X08321FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 220 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |||||||
![]() | S42C083394JP | 0,0680 | ![]() | 4522 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083394JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 390k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |||||||
![]() | S42X083624FP | 0,0560 | ![]() | 2686 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konvexe, Lange Seitenterminals | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42X083624FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 620K | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |||||||
![]() | S42C043622JP | 0,0508 | ![]() | 4405 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043622JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 6.2k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |||||||
![]() | S42C043620FP | 0,0693 | ![]() | 1247 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043620FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 62 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |||||||
![]() | S42C083394FP | 0,0914 | ![]() | 7171 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083394FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 390k | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW | |||||||
![]() | S42C163162JP | 0,1518 | ![]() | 5949 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,252 "LX 0,063" W (6,40 mm x 1,60 mm) | 0,024 "(0,60 mm) | Oberflächenhalterung | 2506, Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 2506 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C163162JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4.000 | 1,6K | Isolier | 8 | - - - | - - - | 16 | 63 MW | |||||||
![]() | S42C043302FP | 0,0693 | ![]() | 2995 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043302FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 3k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |||||||
![]() | S41X083271JP | 0,0226 | ![]() | 7875 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,079 "L x 0,039" W (2,00 mm x 1,00 mm) | 0,018 "(0,45 mm) | Oberflächenhalterung | 0804, Konvexe, Lange Sitzeninminals | ± 200 ppm/° C. C. | 0804 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S41X083271JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 270 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 31 MW | |||||||
![]() | S40X043303JP | 0,0901 | ![]() | 4966 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,033 "LX 0,024" W (0,85 mm x 0,60 mm) | 0,016 "(0,40 mm) | Oberflächenhalterung | 0302 (0805 Metrik), Konvexe, Lange Nebenezeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 0302 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S40x043303JPtr | Ear99 | 8533.21.0020 | 10.000 | 30k | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 31 MW | |||||||
![]() | S42C043300FP | 0,0693 | ![]() | 6969 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,063 "LX 0,063" W (1,60 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 0606, Konkav | ± 200 ppm/° C. C. | 0606 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C043300FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 30 | Isolier | 2 | - - - | - - - | 4 | 63 MW | |||||||
![]() | S42C083361FP | 0,0914 | ![]() | 6532 | 0.00000000 | CTS -widerstandSprodukte | S4X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0,126 "LX 0,063" W (3,20 mm x 1,60 mm) | 0,022 "(0,55 mm) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik), Konkave, Lange Nebenzeitpunkte | ± 200 ppm/° C. C. | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 60-S42C083361FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5.000 | 360 | Isolier | 4 | - - - | - - - | 8 | 63 MW |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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